用NMOS管实现电源反接保护电路带仿真技术研究

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用NMOS管实现电源反接保护电路一：基本电路及优化电路（适合更高电压、优化性能等）二：原理正接时候，电路提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。三：使用要点1. mos栅耐压一般正负20V，所以一般只能应用于12V以下电路，否则就要加一个分压电路，稳压管限流电路根据输入电压、稳压管值、及管压管功率计算。一般在1K-20K之间。2. 不适用于无软启动的前级，这点特别重要！MOS管GS有沟道电容，虽然容量很小！但一上电时还是有一段GS电压上升时间，如在上升过程中你的前级启动了，并电流上升超过MOS管的Di/Dt则会损坏MOS！3. 可在D与S这间并一个0.1uF CBB电容防止开通时产生尖峰。4. 电流不够时可并接多个MOS管, 耐压不够时用可选择更高耐压的MOS管。5.可在负载上反并二极管，并在电源中串接合适的保险管，使之更可靠。作用是防止mos管击穿让电流通过二极管熔断保险丝来保护负载。6.想要控制正极，可选用P-MOS管。四：仿真结果（电源正接时，向负载供电；电源反接时，载止供电）3网络#借鉴

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