天大微电子考研真题

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1、本人整理了天大微电子考研初试96-13年真题，近四年复试真题，13年初复试真题全部为自己从考场带出，此外还有自己整理的初试半导体物理笔记，复试四本书笔记 ，以及其他一些收集到的资料。这些资料全是自己自己考研时整理的，对于微电子专业课复习是必须的，其他一些所谓的 期末考试题之类的 和考研试题考查范围不同，如需要联系 扣扣 ：1561100132009年天津大学硕士研究生入学考试半导体物理学试题 一.名词解释1 有效质量2 杂质补偿3 简并半导体4 准费米能级5 热载流子6 砷化镓负阻效应7 势垒电容和扩散电容8 三种击穿之一9 异质结10 掺金作用2 从能带结构角度说明导体、半导体、绝缘体导电机

2、理的不同3 推导证明本征半导体费米能级基本在禁带中线处，并分析当温度变化，费米能级如何变化4 解释电阻率随温度变化（课本P126）五计算：光照射n型单晶硅，均匀产生非平衡载流子，产生率gp=5x1019/cm3，p=1us，无表面复合（1） 光照开始后，非平衡少子随时间t的变化规律（2） （2）稳态后非平衡载流子的浓度6 （1）画图说明PN结正偏时能带的变化（2）解释正偏时正向电流的形成。七.解释n型MOS在积累区，耗尽区，反型区的电容随电压的变化。 画出CV特性在低频和高频的曲线图。8 （1）利用泊松方程推导突变结势垒区电势（2） 突变结势垒宽度计算9 给定数据计算电子亲和能并判断接触类型10 异质结加大正向电压能带图十一推导光电池电流电压方程部分文档在网络上收集，请下载后24小时内删除，不得传播，不得用于商业目的，如有侵权，请联系本人。谢谢