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1、场效应晶体管的特点场效应晶体管的特点(2)2.2 场效应管场效应管 场场效效应应管管：是是利利用用输输入入电电压压产产生生的的电电场场效效应应控控制制输输出电流的电压控制型器件。出电流的电压控制型器件。特点：特点：管子内部只有一种载流子参与导电，称为单管子内部只有一种载流子参与导电，称为单极型晶体三极管。极型晶体三极管。图图2.2.6 结型场效应管的输出特性曲线结型场效应管的输出特性曲线（3）击穿区（图中）击穿区（图中区）区）3.跨导（跨导（gm）当当 增至一定数值后，增至一定数值后，剧增，出现电击穿。如果对剧增，出现电击穿。如果对此不加限制，将损坏管子。因此，管子不允许工作在这个此不加限制，
2、将损坏管子。因此，管子不允许工作在这个区域。区域。反映在线性放大区反映在线性放大区 对对 的控制能力。单位是的控制能力。单位是 。(2.2.1)2.2.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效应管，的场效应管，简称简称MOS管。管。分类：分类：有有P沟道和沟道和N沟道两种类型；每种类型又分为增强沟道两种类型；每种类型又分为增强 型和耗尽型两种。型和耗尽型两种。一、结构和工作原理一、结构和工作原理1.1.N N沟道增强型绝缘栅场效应管沟道增强型绝缘栅场效应管特点：特点：输入电阻高，噪声小。输入电阻高，
3、噪声小。图图2.2.7 N沟道增强型绝缘栅场效应管沟道增强型绝缘栅场效应管 工作原理如图工作原理如图2.2.8所示：所示：（1）当 ，在漏、源极间加一正向电压 时，漏源极之间的电流 。（2）当 ，在绝缘层和衬底之间感应出一个反型层，使漏极和源极之间产生导电沟道。在漏、源极间加一正向电压 时，将产生电流ID。开启电压开启电压 ：增强型：增强型MOS管开始形成反型层的栅源电压。管开始形成反型层的栅源电压。图图2.2.8 N沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理（3）在）在 时：时：若若 ，反型层消失，无导电沟道，反型层消失，无导电沟道，；若若 逐逐渐渐增增大大，导导电电沟
4、沟道道变变宽宽，也也随随之之逐逐渐渐增增大大，即即 控制控制 的变化。的变化。若若 ，出现反型层即，出现反型层即(导电沟道导电沟道)，D、S之间有之间有电流电流 流过；流过；图图2.2.8 N沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理沟道增强型绝缘栅场效应管工作原理 夹断电压：夹断电压：使使ID=0时的栅源电压。时的栅源电压。2.N沟道耗尽型绝缘栅场效应管沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构及符号如图结构及符号如图2.2.9所示。所示。特点：特点：管子本身已形成导电沟道。管子本身已形成导电沟道。图图2.2.9 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管沟道耗尽型绝缘栅场效应管工作原理：在工作原理：在 时，时，当当 ，导电沟道有
5、电流，导电沟道有电流 ；当当 ，并逐渐增大时，导致沟道变宽，使，并逐渐增大时，导致沟道变宽，使 增大；增大；当当 ，并逐渐增大此负电压，导致沟道变窄，使，并逐渐增大此负电压，导致沟道变窄，使 。实现。实现 对对 的控制作用。的控制作用。夹断电压夹断电压 ：使：使 时的栅源电压时的栅源电压 。图图2.2.9 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管沟道耗尽型绝缘栅场效应管二、绝缘栅场效应管的特性曲线和跨导二、绝缘栅场效应管的特性曲线和跨导以以N沟道沟道MOS管为例。管为例。1.转移特性曲线转移特性曲线 N沟道沟道MOS管的转移特性曲线如图管的转移特性曲线如图2.2.10所示。所示。增强型：当增强型：当 时，时
6、，；当；当 时，时，。耗尽型：当耗尽型：当 时，时，；当；当 为负电压时为负电压时 减小；当减小；当 时，时，。图图2.2.10 N沟道沟道MOS管转移特性曲线管转移特性曲线2.输出特性曲线输出特性曲线3.3.跨导跨导可调电阻区可调电阻区饱和区饱和区击击穿区穿区三个区三个区其含义与结型管输出特性其含义与结型管输出特性曲线曲线三个区相同。三个区相同。三、绝缘栅场效应管的图形符号三、绝缘栅场效应管的图形符号注意注意N、P沟沟道的区别在道的区别在于图中箭头于图中箭头的指向相反。的指向相反。图图2.2.12 MOS管的图形符号管的图形符号 场场效效应应管管输输入入电电阻阻很很高高，结结型型管管一一般般
7、在在107以以上上；绝缘栅管则更高，一般在绝缘栅管则更高，一般在109以上。以上。2.2.3 场效应管的主要参数和特点场效应管的主要参数和特点一、主要参数一、主要参数1.1.直流参数直流参数（1）开启电压）开启电压VT 在在VDS 为定值的条件下，增强型场效应管开始导通（为定值的条件下，增强型场效应管开始导通（ID 达达到某一定值，如到某一定值，如10A）时，所需加）时，所需加VGS的值。的值。（2）夹断电压）夹断电压VP 在在VDS 为定值的条件下，耗尽型场效应管为定值的条件下，耗尽型场效应管ID减小到近于零减小到近于零时时VGS 的值。的值。（3）饱和漏极电流）饱和漏极电流IDSS 耗尽型
8、场效应管工作在饱和区且耗尽型场效应管工作在饱和区且 时，所对应的时，所对应的漏极电流。漏极电流。（4）直流输入电阻）直流输入电阻RGS 栅源电压栅源电压VGS与对应的栅极电流与对应的栅极电流 IG 之比。之比。2.交流参数交流参数 （2）极间电容 场效应管三个电极之间的等效电容CGS、CGD、CDS，一般为几个皮法，结电容小的管子，高频性能好。（1）跨导gm 一定时，漏极电流变化量 和引起这个变化的栅源电压变化量 之比。它表示了栅源电压对漏极电流的控制能力。（2）漏极击穿电压）漏极击穿电压V(BR)DS 漏极电流漏极电流ID 开始剧增时所加的漏源间的电压。开始剧增时所加的漏源间的电压。3.极限
9、参数极限参数（1）漏极最大允许耗散功率）漏极最大允许耗散功率PDM ID与与VDS 的乘积不应超过的极限值。的乘积不应超过的极限值。二、场效应管的特点二、场效应管的特点 表表2.2.1 场效应管与普通三极管比较表场效应管与普通三极管比较表项目项目器件名称器件名称晶体三极管晶体三极管场效应管场效应管极型特点极型特点双极型双极型单极型单极型控制方式控制方式电流控制电流控制电压控制电压控制类型类型PNP型、型、NPN型型N沟道、沟道、P沟道沟道放大参数放大参数 =50200gm=10005000m mA/VA/V输入电阻输入电阻102104W W1071015W W噪声噪声较大较大较小较小热稳定性热稳定性差差好好抗辐射能力抗辐射能力差差强强制造工艺制造工艺较复杂较复杂简单、成本低简单、成本低
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