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1、；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY2014考研华东师范大学906半导体物理学冲刺重点背诵主讲：王维集宙竽毎卿欝丰虽兮温二碧U凰亦令現曲率輩/壬审剝¥帥书 兮温一碧q.uoq.uoQ；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY环学生辱円令;巧H与 lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； 、关于华师大信息科学技术学院电子工程系厂计算机科学技术系信院计算中心I 通信工程系L 电子工程系电子工程系拥有电子科
2、学与技术一级学科博士后流动站,在“微电子学与固体电子学“、“物理电子学"和“电磁场与微波技术“三个二级学科点具有博士学位授予权, 同时具有“集成电路工程“专业硕士学位授予权。“微电子学与固体电子学为上海市 重点学科。形成兼具电子电路、微电子学、半导体材料与器件、光电子学以及材料物理 等交叉综合的电子工程专业与工程类办学模式。；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY、关于华师大信息科学技术学院电子工程系师资力量一由1名中科院全职院士、2名国家杰出青年基金获得者、4名紫江学者、 1名上海市东方学者特聘教授和一批年富力强、锐意进取的教授、副教授及讲
3、师组成的 教学科研梯队。全系现有博士生导师21人,其中教育部新世纪优秀人才5人 上海市优 秀学术斛）带头人1人、上海市曙光学者4人以及上海市启明星获得者2人等。实践基地极化材料与器件教育部重点实验室:稀磁半导体和窄禁带半导体的自 旋极化物理电子学；铁电薄膜和宽带隙半导体的极化效应；新型维纳极化电子器件和硅 基戦；极化頤鈕电子信息获取制交叉。；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY一、近十年咼频考点串讲通过总结和梳理历年真题，对真题中的高频考点进行系统的串讲，帮 助考生明确冲刺阶段的复习重点,加深对知识的理解,调整复习方向。学长的话：半导体物理学知识点多
4、，难点多，你不可能掌握这本 书（前十章）80%的内容。但你却能凭借这W80%的知识考取130+的 成绩，为什么？因为出题人！因为试卷的重复性!EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY二、近十年高频考点串讲试卷结构（150分）XZl"KGOi lLl考试琥来点点名词解释4x4=16 分二、填充题 2x8=16分三、简答题8x7=56分四、讨论和计算题62分；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高频考点串讲名词解释25个概念迁移率、（准）费米能级、有效质量、电子亲和能/功函数、本征激发/本征跃迁/本征半导体、势垒电容/扩散
5、电容、隧道击穿/雪崩击穿、耿氏效应、光生伏特效应、霍尔效应、（pn结）空间电荷区、俄歇复合洱畐射复合、（MIS ）平带电压、光电导、施主/受主、（非）简并半导体、等电子杂质、 非羽斷载流子考查的是严格意义上的走义、物理含义、工作原理,不容胡扯。理解后背、默!近十年高频考点串讲名词解释 分两类俄歇复第一类：书上有准确严格定义的,简单的一句话，如迁移率、 合、电珞和能。 迁移率：单位场强下载流子的平均漂移速度,单位计/V.s或cm2/V.s。 俄歇复合：非平復亍载流子在复合过程中将能量给予其他载流子增加其动能的复合方式。电子亲和能：表示要使半导体导带底的电子溢出到真空中所需的最小能量。；Ki lL
6、l考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高频考点串讲名词解释 分两类第二类：需要总结概括的,包括意义原理等,如”有效质量"、”费米能 级、光生伏特效应、势垒电容。 有效质量：它概括了物理意义 费米能级：即系统的化学式,它表示当系统处于热平衡公式意义上理解 光生伏特效应：当用适当波长的光照射工作原理势垒电容：当pn结上外加正压时形成机制；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高频考点串讲名词解释老师的话：名词解释这块比较简单，当然前提建立在你对这不到三 十个名词的理解与记忆。记住了多默几遍，得分应该没问
7、题。请注 意，考虑到答题区很大，多写点是个技巧，像“势垒电容”，把原 理写出来比书上给出的总结性的概念好。此外关于会不会出新名词, 凭学长的经验，有可能，但限制在一个。；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高频考点串讲填充题 考查概念、推论、特点、原理、条件、小计算。 本征半导体是指_的半导体,其费米能级通常位于禁带。 纯净半导体霍尔系数通常_于零；若一种材料的霍尔系数等于零，该半 导体通常是_。 肖特基势垒二极管相对于pn结二极管来说具有的两个特点o 对于导带为双能谷的半导体，当能量较高的子能谷曲率于能量较低的 子能谷的曲率，有可能观察到负微
8、分电导现象，因为能量较高的子能谷的 电子迁移率于较低子能谷的迁移率。 通常所谓的理想MIS结构应该满足三个条件_o 已知Si的禁带宽度为1.12eV ,则本征光吸收的长波限为(um)o近十年高频考点串讲填充题老师的话：填充题这块也相对简单，考查的就是一些基本理论，包括概念、推论、特点、原理、条件、小计算，考点较细但重复率挺高，把近十年试卷上的填充题都掌握了，12T4分也到手了。剩下的2-4分看个人平时的积累，老师建议剩下的这段复习时间不必花在追求这2-4分上面。；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高频考点串讲简答题简答题这部分相对难点,因为简
9、答题考查的范围比较广泛且考查知识点较深，答题要答到点子上,字数也写的比较多。通常考查名词解释形成机制原因分析公式考查结构特点画能带示意图。下面分别就这六方面进行指点。近十年高频考点串讲简答题名词解释 什么是肖特基二极管？它与pn结二极管相比有什么特点。 半导体中载流子的迁移率和扩散系数的意义是什么？两者有什么关系? 试分析半导体中的补偿效应。何谓欧姆接触?如何在金属与半导体间形成欧姆接触?；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高频考点串讲简答题形成机制 试分析p-n结中光生伏特效应的形成机制。 试分析半导体中主要的发光机制。 半导体中的载流子有
10、明晒种不同的运动机制？试对其做简单分析。试分析理想M IS结构中反型层形成条件。；Ki lLl考试琥来点点EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY近十年高频考点串讲简答题原因分析 影响Si半导体中电子迁移率的因素主要有明陛?试简单分析。 pn结的接触电势差与那些因素有关？试对其作简单分析。 试分析实际pn结在反向偏压下偏离理想情况的主要因素。 试解释重掺杂半导体中实际禁带宽度变窄的原因。 为什么在硅的回旋共振实验中沿不同方向可以观察到不同的吸收峰？ 为什么掺金可以改变Si中非平衡载流子的寿命?近十年高频考点串讲简答题公式考查试写出半导体中描述非平衡空穴变化规律的一维连续性方程，
11、并指出每项意义。）硅半导体中导带底电子状态密度有效质量由哪几个因素决定，试简单分 析。呼翱瀏更卑黑曲划皆耒s«9、!S¥兮黑呼制與誓WM!一牡!宙耳翱欝也lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； 环学生辱円令;巧H与 lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； 近十年高频考点串讲简答题画能带示意图 试画出金属和p型半导体接触时的能带示意图（Wm<Ws ）试画出金属和n型半导体接触时的能带示意图（Wm>Ws ）lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； 葩股弼牡!宙耳叠黒丰虽一切以近十年真题为主!lUOD-UDipiqSOC>|" Ji； EAST CHINA NORMAL UNIVERSITY祝大家取得好庆绩
2014考研华东师范大学《906半导体物理学》冲刺重点背诵
