《光电技术》考试大纲课件

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1、一、题型及分数一、题型及分数光电技术光电技术考试大纲考试大纲选择选择1010题题102102填空填空1010题题301301简答简答4 4题题4646计算计算2 2题题2828设计设计1 1题题110110二、考核范围及内容二、考核范围及内容(一一)各章基本概念的记忆、理解及辨析各章基本概念的记忆、理解及辨析(即选择、填空部分即选择、填空部分)第一章第一章光电系统的常用光源光电系统的常用光源1、为了对光辐射进行定量描述，需引入、为了对光辐射进行定量描述，需引入计量光辐计量光辐射射的物理量，有两套体系：的物理量，有两套体系：辐射度辐射度单位体系和单位体系和光度光度单位体系。单位体系。2、人眼只能

2、感知波长、人眼只能感知波长0.380.78m的辐射，故称的辐射，故称这个波段为这个波段为可见光可见光.在可见光范围内，人眼对不同波在可见光范围内，人眼对不同波长的长的感光灵敏度感光灵敏度也也不同不同。对绿光最灵敏，对红、蓝。对绿光最灵敏，对红、蓝光灵敏度较低。国际照明委员会（光灵敏度较低。国际照明委员会（CIE）根据对许多）根据对许多人的大量观察结果，确定了人的大量观察结果，确定了人眼对各种光波长的相人眼对各种光波长的相对灵敏度对灵敏度，称为，称为光谱光视效率光谱光视效率，或称，或称视见函数视见函数。3、光通量、光通量单位：流明（单位：流明（lm）；发光强度；发光强度单位：单位：坎德拉坎德拉（

3、candela，记为记为cd）.4、卤钨灯点燃后，、卤钨灯点燃后，高温下卤素化合物释放出溴或高温下卤素化合物释放出溴或碘，与灯丝蒸发出的钨在温度较低的泡壳附近化合，碘，与灯丝蒸发出的钨在温度较低的泡壳附近化合，形成卤化钨扩散到高温灯丝附近，又分解，使钨分形成卤化钨扩散到高温灯丝附近，又分解，使钨分子又有很高的机率重新粘在灯丝上。此过程称为卤子又有很高的机率重新粘在灯丝上。此过程称为卤钨循环钨循环。灯的寿命可达几百小时。灯的寿命可达几百小时。5、气体在电场作用下激励出电子和离子，成为导气体在电场作用下激励出电子和离子，成为导电体。离子向阴极，电子向阳极运动，从电场中电体。离子向阴极，电子向阳极运

4、动，从电场中得到能量。它们与气体原子或分子碰撞时会激励得到能量。它们与气体原子或分子碰撞时会激励出新的电子和离子，也会使气体原子受激，内层出新的电子和离子，也会使气体原子受激，内层电子跃迁到高能级。受激电子返回基态时，就辐电子跃迁到高能级。受激电子返回基态时，就辐射出光子来。射出光子来。发光机制属气体放电。发光机制属气体放电。6、低压汞灯低压汞灯：主要辐射：主要辐射253.7nm，用作，用作紫外光源紫外光源。当。当在其管壳外再加一管壳，内壁在其管壳外再加一管壳，内壁涂荧光粉涂荧光粉，紫外光激发紫外光激发荧光粉发出可见光荧光粉发出可见光，这就是照明用的，这就是照明用的日光灯日光灯。7、受激辐射受

5、激辐射：处于高能态的原子，在自发辐射之前，处于高能态的原子，在自发辐射之前，受外来光子的诱发，在受外来光子的诱发，在E2跃迁到跃迁到E1的同时，发射一个的同时，发射一个与外来光子全同的（同方向、同频、同相位、同偏振）与外来光子全同的（同方向、同频、同相位、同偏振）光子。依次不断地得到大量特征相同的光子，就实现了光子。依次不断地得到大量特征相同的光子，就实现了相干光的放大相干光的放大。8、粒子数反转（前提条件）粒子数反转（前提条件）。实现反转的物质叫激活实现反转的物质叫激活介质（激光工作物）介质（激光工作物）。激活介质需要外界输入能量。外。激活介质需要外界输入能量。外界输入能量过程叫界输入能量过

6、程叫“泵浦泵浦”。激活介质本身必需要有适激活介质本身必需要有适当的当的能级结构能级结构。光学谐振腔（必要条件）光学谐振腔（必要条件）。阈值条件阈值条件（决定性条件）（决定性条件）只有当只有当光在腔内来回一次，增益大于损光在腔内来回一次，增益大于损耗才能产生激光耗才能产生激光.9、激光具有的、激光具有的高亮度、方向性好、单色性好和相干性高亮度、方向性好、单色性好和相干性好好的特点。它为光电技术提供了极好的光源。的特点。它为光电技术提供了极好的光源。10、染染料料激激光光器器的的主主要要优优点点是是：输输出出激激光光波波长长可可以以在在很很宽宽范范围围内内调调谐谐；有有极极好好的的光光束束质质量量

7、；激激光光谱谱线线宽宽度度很很窄窄，可可达达1050MHz线线宽宽；有有连连续续输输出出的的激激光光器器，也也有有脉脉冲冲输输出出的的激激光光器器；可可产产生生超超短短光光脉脉冲冲（从从皮皮秒秒量量级级到到飞飞秒秒量量级级）；激激光光能能量量转转化化效效率率高高达达50%，脉脉冲冲峰峰值值功率达几百功率达几百MW。11、电子共有化运动电子共有化运动：原来围绕一个原子运动的电子，：原来围绕一个原子运动的电子，现在可能转移到邻近原子的同一轨道上去。晶体中的电现在可能转移到邻近原子的同一轨道上去。晶体中的电子一方面围绕各自原子运动，又在原子间作共有化运动子一方面围绕各自原子运动，又在原子间作共有化运

8、动.12、能带：能带：共有化运动使得本来处于同共有化运动使得本来处于同一能量的电子发生了能量的微小差异。一能量的电子发生了能量的微小差异。因此，因此，晶体的能谱在原子能级的基础上晶体的能谱在原子能级的基础上分裂成能带分裂成能带。13、当对、当对PN结加上正向电压，正向电压基本结加上正向电压，正向电压基本上在结区，使势垒降低。此时载流子源源不上在结区，使势垒降低。此时载流子源源不断流过结区，热平衡破坏，不再是统一的费断流过结区，热平衡破坏，不再是统一的费米能级，米能级，PN结区实现了粒子数反转分布，这结区实现了粒子数反转分布，这就是光辐射的就是光辐射的有源区有源区。14、发发光光二二极极管管的的

9、结结构构也也是是半半导导体体PN结结，通通常常是是双双异异质质结结（同同型型异异质质结结p-p或或n-n和和反反型型异异质质结结p-n共共同同组组成成）。结结与与结结之之间间是是产产生生荧荧光光的的复复合合区区，叫叫有有源源区区。对对PN结结正正向向注注入入电电流流，P区区空空穴穴向向有有源源区区扩扩散散，N区区电电子子向向有有源源区区扩扩散散，结结果果电电子子与与空空穴穴在在有有源源区区复复合合，以一定频率的光能释放出来。以一定频率的光能释放出来。LED与与LD的的根根本本区区别别在在于于：LED发发光光是是基基于于自自发发辐辐射射，发发出出的的是是荧荧光光，是是非非相相干干光光；LD是是靠

10、靠两两端端解解理理面面为为谐谐振振腔腔起起反反射射作作用用来来提提供供光光的的反反馈馈，是是基基于于受受激激辐射，发射的是相干光辐射，发射的是相干光激光。激光。第二章第二章光辐射的调制光辐射的调制1、用数字或模拟信号（调制信号）改变光波（信用数字或模拟信号（调制信号）改变光波（信息载波）波形的幅度、频率或相位，使其按调制信息载波）波形的幅度、频率或相位，使其按调制信号规律变化，这种过程叫光辐射的调制。号规律变化，这种过程叫光辐射的调制。2、光辐射的调制，有内调制和外调制。内调制有光辐射的调制，有内调制和外调制。内调制有LD和和LED的直接调制；外调制有电光调制、声光的直接调制；外调制有电光调制

11、、声光调制、磁光调制等。调制、磁光调制等。3、可见，要、可见，要克服杂散光克服杂散光的干扰，需要利用的干扰，需要利用调制光调制光并配上适合的并配上适合的有源带通滤波器有源带通滤波器。4、介介质质在在外外加加电电场场的的作作用用下下，折折射射率率发发生生变变化化，因因而而使使光光通通过过介介质质的的传传输输特特性性也也发发生生变变化化，叫叫电电光效应光效应。5、折折射射率率的的改改变变与与外外加加电电场场大大小小成成正正比比的的电电光光效效应应称称线线性性电电光光效效应应（一一次次电电光光效效应应）或或泡泡克克尔尔斯斯效效应应（Pockels）。）。6、外外加加电电场场引引起起的的折折射射率率的

12、的改改变变与与电电场场强强度度的的平平方方成成正正比比。这这种种电电光光效效应应称称为为二二次次电电光光效效应应或或克克尔尔（Kerr）效应。效应。7、由于，、由于，光传播方向与电场方向一致光传播方向与电场方向一致，故这种电光，故这种电光效应称为效应称为纵向电光效应纵向电光效应。当当=，X、Y方向两个偏振光合成为线偏振光，方方向两个偏振光合成为线偏振光，方向与向与N1垂直。此时造成垂直。此时造成光程差光程差=/2所需的电压记为所需的电压记为V/2，称为半波电压称为半波电压，有：，有：8、光传播方向光传播方向（X轴）轴）与电场施加的方向与电场施加的方向（Z轴）轴）垂垂直，这种电光效应称为横向电光

13、效应直，这种电光效应称为横向电光效应。9、（横横向向电电光光效效应应）经经过过上上图图所所示示的的补补偿偿，两两偏偏振振光光的的相相位位差差为为：；故故当当=，半半波波电电压压为为：10、因因为为光光强强与与光光的的振振幅幅平平方方成成正正比比例例，所所以以电电光光强强度调制也称为电光振幅调制度调制也称为电光振幅调制。11、设、设外加调制电压外加调制电压可见，该电光相位调制器可见，该电光相位调制器的的输出光波受到相位调制输出光波受到相位调制。12、光波导是在电光材料光波导是在电光材料（通常是铌酸锂）（通常是铌酸锂）衬底上扩衬底上扩散折射指数较高的一种材料散折射指数较高的一种材料（通常是钛）而构

14、成。（通常是钛）而构成。在在波导两边做上电极，调制电压即通过电极加到光波导波导两边做上电极，调制电压即通过电极加到光波导上。上。由于光波导宽度极窄，远小于长度，所以由于光波导宽度极窄，远小于长度，所以半波电压很半波电压很小小，可为几伏。，可为几伏。13、超超声声波波是是一一种种纵纵向向机机械械应应力力波波（弹弹性性波波），它它在在声声光光介介质质中中传传输输时时会会引引起起介介质质密密度度发发生生疏疏密密交交替替的的变变化化，这就使得介质折射率也发生相应的变化。，这就使得介质折射率也发生相应的变化。14、受超声波作用的介质、受超声波作用的介质相当于一个衍射光栅相当于一个衍射光栅，光栅，光栅的间

15、距等于声波波长。当的间距等于声波波长。当光波通过此介质时，将被光栅光波通过此介质时，将被光栅衍射衍射。衍射光的强度、频率、方向等都随超声场变化。衍射光的强度、频率、方向等都随超声场变化。这就是声光效应。这就是声光效应。15、声光效应分为两种类型：、声光效应分为两种类型：喇曼喇曼-奈斯（奈斯（Raman-Nath）衍射和布喇格（衍射和布喇格（Bragg）衍射。衍射。16、磁场使晶体产生光各向异性，称为磁光效应磁场使晶体产生光各向异性，称为磁光效应。磁。磁光效应主要是光效应主要是法拉第效应法拉第效应。法拉第效应法拉第效应是光波通过磁是光波通过磁光介质、平行于磁场方向传播时，线偏振光的偏振面光介质、

16、平行于磁场方向传播时，线偏振光的偏振面发生旋转的现象，称为磁致旋光。发生旋转的现象，称为磁致旋光。17、以顺着磁场方向为基准以顺着磁场方向为基准，0：光矢顺时针旋转，：光矢顺时针旋转，叫右旋，对应介质称为正旋体；叫右旋，对应介质称为正旋体；105V/cm)，光光生生载载流流子子在在这这种种强强电电场场中中得得到到极极大大的的加加速速，碰碰撞撞晶晶格格原原子子使使其其电电离离，更更多多的的粒粒子子在在电电场场中中再再获获能能再再碰碰撞撞，引引发发出出PN结结内内电电流流急急剧剧倍倍增增(内内增增益益)，即即雪雪崩崩反反应应使使光电流放大。光电流放大。34、光电三极管和普通晶体管类似，也有电流放大

17、作、光电三极管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的用。只是它的集电极电流不受基极控制，而是受光控制集电极电流不受基极控制，而是受光控制。工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即需要工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即需要保保证集电极反偏置，发射极正偏置证集电极反偏置，发射极正偏置。35、光电三极管的工作有两个过程：、光电三极管的工作有两个过程：一是一是光电转换，二是光电流放大。光电转换，二是光电流放大。以以3DU型为例型为例:光光照照射射在在集集电电结结上上，产产生生电电子子-空空穴穴对对。由由于于集集电电结结反反向向偏偏置置，光光生生电电子子漂漂移移到到集集电电极极，空空穴穴

18、流流向向基基区区，这这就就是是光光电电流流I。光光生生电电动动势势使使基基极极与与发发射射极极间间电电压压升升高高，于于是是发发射射极极便便有有大大量量电电子子经经基基极极流流向向集集电电极极，使使光光电电流流得得以以放放大大。放放大大原原理理与与普普通通晶晶体体管管相相同同，I被被放放大大（晶晶体管电流放大系数）倍。体管电流放大系数）倍。由由此此可可见见，光光电电三三极极管管的的光光电电转转换换部部分分在在集集-基基结结内内进进行行，而而集集电电极极、基基极极、发发射射极极又又构构成成一一个个有有放放大大作作用用的的晶晶体体管管。因因此此，NPN光光电电三三极极管管可可用用图图所所示示的的简

19、简化化模模型型表表示示，它它由由一一个个硅硅光光电电二二极极管管和和普通晶体管组合而成。普通晶体管组合而成。36、控制电路、控制电路作光控继电器用的光电三极管工作在亮、暗两个状态，作光控继电器用的光电三极管工作在亮、暗两个状态，要求两个状态下转换的电信号差别大，使继电器灵敏而要求两个状态下转换的电信号差别大，使继电器灵敏而准确地工作。无基极引出线的硅光电三极管的突出特点准确地工作。无基极引出线的硅光电三极管的突出特点是无光照时集电极电流基本为零。故多用作是无光照时集电极电流基本为零。故多用作光控继电器光控继电器.（1）电流控制）电流控制光光电电三三极极管管的的光光电电流流是是晶晶体体管管的的基

20、基极极电电流流。在在亮亮、暗暗情情况况下下光光电电流流显显著著改改变变，使使晶晶体体管管分分别别处处于于饱饱和和、截截止止状态，使状态，使J动作。动作。（2）电压控制）电压控制光光电电三三极极管管与与R1分分压压，控控制制晶晶体体管管基基极极电电压压，使使晶晶体管导通或截止。体管导通或截止。37、光电耦合器是发光器件和光接收器件组合的一种器件。光电耦合器是发光器件和光接收器件组合的一种器件。它是以光作媒介，把输入端的电信号耦合到输出端它是以光作媒介，把输入端的电信号耦合到输出端.光电耦合器分为光电隔离器和光传感器光电耦合器分为光电隔离器和光传感器。38、光电倍增管由光窗、光电倍增管由光窗、光电

21、阴极光电阴极、电子光学系统电子光学系统、电子倍增系统电子倍增系统和阳极组成，如图所示。和阳极组成，如图所示。39、NEA光光电电阴阴极极与与常常规规光光电电阴阴极极相相比比，最最主主要要有有以以下下的优点：的优点：量子效率高；阈值波长能延伸到红外区量子效率高；阈值波长能延伸到红外区。40、暗电流一般指各电极都加上正常工作电压以后，阴暗电流一般指各电极都加上正常工作电压以后，阴极无光照时阳极的输出电流。极无光照时阳极的输出电流。阳极暗电流限制了可测的阳极暗电流限制了可测的直流光通量的最小值，同时它也是产生噪声的重要因素。直流光通量的最小值，同时它也是产生噪声的重要因素。光电倍增管中产生的暗电流的

22、因素较多，例如，阴极和光电倍增管中产生的暗电流的因素较多，例如，阴极和靠近于阴极的倍增极的靠近于阴极的倍增极的热电子发射热电子发射；阳极或其它电极的；阳极或其它电极的漏电；由于极间电压过高而引起的场致发射等。漏电；由于极间电压过高而引起的场致发射等。1、光电成象器件是指能够输出图像信息的一光电成象器件是指能够输出图像信息的一类器件类器件。它包括它包括真空成象器件真空成象器件和和固体成象器件固体成象器件两大类。两大类。真空成象器件真空成象器件又包括：变象管、象增强器、摄又包括：变象管、象增强器、摄象管。象管。变象管是使不可见光图像变为可见光图变象管是使不可见光图像变为可见光图像的器件像的器件，象

23、增强器是使微弱光图像变为可见象增强器是使微弱光图像变为可见光图像的器件光图像的器件，摄象管是使光学图像变为电视摄象管是使光学图像变为电视信号的器件信号的器件。固体成象器件固体成象器件是通过特殊的结构与电路以自扫是通过特殊的结构与电路以自扫描的方式读出电信号再通过显示器件成象的器描的方式读出电信号再通过显示器件成象的器件件。第四章第四章光电成象器件光电成象器件2、能够输出视频信号的真空光电管称为摄像管能够输出视频信号的真空光电管称为摄像管。一类是一类是利用外光电效应进行光电转换的摄像管，称光电利用外光电效应进行光电转换的摄像管，称光电发射型摄像管发射型摄像管。另一类是另一类是利用内光电效应进行光

24、电转换的摄像管，统称利用内光电效应进行光电转换的摄像管，统称为视像管为视像管。3、摄像管的作用是把入射的光学图像转换为视频信号摄像管的作用是把入射的光学图像转换为视频信号并输出并输出，它应具有，它应具有三个基本功能三个基本功能：光电变换、光电信号光电变换、光电信号存储和扫描输出存储和扫描输出。4、被摄物经物镜成像在光电靶上。、被摄物经物镜成像在光电靶上。光电靶既能完成光电靶既能完成光电变换又能存储信号光电变换又能存储信号，结构，结构:5、任任何何一一幅幅图图像像可可以以分分成成许许多多小小的的像像点点，通通常常称称为为像像素或像元素或像元。6、在在电电子子束束扫扫描描某某一一像像素素的的瞬瞬间

25、间，该该像像素素与与电电源源正正极极和和阴阴极极接接成成通通路路。这这个个像像素素（光光电电二二极极管管结结构构）的的光光电电流流由由PN，流流过过负负载载，产产生生负负极极性性图图像像电电压压信信号号输输出出（信信号号阅阅读读），同同时时扫扫描描电电子子束束使使P层层扫扫描描面面的的电电位位降降至至阴阴极极电电位位（图图像像信信号号擦擦除除）。这这样样，电电子子束束在在从从左左至至右右，由由上上而而下下对对正正电电位位图图像像的的顺顺序序扫扫描描中中，就就把把随随空空间间、时时间间而而变变化化的的图图像像信信息息转转换换成成随随时时间间变变化化的电信号，这就是视频信号。的电信号，这就是视频信

26、号。7、电电 荷荷 耦耦 合合 器器 件件 简简 称称 为为 CCD(Charge CoupledDevices)。电电荷荷耦耦合合器器件件突突出出特特点点是是以以电电荷荷作作为为信信号号，而而不不同同于于其其它大多数器件是以电流或者电压为信号。它大多数器件是以电流或者电压为信号。CCD的基本功能的基本功能:信号电荷的产生、存储、传输和检测信号电荷的产生、存储、传输和检测。8、在、在CCD器件的中间是一个光敏元组成的线阵器件的中间是一个光敏元组成的线阵。每个每个光敏元是一个光敏二极管，接收光信号，作光电转换，光敏元是一个光敏二极管，接收光信号，作光电转换，是线阵是线阵CCD的一个像素的一个像素

27、。光敏元的两侧是用作存储光光敏元的两侧是用作存储光生电荷的生电荷的MOS电容阵列电容阵列。9、耗耗尽尽区区对对少少数数载载流流子子（电电子子）来来说说象象一一个个“阱阱”，称称为为势势阱阱，能能起起收收集集电电子子的的作作用用，所所加加偏偏压压越越大大，势势阱阱就就越越深深，存存贮贮电电子子能能力力越越大大。这这就就是是MOS的的电电荷荷存存贮功能。贮功能。10、首先，、首先，光生电荷由光电二极管向移位寄存器的并行光生电荷由光电二极管向移位寄存器的并行转移转移。然后，然后，向向CCD移位寄存器转移的信号电荷再串行输出移位寄存器转移的信号电荷再串行输出。11、CMOS技技术术可可以以将将图图像像

28、传传感感器器阵阵列列、驱驱动动和和控控制制电电路路、信信号号处处理理电电路路、模模/数数转转换换器器、全全数数字字接接口口电电路路等完全集成在一起，实现单芯片成像系统。等完全集成在一起，实现单芯片成像系统。12、变象管变象管是把不可见光图像变为可见光图像的真空光是把不可见光图像变为可见光图像的真空光电管，电管，象增强器象增强器是把亮度很低的光学图像增强到足够亮是把亮度很低的光学图像增强到足够亮度图像的真空光电管。度图像的真空光电管。统称统称它们为它们为象管象管。13、光电阴极使亮度很低的光学图像或不可见光学图像光电阴极使亮度很低的光学图像或不可见光学图像转换成光电子图像，转换成光电子图像，在超

29、高真空管内，这些光电子从外在超高真空管内，这些光电子从外部高压电源获取能量，并部高压电源获取能量，并受电子光学透镜聚焦，高速轰受电子光学透镜聚焦，高速轰击荧光屏，从而产生人眼可见的相应光学图像。击荧光屏，从而产生人眼可见的相应光学图像。14、第第二二代代像像增增强强器器是是用用微微通通道道板板（Microchannelplates，MCP）实现单级高增益图像增强。）实现单级高增益图像增强。15、第第三三代代图图像像增增强强器器是是第第二二代代像像增增强强器器的的微微通通道道板板结结构构配配以以负负电电子子亲亲和和势势光光电电阴阴极极。负负电电子子亲亲和和势势光光电电阴阴极极不不仅仅在在可可见见

30、光光范范围围有有较较高高的的灵灵敏敏度度，而而且且在在近近红红外外区区也也有有比比银银氧氧铯铯光光电电阴阴极极高高的的量量子子效效率率，因因此此，这这种种图图像像增增强器能同时起到光谱变换和微光增强的作用。强器能同时起到光谱变换和微光增强的作用。第五章第五章光存储器光存储器1、根据性能和用途，光盘存储器大致可分为以下三种、根据性能和用途，光盘存储器大致可分为以下三种类型：类型：只读式、只写一次式、可擦式（或可逆式）只读式、只写一次式、可擦式（或可逆式）。2、VCD(VideoCompact-Disc)称称小小型型数数字字化化视视频频光光盘盘。盘盘上上刻刻有有视视频频和和音音频频两两种种信信号号

31、的的信信息息。视视频频和和音音频频信信号号录录制制到到光光盘盘之之前前，先先要要经经A/D转转换换器器将将模模拟拟信信号的视频、音频信号转换为二进制的数字信号。号的视频、音频信号转换为二进制的数字信号。VCD是是采采用用MPEG-1标标准准的的数数据据压压缩缩技技术术，可可以以在在一一张张VCD盘盘上上记记录录74分分钟钟的的活活动动图图象象及及其其伴伴音音信信号号。图象质量比录象机图象质量比录象机VHS好，音响效果与好，音响效果与CD相当。相当。VCD盘盘片片是是直直径径120mm，厚厚1.2mm的的单单面面盘盘，道道间间距距为为1.6um，所所用用激激光光波波长长780nm，存存储储容容量

32、量为为650MB。3、DigitalVideoDisc（DVD）标标准准：光光盘盘直直径径：120mm，单单面面盘盘厚厚度度0.6mm，双双面面盘盘厚厚度度1.2mm；光光盘盘规规格格：单单层层单单面面容容量量4.7GB，单单层层双双面面容容量量8.5GB；双双层层单单面面容容量量9.4GB，双双层层双双面面容容量量17GB；数数据据的的压压缩缩和和解解压压缩缩采采用用MPEG-2格格式式标标准；等等。准；等等。为为了了提提高高记记录录容容量量，提提高高音音频频、视视频频质质量量，DVD目目前前主主要要是是采采取取以下综合措施：以下综合措施：1）提高盘片密度，采用多层结构。）提高盘片密度，采用多层结构。2）采采用用MPEG-2以以及及DolbyAC-3分分别别作作为为其其视视频频、音音频频的的压压缩缩标准，因而具有很好的画质、音质。标准，因而具有很好的画质、音质。3）用用波波长长为为635650nm的的红红色色半半导导体体激激光光器器代代替替CD的的780nm波长半导体激光器。缩短波长可提高记录容量。波长半导体激光器。缩短波长可提高记录容量。4）DVD将用于将用于CD的的NA=0.45增加到增加到0.60，从而减小了光斑直径。，从而减小了光斑直径。第六章第六章平板显示器平板显示器1、一般性了解、一般性了解LCD、PDP基本概念。基本概念。