MEP03C3+及以上、Anylayer结构HDI板制作指引1

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1、 奥士康精密电路(惠州)有限公司 Aoshikang Precision Circuit(HuiZhou)Co.,Ltd文件名称： 文件状态： 文件编号：版本-修订号：ARevised Description List 修订对照表AInitial vision新发布Content 目录Page 页码1.0 Purpose 目的2.0 Scope 范围3.0 Reference 参考文件4.0 Definition 定义5.0 Responsibility and authority 职责权限6.0 Flow chart 流程图7.0 Procedure 程序7.1 Process Design

2、 工艺流程设计7.2 Notice for tooling design 工具设计注意点7.3 Current Loading Coupon 耐电流测试模块设计8.0 Record 记录9.0 Appendix 附件1.0 Purpose 目的为奥士康集团有限公司制作 3+及以上多阶 HDI 板和 Anylayer 结构设计的 HDI 板的工艺流程、工具设计制作建立规范，为 PE 和 QAE 进行制作工具制作与工具审核时，提供参考依据。2.0 Scope 范围适用于奥士康集团有限公司三阶及多阶 HDI 板和 Anylayer 结构设计的 HDI 板的生产和工具制作。3.0 Reference

3、参考文件3.1 HDI 板设计指引总则3.2 内层图形工具制作规范3.3 压板工序设计及工具制作规范3.4 机械加工工序工具制作规范3.5 外层图形工具制作规范3.6 绿油工序工具制作规范4.0 Definition 定义4.1 HDI 孔：指由激光钻机制作完成的导通孔，亦称 H 孔或盲孔或激光孔；4.2 三阶 HDI 板：指至少含有 L1/2/3/4 或 L1/4 三阶 HDI 孔的 PCB 板（板上同时可能还有一/二阶HDI 孔，也可能没有一/二阶HDI孔），通常该板结构表达为：3+X+3，多阶板依此类推；4.3 多阶板 HDI 板：指三阶或三阶以上的 HDI PCB 板，通常该板结构表达

4、为：n+X+n, (n3)；4.4 Anylayer 板：指相邻每层都仅含一阶 HDI 孔的 PCB 板。通常该板结构表达为：n+2+n，其由双面板开始，依此叠加进行压板及钻镭射孔；4.5 三阶及 Anylayer 板结构中各种 HDI 层别定义表示如下：5.0 Responsibility and authority 职责权限5.1 制作工程部（ME）：根据各工序生产能力制定及修改本程序；5.2 产品工程部（PE）：按此程序规定，为 MI 制作与菲林制作提供制作指引；5.3 品质工程部（QAE）：按此程序规定，进行工具审核及 MI 校正。6.0 Flow chart 流程图参照HDI 制造工

5、序流程指示文件内容7.0 Procedure 程序7.1 Process Design 工艺流程设计7.1.1 三阶 HDI 板及 Anylayer 典型结构示意图.产品类型生产流程说明三阶盲孔设计L04/05, L06/07开料IDF(前处理贴膜曝光DES) IAOI1.MI 上备注开料前烤板； 阶梯式三阶盲孔设计L03/08L04/05,L06/07 棕化L03/08 排板/层压CFM 钻靶/压板后处理减铜二次棕化LDD 激光钻孔机械钻孔磨板除胶 沉铜闪镀全板电镀L03/08 IDF(前处理贴膜曝光DES) L03/08OAOI1.减薄铜控制 8+/-1um；2.二次棕化后铜厚控制 6+/

6、-1um；填孔式三阶盲孔设计(L03/08)L04/05,L06/07 棕化L03/08 排板/层压CFM 钻靶/压板后处理减铜(1)二次棕化LDD 激光钻孔磨板除胶沉铜闪镀水平填孔电镀X-RAY 钻靶孔减铜(2)机械钻孔磨板除胶沉铜闪镀全板电镀L03/08 IDF(前处理贴膜曝光DES)L03/08OAOI1.减铜(1)后铜厚控制 8+/-1um；2.二次棕化后铜厚控制 6+/-1um；3.减铜(2)后铜厚控制 12+/-3um；阶梯式三阶盲孔设计L02/09L02/09 棕化L02/09 排板/层压CFM 钻靶/压板后处理二次棕化LDD 激 光 钻 孔 磨 板 除 胶 沉 铜 闪 镀 全

7、板 电 镀 L02/09IDF(前处理贴膜曝光DES) L02/09 内层 AOI1.二次棕化前不需减铜；2.二次棕化后铜厚控制8.75+/-0.75um；阶梯式三阶盲孔设计L01/10L01/10 棕化L01/10 排板/层压CFM 钻靶/压板后处理减铜二次棕化LDD 激光钻孔机械钻孔磨板 除胶 沉铜闪镀全板电镀 L01/10 ODF(前处理贴膜曝光DES) L01/10OAOI1.减薄铜控制 8+/-1um；2.二次棕化后铜厚控制 6+/-1um填孔式三阶盲孔设计L02/09L02/09 棕化 L02/09 排板/层压CFM 钻靶/压板后处理二次棕化LDD 激光钻孔磨板除胶沉铜闪镀水平填孔

8、电镀 L02/09 IDF(前处理贴膜曝光DES) L02/09 内层 AOI1.二次棕化前不需减铜；2.二次棕化后铜厚控制8.75+/-0.75um；填孔式三阶盲孔设计(L01/10)L01/10 棕化L01/10 排板/层压CFM 钻靶/压板后处理减铜(1)二次棕化LDD 激光钻孔磨板除胶沉铜闪镀水平填孔电镀X-RAY 钻靶孔减铜(2)机械钻孔磨板除胶沉铜闪镀全板电镀 L01/10 ODF(前处理贴膜曝光DES) L01/10 OAOI1.减铜(1)控制 8+/-1um；2.二次棕化后铜厚控制 6+/-1um3.减铜(2)后铜厚控制 12+/-3um；Anylayer 流程(以 10 层

9、Anylayer 为例)L5/6 开料- L5/6 机械钻孔(钻工具孔)锣板修边（倒圆角）L5/6IDF（采用湿膜做CFM 开窗）或者二次棕化L5/6 激光钻孔- L5/6 除胶L5/6 沉铜闪镀L5/6 水平填孔电镀L5/6IDF(前处理-贴膜-曝光-DES)- L5/6AOIL4/7 棕化排板压板CFM 钻靶孔-压板后处理二次棕化激光钻孔(LDD)磨板-除胶沉铜闪镀水平填孔IDF( 前 处 理 - 贴 膜 - 曝 光 -DES)IAOIL3/8 棕 化 排 板 压 板CFM 钻靶孔-压板后处理二次棕化激光钻孔(LDD)磨板-除胶 沉 铜 闪 镀 水 平 填 孔 IDF( 前 处 理 - 贴

10、 膜 - 曝 光-DES)IAOI-L2/9 棕化排板压板CFM 钻靶孔-压板后处理二 次 棕 化 激 光 钻 孔 (LDD) 磨 板 - 除 胶 沉 铜 闪 镀 水 平 填 孔IDF( 前 处 理 - 贴 膜 - 曝 光 -DES)IAOIL1/10 棕 化 排 板 压 板CFM 钻靶孔压板后处理减铜-二次棕化通盲孔拆分电镀（激光钻孔(LDD) 磨板除胶沉铜闪镀水平填孔电镀XRAY 钻靶孔减铜(2)机械钻孔磨板-除胶沉铜闪镀全板电镀）/通盲孔合镀（激光钻孔(LDD) 机械钻孔磨板除胶沉铜闪镀垂直填孔电镀水平填孔电镀）机械钻孔 ODF(前处理-贴膜-曝光-DES)OAOI1.L5/6 层锣板修

11、边时，注明“倒圆角”；在除胶流程后面备注“除胶前过薄板清洗线”；走 LDD 流程时：二次棕化后铜厚控制 9.5+/-0.5um；2.L4/7,L3/8,L2/9 流程中，若本层板厚大于等于 0.3mm 时设计磨板流程，否则直接在除胶流程后面备注 “除胶前过薄板清洗线”；3.开料后的机械钻孔钻出后工序需使用工具孔；开料后的机械钻孔；a、 CFM+湿膜：用于钻出板角的镭射、湿膜曝IDF光、 和锣板修边的定位孔；b、 LDD：开料后的机械钻孔用于 IDF钻出板角的镭射、 和锣板修边的定位孔。4.BU层(L4/7，L3/8,L2/9)二次棕化前不需减铜，二次棕化后铜厚控制8.75+/-0.75um5.

12、 L1/10（外层）减 薄 铜 控 制8+/-1um ； 二 次 棕 化 后 铜 厚 控 制6+/-1um。外层板表面涂覆与检测生产流程绿油 字符 沉镍金 阻抗测试 铣外形 ETEST 最终检验 FQA 抽检 包装此流程为典型生产流程，具体依客户对板面表面要求决定。Remark: 1. 以上的流程中沉铜闪镀均是在水平线(LbCu12 生产)，MI 需要注明使用水平电镀线；2. 表中所有 CFM 表示“CFM 前处理 贴膜 - 曝光 - 蚀刻”；3. 耐电流测试按照正常 HDI 板流程设计，安排在内外层 AOI 工序；7.1.3 工艺流程设计注意点7.1.3.1 Anylayer 的芯 Core

13、 层在满足客户要求及内部制作要求的情况下，优先使用 LDD 流程；生产（芯板 LDD 流程适用范围如下） 若由于部分限制条件或客户要求无法使用 LDD流程时，则镭射采用 CFM 开等大窗设计，且在 CFM 工序后备注“蚀刻后控制开窗尺寸 A+/-15um (A 指设计的孔径)” 其余各层镭射孔均为 LDD 工艺，但当不能设计 LDD工艺时，需与 ME 沟通决定工艺设计；（对于任何 HDI 板中采用叠盲孔设计的盲孔，处于叠孔下方的盲孔优先采用 LDD 工艺设计；若出现其它限制导致无法使用 LDD 工艺时，需采用 CFM 开等大窗工艺设计且在 CFM 工序备注控制开窗蚀刻后完成尺寸： A+/-15

14、um（A 指设计的孔径）； Any layer 制板芯板适用 LDD 流程目前适用范围：（1）芯板开料设计铜厚为 T&TOZ（2）芯板介厚与镭射钻孔孔径控制符合以下条件A、 CS Core 厚 2mil（不含铜）, 孔径设计为 3.5mil;B、 CS Core 厚 2.5mil（不含铜）, 孔径设计为 3.5mil;C、 CS Core 厚 3mil（不含铜）, 孔径设计为 4.5mil;如有其它设计需提前与 ME 确认是否可以制作。7.1.3.2 对于 Anylayer 设计的 CS 层（双面板），优先采用 2.5mil (不含铜)设计，如镭射工艺采，孔径设计为用 CFM 开等大窗（蚀刻完

15、成开窗直径控制 D(盲孔孔径)+/-15um）3.54.5mil，若必须采用 3mil core 设计，则采用 CFM 开等大窗设计（蚀刻完成开窗直径控制 D(盲孔孔径)+/-15um），孔径设计为 4.5mil5mil；采用其它厚度 Core 时需与ME 协商处理；对于孔径加大后通过移线或移孔仍然出现间距不足问题时，允许局部削 Pad 至最小 2.5mil，超出此范围后需与 ME 协商。7.1.3.3 Anylayer 芯板（CS 层）在电镀工序（薄板清洗线、沉铜闪镀、填孔电镀等）容易卡板报废，因此，满足以下条件制板，需增加锣板修边流程对制板板角倒圆角：（1）满足条件：Any layer 芯

16、板 Core 厚 3mil 及 3mil 以下（不含铜）（2）流程设计：开料钻工具孔锣板修边芯板正常流程除胶渣正常流程7.1.3.4 镭射钻使用 LDD 工艺时，若本层镭射孔的最小孔底 pad 单边小于 3mil，则需要镭射钻孔时需使用 Skiving 烧靶制作（除芯板 LDD 流程使用机械钻孔钻出通孔定位外&外层使用 CFM 通孔定位外）；若本层镭射孔的最小孔底 pad 单边大于等于 3mil，则不需要增加镭射钻孔 Skiving 烧标靶，直接走正常的 LDD 流程；另外，当本层镭射孔的最小孔底 pad 单边小于 3mil 时，需要在其之前的一层的线路曝光工序中备注“使用 DI/LDI曝光制

17、作”（例如 L8/7 和 3/4 的镭射孔底 Pad 在此范围时，在 L4/7 的 IDF 曝光工序；备注使用 DI/LDI 机制作）7.1.3.5 Anylayer 板的 Panel size 常规设计为 16.2x20.4, 最大尽量不要超过 18.4X21(特殊有超过时请与 ME 沟通解决)；且单元内 unit/set 的排布要求规则，不可以出现横竖排列并存情况。为避免镀铜均匀性对单元内的影响，除外层外的其他需电镀层次要求板边设计需20mm(电镀夹边30mm),在不影响板料利用率的前提下,板边尽量大；对于 3+及以上 HDI 板最大尺寸不要超过 20.4”X24.4”;7.1.3.6 针

18、对填孔板，若同时含有通孔和盲孔的层且需填盲孔，原则上均设计通盲孔拆分电镀；即：镭射电镀填孔机械钻电镀；(对于不同板 ME 测试后确认可以一次性镀时，再各板单独修改流程，其中如部分制板 ME 已 ECN 更改为通盲孔合镀流程，对于等同设计制板或制板升级版本时，可参考设计)；7.1.3.7 三阶及以上 HDI 和 Anylayer 盲孔设计中：（1）Anylayer 芯板A、如芯板设计为 LDD 流程时，流程设计为：开料-钻工具孔-锣板修边（倒圆角）（注意：满足条件时才增加此流程）-二次棕化-镭射钻孔；B、如芯板设计为 CFM 流程时，流程设计为：开料-钻工具孔-锣板修边（倒圆角）（注意：满足条件

19、时才能增加此流程）-CFM-镭射钻孔-后续正常流程；（2）BU 层(且只含有盲孔)盲孔均采用 12um 铜直接钻孔工艺，流程为:层压后处理-二次棕化(棕化后铜厚 8.75+/-0.75um)-LDD 镭射钻孔-后续正常流程；（3）其它各层的 LDD 走的流程：层压后处理-减薄铜(8+/-1um)-二次棕化(棕化后铜厚 6+/-1um)-LDD 镭射钻孔-（机械钻孔）-后续正常流程；7.1.3.8 各层次线路蚀刻干膜宽度需满足：0.1”=修边后当层基板尺寸 L-当层 CFM/线路干膜尺寸 W=0.3mm 时则为正常的在除胶前加“磨板”流程；7.1.3.11 锣板后的过 IR 流程并非必需要流程，

20、若客户有明确要求必须过 IR 或按照 ME 其他文件规定需要过 IR 时方需要设计过 IR 流程；7.1.3.12 对于 Anylayer 设计的 CS 层（双面板），如无法满足 LDD 流程条件而需要使用 CFM流程时，铜箔选择需满足客户铜厚要求及线路制作要求（若设计采用 H OZ 铜箔时又由于铜厚原因需要在 CS 填孔后 IDF 前增加减铜流程时，选用 1/3 OZ 铜设计）； Anylayer 的各层，当其最小线宽/线距设计50um 时，优先选用反转铜箔（RTF 铜箔），所有 HDI 板存在线宽/线距50um 时，同样优先选用反转铜箔（RTF 铜箔）；7.1.3.13 对于 3+及以上/

21、Anylayer 结构设计的板，若介电层可以使用 106/1067PP 时且使用的材料供应商提供 1067PP 时，在满足压合其它限制条件的前提下，必须优先使用 1067PP，以改善压板变形问题，1067PP 相关镭射孔设计同 106PP 一致。7.2 Notice for tooling design 工具设计注意点7.2.1 Anylayer 芯板锣板修边工具设计（1）设计要求A. 芯板为 LDD 流程&CFM 湿膜流程时（湿膜流程，全板覆盖湿膜油墨；CFM 湿膜流程 MI 备注“涂覆不留边”，锣板修边设计：四角倒圆角，R=20mm(请注意锣板程序资）料在制作时，下刀及出刀处保证无尖角)，

22、如下图所示 A; 为减少曝光过程中产生的板角干膜碎，Anylayer 结构芯板层图形制作时，四个板角在倒圆角锣带基础上往里+2mm区域做成非曝光区，见下图 B 所示B. 钻工具孔工具制作时，需在四角增加一组 3.175mm 锣板修边用定位孔（如下图涂色示C. 锣板修边用定位孔系数设定为：1:1（属性设定为不作拉伸处理）；锣板修边锣带按照 1:1 制作；锣板修边工具孔不能使用于其它流程；D. 除锣板修边工具孔特别控制外，镭射钻孔、图形制作及机械钻孔等工序使用定位孔按照正常拉伸系数进行制作；E. 另外，若为 LDD 流程，镭射钻孔及图形制作使用相同定位孔；若为 CFM 流程， CFM 及图形制作使

23、用相同定位孔，镭射钻孔定位孔按照 SOP 设计使用 CFM 蚀刻出来的定位标靶制作。7.2.2 激光钻孔时根据板边的对位 Mark 定位，Mark 点需要设计内层 Mark 点和通孔 Mark 点两种。7.2.2.1 内层 Mark：当盲孔底 pad 的最小 Annular Ring 在 2.5mil 以下时，盲孔对位 Mark 采用其下一层的内层标靶对位；各层标靶独立设计；7.2.2.2 内层 Mark 图形：内层菲林设计：内环为直径f1.0mm 的铜盘（Copper Pad） 外环，（Clearance）为130mil的基材圈。CFM 菲林设计：直径 130mil 的基材圈。7.2.2.3

24、 通孔 Mark：若盲孔底 pad 的最小 Annular ring 在 2.5mil 以上时，采用四个角 4 个通孔进行对位，此通孔为 CFM 对位孔，由压板后处理采用 X-Ray 钻孔机钻出，其设计同普通 HDI 设计规范。（同普通 HDI 板的 LDD 工艺激光钻孔对位 Mark，直接使用 CFM曝光的四个 3.175mm 孔做标靶， 制作 LDD 工艺的激光钻带时只需将原来的对位标PE靶坐标替换为此 4 个孔的坐标即可）(但请注意 7.1.3.2 中关于使用 DI/LDI 机的要求).7.2.2.4 当任何一次镭射只有单面有镭射孔而另外一面无镭射孔时（Anylayer 的 CS 层除外

25、），CFM 通孔 Mark 只设计在有镭射孔那一面的底层上；（例如若 L3/8 镭射钻时，若只有L3 面有需做镭射钻而 L8 面无镭射孔，则 L3/8 的 CFM 对位孔的标靶只设计在 L4 层上）7.2.3 对于有机械钻孔的层次，其机械钻孔的定位孔和备用定位孔均需要尽量设计在板的长边或宽边的正中间，且尽量向单元区域靠近，如下图所示，标靶 1/2 必须设计在宽边的正中间；标靶 4/5 必须设计在板长边的正中间（即 A=B）；7.2.4 由于 3+和 Anylayer 板有多次层压及电镀填孔等，因此在板边标靶上与普通 HDI 比要求增加以下要求：7.2.4.1 板角的工具孔（测数同心圆，测数的各

26、层独立标靶，CFM 标靶，机械钻孔标靶和备用标靶，镭射标靶）紧挨着板角的单元，工具孔设计在离板角 30mm 以内区域；7.2.4.2 板边四个角无需添加常规的测数同心圆多层环标靶；但是需要添加 9 处对称的测数标靶（至少添加 1/2/3/7/8/9 共 6 处，若 4/5/6 三处无空间添加时，在板中的 set 中间或锣掉位等空余位添加，保证每层独立一个标靶不重叠），如下图：7.2.4.3 板边位置空间够时，在板四边中心增加镭射标靶和对位标靶和涨缩测数标靶，即板的长边中心，宽边中心以及四角均有镭射标靶和对位标靶和涨缩测数标靶；(板边中间的标靶为备用)7.2.4.4 板边掏空铜皮区域不能规则排列

27、在一条线上，区域之间需有2mm 的铜条与外围铜皮相连；7.2.5 其它未特别注明的流程设计和工具设计参照二阶板的相关设计。参照工序工具制作规范：序号文件名称1内层图形工具制作规范2压板工序设计及工具制作规范3机械加工工序工具制作规范4外层图形工具制作规范5绿油工序工具制作规范7.3 Current Loading Coupon 耐电流测试模块设计7.3.1 结构单元链分类：结构分类图示三阶盲孔结构单元链1+1+1+n+1+1+1 结构三阶盲孔结构单元链L1234 三阶盲孔三阶盲孔结构单元链L123 + L34 阶梯式二阶盲孔+一阶盲孔L12+L234 一阶盲孔+ 阶梯式二阶盲孔Remark: 对于同时含有叠孔设计和阶梯设计的板，若板边空间不够时，可以只设计叠孔式模块，不设计阶梯式模块；7.3.2 耐电流测试模块的其它设计参照二阶 HDI 的设计。注意无论 3+或 Anylayer 板，在各个层次阶段均需要设计可以测试模块用于测试当前的状态；例如在 L3/8 层线路完成后，需要有测试模块可以进行检测 L3/8 的可靠性，L2/9 层线路完成后，也需要有测试模块可以进行检测 L2/9 的可靠性。8.0 Record 记录无9.0 Appendix 附件无管制文件-不得私自复印！ 第 14 页；共 14 页 保管部门：