硅片技术标准

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1、硅片技术标准12020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联系改正。单晶硅片技术标准1 范围1.1本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。2 规范性引用文件2.1 ASTM F42-02半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F26半导体材料晶向测试方法2.3ASTM F84直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.4 ASTM F1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.5 ASTM F121-83太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.6 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合

2、寿命的实验方法3 术语和定义3.1 TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV ：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5 点厚度：边缘上下左右6mm处 4 点和中心点）；3.3 位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；3.4 位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm3) ，一般以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；22020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联系改正。3.5崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.6裂纹、裂痕：延伸到晶片

3、表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.7四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。3.8密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5 条4 分类单晶硅片的等级有A 级品和 B 级品，规格为： 125125(mm)、125125(mm)、156156(mm)。5 技术要求5.1外观见附录表格中检验要求。5.2 外形尺寸5.2.1方片 TV 为 20020 um, 测试点为中心点；5.2.2方片 TTV小于 30um，测试点为边缘6mm处 4 点、中心 1点；5.2.3硅片 TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；5.2.4相邻 C 段的垂

4、直度： 90 o0.3 o；5.2.5其它尺寸要求见表1。表 1单晶硅片尺寸要求32020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联系改正。尺寸（ mm ）规格A （边长）B（直径）C（直线段长）D（弧长投影）（mm ）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.125 125 125.5124.5150.5149.583.981.921.920.2125 125 125.5124.5165.5164.5108.8106.69.47.9156 156156.5155.5200.5199.5126.2124.115.914.9注 1： A、 B、C、D 分别参见图 1

5、。图1硅单晶片尺寸示意图5.3材料性质5.3.1导电类型：序号12硅片类型N 型P 型掺杂剂磷 (Phosphorous)硼 (Boron)5.3.2硅片电阻率：见下表；5.3.3硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mm样片钝化后的少子寿命）；42020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联系改正。5.3.4晶向：表面晶向+/- 3.0 ；5.3.5位错密度 3000pcs/cm 2；5.3.6氧碳含量：氧含量 20ppma，碳含量 1.0ppma。6 检测环境、检测设备和检测方法6.1 检测环境：室温，有良好照明（光照度1000Lux）。6.2 检测设备：游标卡尺（0.01mm）、厚

6、度测试仪/ 千分表（ 0.001mm）、水平测试台面、四探针测试仪、少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。6.3 检测项目：导电类型、氧碳含量、单晶晶向、单晶位错密度、电阻率、少子寿命、外形尺寸。6.4 检测方案：外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以单晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检测报告。6.5 检验结果的判定检验项目的合格质量水平详见附录表 A检验项目、检验方法及检验规则对照表。7 包装、储存和运输要求7.1 每包 400 枚，每箱 6 包共 2400 枚。需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应，每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装

7、要能明确区分开。7.2产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度：10 40；湿度： 60%；避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。52020 年 4 月 19 日文档仅供参考，不当之处，请联系改正。7.3 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。检验要求抽样检验项目硅片等级检测工具计划验收A 级品B 级品标准崩边长宽 1mm*1mm不崩边 /崩边硅落长宽 0.3mm*0.2mm不穿透。穿透。硅落长宽厚硅落1.5mm*1.5mm*100um。数量 2数量 4切割线线痕深度 15um，但无密集线痕。线痕深度 30um。痕缺角 /长宽 1mm*0.5mm，无 目 测全外缺口长宽 0

8、.2mm*0.1mm。无 V 型缺口、缺角可见有棱角的缺角，粗糙度测缺口数量 2。试仪毛边 /长度 10mm,深度不能延伸到硅片表面0.1mm。长不限 , 深度不能延伸日光灯观亮点到硅片表面 0.3mm。( 表面清无油污，无残胶，无明显水迹。轻微可清洗的污迹可放无成片的油污，残1000Lux)检行。如硅片之间的摩擦产生的印迹以及2 个针尖状的无洁度胶，水迹。凹凸的印迹。划伤无肉眼可见有深度感的划伤。日光灯下无明显深度感的划伤。无孪晶、 slip 、应其它无孪晶、 slip 、应力、裂纹、凹坑、气孔及明显划伤。力、裂纹、气孔及明显凹坑、划伤。寸尺规格其它尺垂直边长（）直径（）寸度（）（）（O）M

9、axMinMaxMin125 尺125125.5124.5150.5149.5具体见 90125 125.5124.5165.5上表 10.3125164.5和图 1寸 156 156.5155.5200.5199.5156TV200 20m（中心点）20030m30TTV m（中 50 m心 1 点和边缘 6mm位置 4 点）翘曲度 70m 100 m位错密3000/cm23000/cm2度性 导电型N 型 /P 型N 型 /P 型号能电阻率0.5 .cm 3.5 .cm /1.0 .cm3.0 .cm氧含量 20ppma碳含量1.0ppma2020 年 4 月 19 日切片前全电子卡尺检晶万能角规锭尺寸测厚仪抽/ 千 检分 表截取显微镜晶锭头尾型号仪部2mm电阻率测样片试仪进行FTIR 氧测碳含量测试 . 。试仪退火6