电子元件培训教材(精华版)

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1、电子元件培训教材目 录第一章 电子基础知识2第一节 电阻2第二节 电容8第三节 晶体二极管12第四节 晶体三极管14第五节 集成电路16第六节 电感17第七节 变压器19第八节 石英晶体振荡器21第九节 石英晶体滤波器22第十节 继电器23第十一节 其它元件.25第二章 静电防护基本知识.26第一节 静电的危害.26第二节 静电的基本概念26第三节 静电的产生27第四节 常用防静电用品(设施)的技术要求.27第三章 品质管制知识.30第四章 SMT机器操作与作业知识.32第一节 半自动印刷机.32第二节 手动印刷机.35第三节 MVC贴片机36第四节 TESCON 贴片机39第五节 MKC贴片

2、机42第六节 MVC英文按键45第七节 MVC错误讯息46第八节 关于Nozzle撞断原因及预防、处理方法.48第一章 电子基础知识第一节 电 阻1、电阻的定义及单位 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，英文全称Resistor”在电路中用符号表示 为 : , 单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用、k、M表示,1兆欧=103千欧=106欧。 2、电阻在电路中的作用分压、分流、与电容、电感构成虑波、耦合作用。3、电阻的型号命名方法 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体

3、用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻a14、电阻器的分类 4.1线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 4.2薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜

4、电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 4.3实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4.4电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。5、特性参数 5.1标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 5.2允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：0.5%-0.05、1%-0.1(或00)、2%-0.2(或0)、5%-级、10%-级、20%-级 5.3额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为5570的条件下

5、，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 5.4额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5.5最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 3.6系数：温度每变化1所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。5.7老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下

6、，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。5.8噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。6、电阻器阻值标示方法 6.1直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为20%。 6.2文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符号文字符号 D F G J K M允许偏差 0.5% 1%

7、2% 5% 10% 20%6.3数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。 在数码法中，分为三位数和四位数，一般在贴片电阻中用到的换算和读法如下：例1：一个片式电阻标法为322，则表示第一、二位数为有效数，第三位数为指数，换算为： 32102=3.2K，误差为5%,见图1.例2：一个片式电阻值标示为8222，则表示第一、二、三位数为有效数，第四位表示指数，换算为：822102=8.2K，误差为1%,见图2. 4K7电阻表示为:2.2电阻表示为:0 电阻表示为:0 R00 电阻表示为:0 00

8、0 4R7 2.2321023.2 K第1至2位数为有效读数第3位数为0的个数 (A)普通 0 ( B) 精密82210282.2 K第1至3位数为有效读数第4位数为0的个数 ( D ) 特别电阻 ( C ) 特别电阻 ( F ) 特别电阻 ( E ) 特别电阻 ( G ) 特别电阻 (H ) 特别电阻6.4色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。 色标法的识别(见附表)当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为乘方数，第四位为偏差。 例:棕黑绿金从图中距离可知是从左到右的方向读起，棕为1.黑为0.绿为5.金一般不考虑。

9、10105106欧姆1兆欧当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方数， 第五位为偏差。例：从左 黃紫 黃橙棕从图中间距可知从左到右读起，前三位色环直接写出来，第四色环为103。474103474K欧474千欧474000欧姆 附表一：各色环在不同位置所代表的意义颜色第一色环第一位数第二色环第二位数第三色环第三位数第四色环误差棕111011%红221022%橙331033%黄441044%绿551050.05%蓝661060.25%紫771070.1%灰881080.05%白99109黑0100金1015%银10210%无20%7、常用电阻器7.1电位器 电位

10、器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成一定关系的输出电压。电位器一般用来控制音量大小、亮度明暗、速度快慢。7.1.1合成碳膜电位器 电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单， 是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大， 耐潮性以及阻值稳定性差。 7.1.2 有机实心电位器 有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。

11、在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。 7.1.3 金属玻璃铀电位器 用丝网印刷法按照一定图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的电位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。7.1.4 绕线电位器 绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。 7.1.5 金属膜电位器金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、

12、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温温度系数小、动噪声小、平滑性好。7.1.6导电塑料电位器 用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。 7.1.7 带开关的电位器 有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器7.1.8预调式电位器 预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。7.1.9直滑式电位器 采用直滑方式改变电阻值。

13、7.1.10双连电位器有异轴双连电位器和同轴双连电位器7.1.11 无触点电位器 无触点电位器消除了机械接触，寿命长、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。7.2实芯碳质电阻器 用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。7.3绕线电阻器用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。 绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。7.4薄膜电阻器 用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下：7.5碳膜

14、电阻器 将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。 7.6金属膜电阻器。 用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。7.7金属氧化膜电阻器 在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。7.8合成膜电阻 将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。 由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。 7.9金属玻璃铀电阻器 将金

15、属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。7.10贴片电阻SMT 片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。常用片式电阻的规格型号有0402、0603、0805、1206、1210等7.11敏感电阻 敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体， 磁场，压力等作用敏感的电阻器。 敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型，如：t. v等。7.12压敏电阻 主要有碳化硅和氧化锌压敏电

16、阻，氧化锌具有更多的优良特性。7.13湿敏电阻 由感湿层，电极， 绝缘体组成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻，碳湿敏电阻，氧化物湿敏电阻。氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小，缺点为测试范围小，特性重复性不好，受温度影响大。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大，由老化特性， 较少使用。 氧化物湿敏电阻性能较优越，可长期使用，温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系。有氧化锡，镍铁酸盐，等材料。 7.14光敏电阻 光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件，当某种物质受到光照时，载流子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。7.15气敏电阻 利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还

17、原反应制成，主要成分是金属氧化物，主要品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。 7.16力敏电阻 力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计，半导体话筒，压力传感器等。 主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言， 合金电阻器具有更高灵敏度。7.17电阻检测 电阻检测一般用目视和测量：A、目视检查表面色环、字符清晰可认，表皮光滑，无损缺、伤痕，但表面损缺不可见内部金属部分或损缺部分，且功能均在政党范围，此类不良可做接收；B、测量一般用电阻万用表欧姆档检测：首先

18、将万用表选合适量程,被测电阻置绝缘垫上,用两笔分别放在电阻两端引脚或可焊端（完全接触）。万用表指针或读数稳定后,示值为该电阻实际值,根据该电阻标称判定是否合格。第二节 电 容1、电容的定义及单位 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，用C表示电容，英文全称“Cpacitor”,电容单位有法拉（F）、毫法(MF)、微法拉（uF）、皮法拉（pF）, 1F=103 mF =106 UF=109 nF=1012 PF2、电容在电路中的作用 广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换,控制电路等方面。3、常用电容的符号 1. 有极性电容和无极性电容，符号分别为： 和 2. 钽电容用符号表

19、示为: + 3. 电解电容特点有正、负极一般贴片电容没有标示:4、电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介5、

20、电容器的分类5.1按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。5.2按电 解质 分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。5.3按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。5.4频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。5.5低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。5.6滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。5.7调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 5.8高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。5.9低耦合：纸介电容

21、器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。5.10小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电 容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。6、常用电容器 6.1铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波.6.2钽电解电容器 用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性

22、均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中 6.3薄膜电容器 结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路.6.4瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路6.5独石电容器 (多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次

23、绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路.6.6纸质电容器一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.0080.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量.一般在低频电路内，通常不能在高于34MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路.6.7微调电容器 电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片

24、式两种。 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝外电极来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用6.8陶瓷电容器 用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合包括高频在内。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路

25、6.9玻璃釉电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成独石结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tg0.00050.0087、电容器主要特性参数7.1标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。精度等级与允许误差对应关系：00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、-20%、 -（+20%-10%）、-（+50%-20%）、-（+50%-30%）一般电容器常用、级，电解电容器用、级，根据用途选取。

26、 7.2额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。 7.3绝缘电阻 直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。7.4损耗电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电

27、导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。 7.5频率特性随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。8、电容器容量标示8.1直标法 用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。8.2文字符号法 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.8.3色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与

28、电阻相同。电容器偏差标志符号：请参见附表二 (1) 片式电容 (2) 排容 由几个电容按一定的规律排列 在一起构成的排容。 8R-2-102容量范围：常见的元件1PF-0.1UF 外形区别：外观颜色、大小、规格之分， 确认时需用电容表进行确认。 另从料号上也可进行区分。 额定电压: A B C D E F G H (V) 3 6.3 10 16 20 25 35 50 指定方向: 有方向标记的为负极无方向标记 的为正极。 额定数值：额定电压16V 容量值为10UF。英文字母误差英文字母误差B0.1%L15%C0.25%M20%D0.5%N30%F1%P+1000%G2%V20%10%H3%X4

29、0%20%J5%Z80%20%K10%Y60%25%附表二:电容器偏差标志符号 附表三:国际单位之倍数表倍率符号说明1012TTera109GGiga106MMega103KKilo101DDicti10-2CCenti10-3mMilli10-6UMicro10-9nNano10-12PPico9、电容器检测电容检测一般用目视，电容表去测量。目视：检查元器件有无破裂、变形、电极氧化等。破裂：电解电容类表皮破裂面积不大在1mm2，伤痕长度不长于2mm（不可见到内部金属部分），此类不良可做接收，特殊元件另做说明。变形：正常体形光滑、平整，无凹陷、凸起、断脚等，否则为不良。电极氧化：电极端氧化发黑

30、，影响焊接质量应为不良。电容表测量：A、将被测元件放置绝缘垫上；B、把电容表档调至合适量程，调整微调校零旋扭，使表读数为“0”；C、用电容表两表笔分别接触电容两电极，于电容表读数稳定后显示数值为该电容容值；D、比较实际测量值与标称值之间误差是否在要求范围内，超出为不良。第三节 晶体二极管 1、晶体二极管二极管是利用PN结的单向导性来工作，常用字母“D”或“VD”表示. 英文全称Diode。发光二极管用英文字母LED表示 二极管用符号表示为: ,贴片为: ,一般有阴影部分为负极2、二极管的作用整流（1N4007）等、稳压（9A1）等、检波（1N5819）等、防逆流（1N4007）等、发光指示（L

31、ED）等、加快开关速度。3、二极管的特性二极管是一种常用的电子器件，它有一个PN结， 最主要的特性是具有单向导电性。3.1正向特性当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于截止状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。3.2反向特性二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数

32、百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。3.3击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。3.4频率特性由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。4、二极管的简易测试方法二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R100或1K档）。5、二极管的主要参数5.1正

33、向电流IF在额定功率下，允许通过二极管的电流值。5.2正向电压降VF二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。5.3最大整流电流（平均值）IOM在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。5.4反向击穿电压VB二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。5.5正向反向峰值电压VRM二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。5.6反向电流IR在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值5.7结电容C结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。5.8最高工作频率fm二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

34、6、常用晶体二极管6.1整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装，由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。6.2检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。6.3开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF500毫安的

35、硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装,引脚较长的一端为正极。硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装6.4稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。6.5变容二极管变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛

36、地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。6.6阶跃恢复二极管阶跃恢复二极管是一种特殊的变容管，也称作电荷储存二极管，简称阶跃管，它具有高度非线性的电抗，应用于倍频器时代独有的特点，利用其反向恢复电流的快速突变中所包含的丰富谐波，可获得高效率的高次倍频，它是微波领域中优良的倍频元件。阶跃管的特性是建立在PN结杂质的特殊分布上，和变容管相似，它的直流伏安特性与一般PN结构相同。阶段管的特点是：当处于导通状态的二极管突然加上反向电压时，瞬间反向电流立即达到最值IR，并维持一定的时间ts，接差又立

37、即恢复到。 阶跃管主要用于倍频电路和超高速脉冲整形和发生电路。 6.7发光二极管：它是利用在PN结中相遇复合时，电能会转成光能，不同材质会发不同颜色光线，用LED表示。6.8光敏二极管和温敏二极管：利用PN结还具有光敏和热敏的特性（光能和热能转换成电能），制作成的传感器件。第四节 晶体三极管1、晶体三极管晶体三极管，简称三极管，它是具有放大能力的一种电子器件,用字母“Q”表示，英文用“Quadrde”表示，三极管型号有PNP、NPN。作用：主要对信号放大即电流放大、开关控制等。2、三极管的电流放大原理三极管按材料分有两种：储管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NP

38、N和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 CBECBENPN型PNP型上图是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。3、常见三极管形状 贴片 贴片 插件 插件4、三极管用符号表示如下:C集电极C集电极C集电极B基极B基极E发射极B基极E发

39、射极E发射极NPN型PNP型2SC945贴片标示第五节 集成电路1、集成电路集成电路，英文缩写为IC，英文表示Intergratd Circuitn。它是将晶体管、电阻、电容等元器件，按电路结构的要求，制作在一块硅片上，然后封装而成的集成块,集成块最怕的是人体静电。电流过强将烧死。所以特别注意佩戴静电环。旅充上常用的有TP221、34063、KP817, DSP8382,4066,LM358,LM386,TL072,STV0806-003等IC。集成块由集成电路构成：集成电路是组合电子电路的电子部件，它是具有一定的功能的电子电路，它具有体积小、功耗低、可靠性强的优点。因此在电子线路中得到广泛应

40、用。2、集成电路的分类A、 按功能及用途可分为数字集成电路和模拟集成电路；B、 按工艺结构及制造方法可分为膜集成电路、半导体集成电路和混合集成电路。3、 集成电路的外型结构和管脚排列A、双列直插；B、单列直插；C、圆形封装；D、扁平封装等。集成电路的管脚引出线虽然数量不同，但其排列方式仍有一定规律可循，一般第一脚用箭头表示参考标记。 DSP 第一脚 SOP 第一脚 QFPsensor 第一脚072 SOP 第一脚 Plcc4、集成电路使用注意事项A、对于MOS集成电路，注意防止静电的干扰和危害；B、电源电压和输入电压不得超过极限参数； C、工作温度和微热问题对功率器件特别重要；D、IC的众多引

41、出脚切勿用错；E、型号、规格、代用原则等。5、 常见的集成电路LM4556单列直插式IC双列直插式IC单列直插式ICSOP PLCCQFPBGA SOJ 第六节 电 感1、电感的定义及单位电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H103MH=106UH ，电感在电路中符号为: ，常用的电感有220UH、110UH、等。2、电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡

42、线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。3、电感线圈的主要特性参数3.1 电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。3.2 感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2fL3.3 品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R。 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应

43、的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。3.4 分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。4、常用线圈4.1单层线圈 单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。4.2蜂房式线圈如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周，导线来回弯折的次数，常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制，折点越多，分布电容越小。4.3铁氧体磁芯和铁粉

44、芯线圈 线圈的电感量大小与有无磁芯有关。在空芯线圈中插入铁氧体磁芯，可增加电感量和提高线圈的品质因素。4.4铜芯线圈 铜芯线圈在超短波范围应用较多，利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量，这种调整比较方便、耐用。4.5色码电感器 色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。4.6阻流圈（扼流圈） 限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。4.7偏转线圈 偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、价格低。5、电感线圈的检测检测一般用目视、万用表测量，R、L、C测试仪测量等。目视：线圈无变形、掉漆、圈数

45、多或少，线径大小不同、断线。RLC测试仪检测电感量，方法类同测电阻，请参照。第七节 变压器1、变压器的定义及工作原理变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件，当初级线圈中通有交流电流时，铁芯（或磁芯）中便产生交流磁通，使次级线圈中感应出电压（或电流）。变压器由铁芯（或磁芯）和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫次级线圈。2、分类按冷却方式分类：干式（自冷）变压器、油浸（自冷）变压器、氟化物（蒸发冷却）变压器。按防潮方式分类：开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。按铁芯或线圈结构分类：芯式变压器（插片铁芯、C型铁芯、铁氧体铁芯）、壳式变压器（插片铁芯、

46、C型铁芯、铁氧体铁芯）、环型变压器、金属箔变压器。按电源相数分类：单相变压器、三相变压器、多相变压器。按用途分类：电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器。3、电源变压器的特性参数3.1工作频率 变压器铁芯损耗与频率关系很大，故应根据使用频率来设计和使用，这种频率称工作频率。3.2额定功率 在规定的频率和电压下，变压器能长期工作，而不超过规定温升的输出功率。3.3额定电压 指在变压器的线圈上所允许施加的电压，工作时不得大于规定值。3.4电压比 指变压器初级电压和次级电压的比值，有空载电压比和负载电压比的区别。3.5空载电流 变压器次级开路时，初级仍有一定的电流，这

47、部分电流称为空载电流。空载电流由磁化电流（产生磁通）和铁损电流（由铁芯损耗引起）组成。对于50Hz电源变压器而言，空载电流基本上等于磁化电流。3.6空载损耗 指变压器次级开路时，在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗，其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗（铜损），这部分损耗很小。3.7效率 指次级功率P2与初级功率P1比值的百分比。通常变压器的额定功率愈大，效率就愈高。3.8绝缘电阻 表示变压器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能。绝缘电阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。4、音频变压器和高频变压器特性参数4.1频率响应 指变压器次级输出电压随工作频率变化的特性。4

48、.2通频带 如果变压器在中间频率的输出电压为U0，当输出电压（输入电压保持不变）下降到0.707U0时的频率范围，称为变压器的通频带B。4.3初、次级阻抗比 变压器初、次级接入适当的阻抗Ro和Ri,使变压器初、次级阻抗匹配，则Ro和Ri的比值称为初、次级阻抗比。在阻抗匹配的情况下，变压器工作在最佳状态，传输效率最高。5、变压器的检测检测一般用目视、万用表测量等。目视：线圈无变形、掉漆、圈数多或少，线径大小不同、断线。万用表测量一般测量变压器线组，阻值在几到几百不等，不可有零或阻值无穷大。第八节 石英晶体振荡器1、石英晶体振荡器（简称晶振）1.1术语解释1.1.1频率准确度：在规定条件下，晶振输

49、出频率相对于标称频率的允许偏离值。常用其相对值表示。1.1.2频率稳定度： 1.1.2.1时域表征 在规定条件下，晶振内部元件由于老化而引起的输出频率随时间的漂移。通常用某一时间间隔内的老化频差的相对值来量度（如日、月或年老化率等）。 日稳定度（或称日波动）：指晶振输出频率在24小时内的变化情况。通常用其最大变化的相对值来表示。1.1.2.2频域表征 单边相位噪声功率谱密度，晶振输出信号的频谱中，用偏离载频f Hz处每Hz带宽内单边相位噪声功率与信号功率之比的分贝（dB）量，可写作 （f）单位为dB/Hz。 频谱纯度：是量度晶振内部噪声及杂散谱的尺度。通常用单边噪声功率谱密度来表示。 1.1.

50、2.3输出波形：有正弦波和方波两种。1.1.2.4输出幅度：在接入额定负载的规定条件下，晶振输出的均方根值电压。1.1.2.5频率温度特性：当环境温度在规定范围内按预定方式变化时，晶振的输出频率产生的相对变化特性1.1.2.6压控线性度：指压控晶振输出频率与压控电压曲线偏离线性的程度。2、应用指南根据晶振的不同使用要求及特点，通常分为以下几类：普通晶振、温补晶振、压控晶振、温控晶振等。安装晶振时，应根据其引脚功能标识与应用电路应连接，避免电源引线与输出引脚相接输出。 在测试和使用时所供直流电源应没有足以影响其准确度的纹波含量，交流电压应无瞬变过程。测试仪器应有足够的精度，连线合理布置，将测试及

51、外围电路对晶振指标的影响降至最低。 AT切型晶体的频率温度特性曲线如下：a.普通晶振（PXO）：是一种没有采取温度补偿措施的晶体振荡器，在整个温度范围内，晶振的频率稳定度取决于其内部所用晶体的性能，频率稳定度在10-5量级，一般用于普通场所作为本振源或中间信号，是晶振中最廉价的产品。b.温补晶振（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器。一般模拟式温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-710-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用。c.恒温晶振（

52、OCXO）：采用精密控温，使电路元件及晶体工作在晶体的零温度系数点的温度上。中精度产品频率稳定度为10-710-8，高精度产品频率稳定度在10-9量级以上。主要用作频率源或标准信号。d.压控晶振（VCXO）：是一种可通过调整外加电压使晶振输出频率随之改变的晶体振荡器，主要用于锁相环路或频率微调。压控晶振的频率控制范围及线性度主要取决于电路所用变容二极管及晶体参数两者的组合。第九节 石英晶体滤波器1、石英晶体滤波器1.1术语解释1.1.1插入损耗：信号源直接传送给负载阻抗的功率（P0）和插入滤波器后传送给负载阻抗的功率（P1）之比的对数值。通常用分贝（dB）为单位进行度量，表示为IL=10 lg

53、 （P0/ P1）。1.1.2 通带波动：通带内衰耗的最大峰值与最小谷值之差。1.1.3 通带宽度；指相对衰耗小于和等于某一规定值时的频率宽度（如1dB、2dB、3dB、6dB等）。1.1.4 阻带衰耗：指整个阻带内的最小衰耗值。1.1.5 阻带宽度：相对衰耗等于和大于某规定值时的频带宽度（如40dB、50dB、60dB、80dB等）。1.1.6 匹配阻抗：滤波器技术条件中要求的端接匹配阻抗值。2、应用指南石英晶体滤波器根据其结构不同分为集成式单片滤波器和分离式滤波器。 集成式滤波器结构简单、体积小、价格低，但其带宽和频率受到限制，分离式滤波器则可以弥补集成式滤波器的不足，使可实现的频率和带宽

54、得以拓展。 数字通讯技术的发展，对晶体滤波器的群延时特性及互调失真指标提出要求，而分离式滤波器能够较容 易解决。2.1 阻抗匹配：性能优良的滤波器在与其端接的电路阻抗不匹配时，滤波特性会变差，引起通带波动增大，插损增加。当外电路阻抗低于滤波器特性阻抗时，中心频率将下移，反之上移。滤波器的测试或使用应符合以下原理 信号源+电平表功能由网络分析仪完成 Ri、R0：仪器内阻：一般为50 R1-滤波器输入端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50。 R2-滤波器输出端外接阻抗，阻抗值为匹配阻抗减去50。 在滤波器条件的匹配阻抗中有时有并接电容要求，应按上图连接。2.2合理的测量电平；如同晶体对激励电平的要求一样，滤波器中其核心元件仍是晶体，因此激励电平在没有规定时，一般选0dB作为输入电平。2.3良好的屏蔽：对滤波器的输入端和输出端进行良好屏蔽，以使信号源的能量不能直接耦合到负载端。对甚高频以上滤波器，则应使滤波器与仪器间的