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1、双极型半导体三极管的特性曲线 这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。 输入特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。图02.04 共发射极接法的电压-电流关系 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它
2、与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。(1) 输入特性曲线 vCE的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即vCE对iB的影响 。 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当vCE1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。曲线的右移是三极管内部反馈所致，右移不明显说明内部反馈很小。输入特性曲线的分区：死区 非线性区 图02.0
3、5 共射接法输入特性曲线 线性区 (2)输出特性曲线 共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0，VGS=0， ID不等于零。不等于零。（2）VGS0时，时，ID 。（3）VGS0时，时，ID 。图图 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET的结构的结构 (a) 结构示意图结构示意图 (b) 转移特转移特性曲线性曲线 图图02.17 N沟道耗尽型沟道耗
4、尽型MOSFET的结构的结构 和转移特性曲线和转移特性曲线 (2)N(2)N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFETMOSFET (3)(3)P沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET P沟道沟道MOSFET的工作原理与的工作原理与N沟道沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有同双极型三极管有NPN型和型和PNP型一样。型一样。 图02.18 各类场效应三极管的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型伏安特性曲线伏安特性曲线绝缘栅场效应管 N沟道耗尽型P 沟道耗尽型结型场效应管 N沟道耗尽型P
5、沟道耗尽型2.2.4 2.2.4 场效应三极管的参数和型号场效应三极管的参数和型号(1) 场效应三极管的参数 开启电压开启电压VGS(th) (或或VT) 开启电压是开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。场效应管不能导通。 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。 输入电阻输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时结型场效应三极管，反偏时RGS约大于约大于107，对于，对于绝缘栅型场效应三极管绝缘栅型场效应三极管, RGS约是约是1091015。 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。
三极管特性曲线参数及场效应管
