电子电气元器件说明大全

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1、电阻器、电容器、电感器和变压器图形符号名称与说明图形符号名称与说明电阻器一般符号电感器 线圈、绕组或 扼流图。注：符号中半 圆数不得少于3个可变电阻器或 可调电阻器带磁芯、铁芯的电感器滑动触点电位器带磁芯连续可调的电感 器极性电容双绕组变压器注：可 增加绕组数目可变电容器或 可调电容器双联同调可变电容器。注：可增加同调联 数微调电容器绕组间有屏蔽的双绕组 变压器注：可增加绕 组数目在一个绕组上有抽头的 变压器图形符号名称与说明图形符号名称与说明二极管的符 号(1)TJFM玷型场效放管(1)N沟道(2)P沟道发光二极管半导体管光电二极管PNP型晶体三 极管稳压二极管NPN型晶体三 极管变容二极管

2、全波桥式整流 器三.其它电气图形符号图形符号名称与说明图形符号名称与说明具有两个电 极的压电晶 体注：电极数 目可增加或接机壳或底板熔断器导线的连接指示灯及信 号灯导线的不连接扬声器动合（常开）触点开关蜂鸣器动断（常闭） 触点开关接大地手动开关电阻器和电位器1 .电阻器和电位器的型号命名方法表1电阻器型号命名方法第一部分：主 称第二部分：材 料第三部分：特征分类第四部分：序 号符号音义符 号音义符 号音义/0、电阻器电位器R电阻器T碳膜1普通普通对主称、材 料相同，仅性 能指标、尺寸 大小有差别，W电位器H合成膜2普通普通S有机实芯3超高频N无机实芯4高阻J金属膜5士：目向/皿Y氧化膜6C沉积

3、膜7精密精密1玻璃釉膜8高压特殊函数但基本不影响 互换使用的产 品，给予同一 序号；若性能 指标 尺寸大 小明显影响互 换时，则在序 号后面用大写 字母作为区别 代号。P硼碳膜9特殊特殊U硅碳膜G高功率1X线绕T可调M压敏W微调G光敏D多圈R热敏B温度补偿 用C温度测量 用P旁热式W稳压式Z正温度系 数示例:第三部分：类别（精第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）（2）多圈线绕电位器D| 3第四部分：序第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2 .电阻器的主要技术指标（1）额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的 最大功率

4、称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作 时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类 型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。表2电阻器的功率等级名称额定功率（w ）实芯电阻器0.250.5125线绕电阻器0.5251352506751010015150薄膜电阻器0.02520.0550.125100.25250.5501100（2）标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。标称值系列精度电阻器

5、（） 电位器）、电容器标称值pF） ZE245%1.02.24.71.12.45.11.22.75.61.33.06.21.53.36.81.63.67.51.83.98.22.04.39.1E1210%1.03.31.23.91.54.71.85.62.26.82.78.2E620%1.01.52.23.34.76.88.2表中数值再乘以10%其中n为正整数或负整数（3）允许误差等级表4电阻的精度等级允许误差（%）0.0010.0020.0050.010.020.050.1等级符号EXYHUWB允许误差（%）0.20.51251020等级符号CDFGJ（I）K（II）M3 .电阻器的标志内容

6、及方法（1）文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标 称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示 第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如 1R5 表示 1.5 , 2K7 表示 2.7k ,表5文字符号RKMGT表示单位欧姆()千欧姆(103)兆欧姆(106)千兆欧姆(109)兆兆欧姆(IO?例如:RJ71 -0.125 -5k1 -II允许误差10%标称阻值(5.1k)额定功率1/8W由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W,标称阻值为5.1k, 允许误差为10% O色标法：色标法是将电阻器

7、的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环 或伊占)标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标 法。其含义如图1和图2所示。标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个允许误差颜色倍率允许偏差第一位有效值第二位有效值0010。棕11101红22102橙33103黄44104绿5510蓝66106紫77107灰88108白99-20%- +50%金10 15%银10 210%无色20%图1两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为20%）。例如，色环 为棕黑红,表示 10 102=1.0k20%的电阻器。四色环电阻器的色环

8、表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15 10 3= 15k5%的电阻器五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275 104=2.75M1%的电阻器。一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距 离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.52） 倍。有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借 助万用表判断。标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值第三位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差III颜色第一位有效 值第一位有效 值第二位有效 值倍率允许偏差/1

9、100010棕1111011%红2221022%橙333103黄444104绿5551050.5%蓝6660.25紫7771070.1%灰888108白999109金10 1银10 210 _图2三位有效数字阻值的色环表示法4 .电位器的主要技术指标额定功率电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注 意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。标称阻值标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。允许误差等级实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许20%、10%、5%、2%、1%的误差。精密电位器的精度可达0.1%。（4）阻值变化规律指阻值随滑动片触点旋转角度（或

10、滑动行程）之间的变 化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对 数式（指数式）在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合 于作收音机 录音机 电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品， 可用直线式代替，但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。5 .电位器的一般标志方法WT - 2 3.3k 10%允许误差10% 标称阻值3.3k 额定功率2WWX碳膜电位器1 510 J允许误差5%标称阻值510 额定功率1W线绕电位器电容器1 .电容器型号命名法表6电容器型号命名法第一部 分：主称第二部分： 材料第三部分：特征、分类

11、第四部分： 序号符 号意 义符号章义符 号章义瓷介云母玻 璃电解其他电容 器C瓷介1圆片非密 封一Zr/r-IX 洎式非密 封对主称材料相 同，仅尺寸、性 指标略有不同， 但基本不影响互Y云母2管形非密 封一A-A-IX箔式非密 封I玻璃釉3迭片密封一烧结粉 固体密封使用的产品，给 予同一序号；若 尺寸性能指标的 差别明显；影响 互换使用时，则 在序号后面用大 写字母作为区别 代号。O玻璃膜4独石密封烧结粉 固体密封Z纸介5穿心一一穿心J金属 化纸6支柱一B聚苯 乙烯7一一无极性一L涤纶8高压高压一一，高压Q漆膜9特殊特殊S聚碳 酸脂J金属膜H复合 介质W微调D铝A但N银G合金T钛E其他示例：

12、（1）铝电解电容器C D 1 1第四部分：序号第三部分：特征分类（箔式）第二部分：材料（铝）第一部分：主称（电容器）（2）圆片形瓷介电容器CC 1- 1第四部分：序号第三部分：特征分类（圆片）第二部分：材料（瓷介质） 第一部分：主称（电容器）纸介金属膜电容器CZ JX第四部分：序号第三部分：特征分类（金属膜）第二部分：材料（纸介）第一部分：主称（电容器）2 .电容器的主要技术指标电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V, 10V, 16V, 25V, 40V , 63V , 100V , 160V , 250V , 400V o电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。

13、表7容许误 差2%5%10%20%+20%-30%+50%-20%+100%-10%级别0.2IIIIIIIVVVI标称电容量：表8固定式电容器标称容量系列和居许误差系列代E24E12E6号容许误 差5% （D 或（J）10% ( II)U.(K)20% (III)或 (m)标称容 量对应 值10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56 ,62,68,75,82,9010,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,8210,15,22,23,47 ,68注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10s其中n为正

14、整数或负整数, 单位为pF3.电容器的标志方法（1）直标法 容量单位：F （法拉）、F （微法）、nF （纳法）、pF （皮 法或微微法）。1法拉=1O微法=代史微微法，1微法=is纳法=io微微法1纳法=15微微法例如：4n7 表示4.7nF或4700pF , 0.22 表示0.22 F, 51 表示 51pF o有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100pF；用小于1的数字表示单位为F的电容，例如0.1表示0.1 Fo（2）数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pFo前两位为有效数字，后一位表示位率。即乘以10、i为第三位数字，若第三位数字9,则 乘

15、IO-。如 223J 代表 22 10 3pF =22000pF =0.22 F,允许误差为 5%；又如479K代表47W1pF,允许误差为5%的电容。这种表示方法最为常 见。（3）色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三 环 为位率，单位为pFo有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表 示 22000pFo三.电感器1 .电感器的分类常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流 圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属 电感器种类。2 .电感器

16、的主要技术指标(1)电感量：在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即：式中：=磁通量1 =电流强度固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统 称为电感器的固有电容。(3)品质因数：电感线圈的品质因数定义为：Q式一工作角频率，L一线圈电感量，R 一线圈的总损(4)额定电流：线圈中允许通过的最大电流。 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。2.电感器电感量的标志方法（1）直标法。单位H （亨利）、mH （毫亨）、H（微亨）、 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。色码表示法。这种表示法也与电阻器

17、的色标法相似，色码一般有四种颜 色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为H ,第四种颜色是误差位。四.半导体分立器件1.半导体分立器件的命名方法1）我国半导体分立器件的命名法表9国产半导体分立器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四 部分第五部 分用数字表 示器件电 极的数目用汉语拼苜字 母表示器件的 材料和极性用汉语拼音字母 表示器件的类型数表器序用 字示件号汉拼表规的 别符意义符意义符意义符意义号号23一树 管三极 管EDCBA DCBAN刑.错材料P型.倍材 料N型.硅 材料P型.硅材 料PNP 型.错材料NPN 型， 错材料PNP M 硅材料 NPN 型 硅材料 化合物材G

18、 XKUNSLZCWV、P普涌曾 微波管 稳压管4x B A1A- 参军官 整流管 整流推 隧道管 阳尼管 务电器件 开关管 低频小功 率管(f3MH乙 Pcv1W) 高新小功率管(f3MHz Pc1W)DAT伟骊大功 率管(t 3MHz, Pc1W) 高师大功 率管(t3MHz Pc1W) 半导体闸 流管 何治硅整佳品流器) 体效应器 件 雪崩管 阶跃恢复 管 场效应器 q漆特 复靠PIN 型管激光 器件1)褚材料PNP型低频大功率三极管:2)硅材料NPN型高频小功率三极管:3 D G 201 B规格号功率低频大功率低频大例:错材料PNP型、错材料PNP 型、三极管三极管3） N型硅材料稳压

19、二极管：4）单结晶体管:2 C W| 513 E 序号率N型、硅材料极二极规格号耗散功三个电特种管半导体2）国际电子联合会半导体器件命名法表10国际电子联合会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表不 使用的材料用字母表示类型及主要特性用数字或字 母加数字表 示登记号用字母对同 一型号者分 档符音义符音义符音义符音义符音义号号号号号检波 开关M封闭磁路A错材A和混频二中的霍尔通用半料极管元件导体器B变容二极MrP光敏元件件的登官位记序号低频小功同一硅材C率三极管Q发光器件数 字（同一类型器AB型号B低频大功C D器件料D率三极管R小功率可件使用E按某控硅同一登记号）一参E隧

20、道二极S小功率开数进C神化管关管行分高频小功档的铉F率三极管T大功率可个专用半标志控硅字导体器复合器件母件的登锚化AmG及其它器U大功率开加记序号D件关管两（同一钿H磁敏二极X倍增二极位类型器管管数件使用开放磁路字同一登复合K中的霍尔Y整流二极记号）R材料元件管高频大功稳压二极L率三极管Z管即齐纳二极管示例（命 名）：A F 239 SAF239型某一参数的S档普通用登记序号高频小功率三极管倍材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1）这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并 且第一个字母是A, B, C, D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或 是按欧洲某一厂家专利生

21、产的产品。2）第一个字母表示材料（A表示楮管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）o3）第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D 表 示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若 记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一 见便知是硅大功率专用三极管。4）第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位 数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如， AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。5）第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或Nf）进行分档。6）型号中的符号均不反映器件的

22、极性（指NPN或PNP） o极性的确 定需查阅手册或测nn个PN结 器件例:1) JAN2N29042) 1N4001JAN 2 N 29041 N 4001EIA登记序EIA注册标 志三极管军用品EIA登记序 号EIA注册标志二极管2.常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类 型参数型O最大 整流 电流 /m A正向 电 流 /m A正向 压降（在左 栏电 流值 下）/V反向 击穿 电压 /V最高 反向 工作 电压 /V反向 电流/A零 偏 压 电 容 /pF反向恢 复时间 /ns通 检 波极 管2AP9162.5140202501fH(MH z)1502AP75150100

23、2AP1125101102501fH(MH z)402AP171510100错开关 二极管2AK11501301032002AK240202AK52000.9604021502AK10101705021502AK132500.760402AK147050硅 开2CK70AE100.8AA3关极 管2CK71AE2030 B45C60D75E9020B30C40D50E601.542CK72AE30152CK73AE5012CK74AD1002CK75AD1502CK76AD200类 型参数型o最大 整流 电流/mA正 向 电 流/m A正向 压降（在左 栏电 流值 下）/V反向 击穿 电压/V

24、最演 反向 工作 电压/V反向 电流/A零 偏 压 电 容/pF反向恢复 时间/ns整 流极 管2CZ52BH20.1125600同2Ap普 二极管2CZ53BM60.315010002CZ54BM100.515010002CZ55BM20115010002CZ56B B6530.82510001N400140073011.150100051N53915399501.51.4501000101N5400540820031.2501000103 .常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数参数型号不重复正 向浪涌电 流/A整流 电流 /A正向 电压 降/V反向漏电/A反向工作电压/V最高

25、工作 结温/OCQL110.051.210常见的分档为：25, 50, 100, 200 , 400 ,130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201600 , 700 ,800,900 , 1000QL740215QL86034 .常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数测试条件型数O工作电流 为稳定电 流稳定 电压 下环境温 度50 稳定 电流 下稳定电 流下环境温 度-10-15lc = 4mABVebo(V)-7-10lE = 4mA直流 参数ICBO(A)3015Vcb = 6VICEO(A)1000700Vce = -6VIebo(A)3015Veb=

26、-6VVbes(V)0.60.6Vce= -1V I c= 175mAVces(V)0.650.65Vce = VbeVcb= 0 lc = 200mAhFE40-27040-270Vce= -1V I c= 175mA交流参数f (kHz)68Vcb = 6V lE=10mAhFE色标分档（黄）40-55 （绿）5580 （蓝）80120 （紫）120180（灰）180270 （白）270400管脚BEC3) 3BX31型NPN型错低频小功率三极管表18 3BX31型NPN型错低频小功率三极管的参数型号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测试条件极限 参数PcM（mW）12512

27、5125125Ta=25 lcM（mA）125125125125TjM （）75757575BVcbo （V）-15-20-30-40lc= 1mABVceo（V）-6-12-18-24lc= 2mABVebo（V）-6-10-10-10Ie= 1mA直流参ICBO（A）2520126Vcb=6VICEO（A）1000800600400Vce = 6V数Iebo（A）2520126Veb=6VVbes（V）0.60.60.60.6Vce = 6V lc= 100mAVces（V）0.650.650.650.65Vce = Vbe Vcb =0 lc =125mAhFE80-40040-1804

28、0-18040-180Vce = 1 V lc= 100mA交流 参数f（kHz）8f465Vcb = -6VIe= 10mAhFE色标分档（黄）4055 （绿）5580 （蓝）80-120 （紫）120180（灰）180270 （白）270400管脚BEC3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管表19 3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A3DG10 OB3DG10OC3DG10 OD极 限 参Pcm （mW）100100100100lcM（mA）20202020数BVcbo(V)30403040lc= 100 14

29、ABVceo(V)20302030lc= 100 |1ABVebo(V)4444Ie= 100 A直 流参 数ICBO(A)0.010.010.010.01Vcb=10VICEO(A)0.10.10.10.1Vce=10VIebo(A)0.010.010.010.01Veb=L5VVbes(V)1111lc=10mA lB=1mAVces(V)1111lc = 10mA Ib=1fhAhFE30303030Vce = 10V lc = 3mA交 流 参 数fT(MH z)150150300300Vcb =10V Ie = 3itiA f =100MHz Rl = 5Kp(dB)7777Vcb

30、=-6V lE = 3mA f =100MHzCob (pF )4444Vcb =10V Ie = 0hFE 色标分档(红)3060(绿)50110 (蓝)90160 (白)150管脚EC(5)3DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管 表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG12测试条件新型号3DG13 0A3DG13 OB3DG13 OC3DG13 0D极 限 参 数Pcm (mW)700700700700Icm (m A)300300300300BVcbo(V)40604060lc= 100 |1ABVceo( V)30453045l

31、c= 100 |1ABVebo( V)4444Ie=100 A直 流 参 数ICBO(A)0.50.50.50.5Vcb=10VICEO(A)1111Vce = 10VIebo(A)0.50.50.50.5Veb=1.5VVbes(V)1111lc = 100mA lB = 10mAVces(V)0.60.60.60.6lc = 100mA Ib = 10itiAhFE30303030Vce=10V lc= 50mA交 流 参 数fT(MH z)150150300300Vcb = 10VlE = 50mAf =100MHz R l= 5Kp(dB)6666Vcb= - 10V lE = 50m

32、A f=100MHzCob (pF)10101010Vcb =10V Ie = 0hFE色标分档(红)3060 (绿)50110 (蓝)90-160 (白)150管脚EC901M9018塑封硅三极管表21 9011 9018塑封硅三极管的参数型号(3DG)9011(3CX) 9012(3DX) 9013(3DG)9014(3CG) 9015(3DG) 9016(3DG) 9018极 限 参 数PcM(m W)200300300300300200200Icm (m A)203003001001002520BVcbo( V)20202025252530BVceo( V)18181820202020

33、BVebo( V)5554444直ICBO( A)0.010.50,50.050.050.050.05流参 数ICEO（A）0.1110.50.50.50.5Iebo（A）0.010.50,50.050.050.050.05Vces（V）0.50.50.50.50.50.50.35Vbes（V）111111hFE30303030303030交 流 参 数fT（MH Z）1008080500600Cob （pF ）3.52.541.64Kp（dB）10hFE色标分档（红）3060 （绿）50-110 （蓝）90560 （白）150管脚EBC6.常用场效应管主要参数表22常用场效应三极管主要参数参

34、数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04DHDHDHDHDHDHDH饱和漏源电流 iDss(mA)0.3-100.3-100.3-100.35-1.80.35-100.35250.35-10.5夹断电压Vgs(V)1-91-91-9200020001000300 0100040002000最大漏源电压 BVds(V)202020202012-2020最大耗散功率 Pdni (mW)10010010010010025-100100栅源绝缘电阻 gs()1081081081081081。8109100管脚g或DSDSG五.模拟集成电路1 .模拟集

35、成电路命名方法(国产)表23器件型号的组成第。部分第一部分第二部 分第三部分第四部分用阿拉m I-1-1用用_用字母表示器件母表示字母表示器件器件符合国伯数字器件 ,的类型的工作的封装家标准表示器、日/皿-w- rzgn符音义符意义件的系符 意义符意义号列和品号号种代号C中国制 造TTTLHHTLEECLCCMOSF线性放大器D音响、电视电 路W稳压器J接口电路C0-70 W陶瓷扁平E-40-8 5B塑料扁平R-55-8 5F全封闭扁平M-55-125D陶瓷直插P塑料直插J黑陶瓷直插K金属菱形T金属圆形例：C F 741 C T金属圆形封装0 0 - 70 器件代号线性放大器中国国家标准2.国

36、外部分公司及产品代号表24国外部分公司及产品代号公司名称代号公司名称代号美国无线电公司(BCA)CA美国悉克尼特公司(SIC)NE美国国家半导体公司 (NSC)LM日本电气工业公司(NEC)PC美国莫托洛拉公司 (MOTA)MC日本日立公司(HIT)RA美国仙童公司(PSC)A日本东芝公司(TOS)TA美国德克萨斯公司(TII)TL日本三洋公司(SANYO)LA, LB美国模拟器件公司 (ANA)AD日本松下公司AN美国英特西尔公司(INL)IC日本三菱公司M3 .部分模拟集成电路引脚排列(1)运算放大器，如图3所示：音频功率放大器，如图所示：正输调抑 抑电 自制制输电出零纹入空源举纹空端脚输

37、电衬补补负出源底偿端地地2.LLI 而图4LM876514 13 1211 1098LM741LA410012341234567调负正负空零输输电偿反脚端入入 源，山，山7y中，而而愦，山 ，山而 乂而，山而图3(3)集成稳压器，如图所示:3171 23输出图54 .部分模拟集成电路主要参数A741运算放大器的主要参数表25 A741的性能参数电源电压+Ucc-U +3V+18V,典型EE值+15V工作频率10kHz-3V-18V ,-15V输入失调电压Uio2mV单位增益带宽积1MHzAu? BW输入失调电流Iio20nA转换速率Sr0.5V/ S开环电压增益Auo106dB共模抑制比CMR

38、R90dB输入电阻R2M功率消耗50mW输出电阻Ro75输入电压范围13VLA4100、LA4102音频功率放大器的主要参数表26 LA4100-LA4102的典型参数参数名称/单位条件典型值LA4100LA4102耗散电流/mA静态30.026.1电压增益/dBRnf=220 , f =1kHz45.444.4输出功率/WTHD =10% , f=1kHz1.94.0总谐波失真100Po = O.5W , f=1kHz0.280.19输出噪声电压/mVRg = O, Ug = 45cIB0.240.21注：+U cc = +6V(LA4100)+U cc = +9V(LA4102) R l=8(3) CW7805 x CW7812、CW7912、CW317集成稳压器的主要参数表 27CW78, CW79 , CW317 参数参数名称/单位CW7805CW7812CW7912CW317输入电压/V+10+19-1940输出电压范围/V+4.75+5.25+11.4-+12.6-11.4-12.6+1.2+37最小输入电压/V+7+14-14+3 Vi-V o +40电压调整率/mV+3+3+30.02%/V最大输出电流/A加散热片可达1A1.5