晶体结构及缺陷

上传人:mar****e5 文档编号:227936465 上传时间:2023-08-17 格式:DOCX 页数:11 大小:59.30KB
收藏 版权申诉 举报 下载
晶体结构及缺陷_第1页
第1页 / 共11页
晶体结构及缺陷_第2页
第2页 / 共11页
晶体结构及缺陷_第3页
第3页 / 共11页
资源描述:

《晶体结构及缺陷》由会员分享,可在线阅读,更多相关《晶体结构及缺陷(11页珍藏版)》请在装配图网上搜索。

1、晶体结构与晶体中的缺陷17、Li2O的结构是O2-作面心立方堆积,Li+占据所有 四面体空隙位置,氧离子半径为0.132nm。求:计算负离子彼此接触时,四面体空隙所能 容纳的最大阳离子半径,并与书末附表Li+半径比较, 说明此时O2-能否互相接触。(2)根据离子半径数据求晶胞参数。(3)求Li2O的密度。解:(1)如图2-2是一个四面体空隙,0为四面体中心位置。AO = r + r , BC = 2r , CE = 3 , CG = 2/3CE = 2、3r /3AG = 2需 /3 ,AO = AG 一 OG = J6r /2, r = AO 一 r = ( J6/2r 一 1) = 0.3

2、01AOGC s AEFC, OG/CG = EF/CF , OG = EF /CF x CG = J6r /6- + 一 一r+=(6) i/2/2-1r-=0.0297nm或 r+=0.132*0.225=0.0297nm查表知r =O.O68nmO.O297nm,:O2-不能互相接触;Li +(2)体对角线=&=4(r+r), a=0.4619nm; (3) p=m/V=1.963g/cn328、下列硅酸盐矿物各属何种结构类型:Mg2SiO4, KAISi3O8, CaMgSi2O6, Mg3Si4O10(OH)2, Ca2AlAlSiO7。 解:岛状;架状;单链;层状(复网);组群(双

3、四面体)。 23、石棉矿 如透 闪石 Ca2Mg5Si4O11(OH)2 具有纤维状结晶习 性,而滑石Mg2Si4O10(OH)2却具有片状结晶习性,试解释之。解:透闪石双链结构,链内的Si-0键要比链5的Ca-O、Mg-O键强很多,所以 很容易沿链间结合力较弱处劈裂成为纤维状;滑石复网层结构,复网层由两个SiO4 层和中间的水镁石层结构构成,复网层与复网层之间靠教弱的分之间作用 力联系,因分子间力弱,所以易沿分子间力联系处解理成片状。24、石墨、滑石和高岭石具有层状结构,说明它们结构的区 别及由此引起的性质上的差异。解:石墨中同层c原子进行SP2杂化,形成大n键, 每一层都是六边形网状结构。

4、由于间隙较大,电子可在同层 中运动,可以导电,层间分子间力作用,所以石墨比较软。 解:石墨C:属六方晶系,配位数为3,具有平面三角形配 位, 6 个碳原子分别以共价键结合成六边形碳环,各环之间 共棱组成无限大的碳网层,层与层之间靠范德华力作用,作 用力很弱,同时由于碳网层上的原子与电价没有饱和,多余 的自由电子分布在层之间,电子间的相互排斥,使得层与层 之间更容易断裂,因而石墨的硬度很低,易破碎有滑腻感和 良好的片状解理且结构中的大“键(SP2杂化轨道形成大“ 键)使其能导电,不含结构水能耐高温。Mg3Si4O10(OH)2 滑石 复网层结构 属单斜晶系,上下为 2层SiO4四面体层 上层活性

5、氧全向下,下层活性氧全向上,在顶角相对的两层 硅氧层中间配入了 Mg2+和OH-形成镁氢氧层MgO4(OH)2, Mg2+填充全部的三八面体空隙,复网层为电中性的,层与层 之间靠很弱的范德华力作用具有滑腻感和良好的片状解理, 硬度较石墨大,但解理不如石墨完全,含有结构水,排除时 结构会破坏。高岭石:Al4Si4O10(OH)8单网层结构 属三斜晶系,层内 一层为SiO4 四面体层一层为A1O2(OH)4八面体层,层与层之间靠氢键作用,用于 氢键稍强于范德华健所以高岭石也具有片状解理,但颗粒较 粗,硬度较石墨,滑石大,不如石墨,滑石腻(无滑腻感), 含有结构水,排除时结构会破坏。6.试比较两类粘

6、土类矿物:高岭石Al4 Si4O10(OH)8和蒙脱石Al2 Si4O10(OH)2 nH2O 的结构和性质的异同。解:高岭石 Al4Si4O10(OH)8 为单网层结构。一层为SiO4四面体层每个活性O2-同时与一个Si4+一层为A1O2(OH)4八面体层 2个A13+相连,电价饱和。单层网之间靠氢键结合,结合力氢键稍强于范德华健1)具有片状解理,但解理 程度较小,颗粒较粗,分散度较小。 2)同晶取代很少质地较纯,熔点较高,较 稳定。 3)无层间结合水,无加水膨胀性。蒙脱石Al2 Si4O10(OH)2n H2O为复网层为二八面体型SiO4四面体层,每个活 性O2-同时与一个Si4+A1O4

7、(OH)2八面体层相连,A13+填充2/3八面体空隙,SiO4 四面体层与2个A13+相连,电价饱和。复网层之间靠很弱的范德华力结合。1) 、具有良好的片状解理性,解理程度较高岭石大,颗粒较小,分散度大。2) 、层间具有结合水,有加水膨胀,排水收缩性(又称膨润土),有较好的可塑 性,粘结性。3)、有同晶取代现象,实际分子式为Al Mg Si O (OH) Na nH O1.670.334 1020.3324)、有高的阳离子交换能力(层间所吸附的水化阳离子如Na +容易被其它阳离子交换)5)、质地不纯,熔点较低。7.层状硅酸盐结构中,有一层八面体配位的Al和一层四面体配位的Si,在这些 结构中,

8、Al经常取代Si,但Si从来不会置换Al,试解释之:已知:CN=6 时 r =0.48 A r =0.61 A r =1.32 ASi4 +Al3+O 2 -oooCN=4 时 r =0.34 A r =0.47 A r =1.320 ASi4+Al3+O 2 -0.34解:/ r1/4, 造成结构不稳定。2、写出下列缺陷反应式:(1)NaC1溶入CaC12中形成空位型固溶体;(2)CaC12溶人NaC1中形成空位型固溶体;(3)NaC1形成肖脱基缺陷;解: (1) NaC1 caci2 NaCa+ C1C1 + VC1(2)CaC12 Naci CaNa + 2C1C1 + VNa(3)0

9、V + V 2丿 分 V Na V C1 AgAg 一 VAg + Agj23、试写出少量MgO掺杂到A12O3中和少量YF3掺杂到CaF2中的缺陷方程。 (a)判断方程的合理性。(b)写出每一方程对应的固溶式。解:3MgO ai2o3 2 Mg + Mg” + 3O (1)Alio2MgO ai2o3 2Mg + 厂 + 20(2)Al oOYF caF2 Y + F + 2F(3)32 CaiF2YF caF2 2Y + V ” + 6F(4)3Ca CaF(a)书写缺陷方程首先考虑电价平衡,如方程(1)和(4)。在不等价置换 时,3Mg2+ 2A13+ ; 2Y3+ 3Ca2+。这样即可

10、写出一组缺陷方程。其次考虑 不等价离子等量置换,如方程(2)和(3)2Mg2+ -2A13+ ; Y3+ -Ca2+。这 样又可写出一组缺陷方程。在这两组方程中,从结晶化学的晶体稳定性考虑, 在离子晶体中除萤石型晶体结构可以产生间隙型固溶体以外,由于离子晶体 中阴离子紧密堆积,间隙阴离子或阳离子都会破坏晶体的稳定性。因而间隙 型缺陷在离子晶体中(除萤石型)较少见。上述四个方程以(2)和(3)较 合理。当然正确的判断必须用固溶体密度测定法来决定。( b ) (1) Al Mg O2-2 x X 33(2) Al Mg O2-XX 3_乂2(3) Ca Y F1-x x 2+x(4) Ca Y F

11、4 3 x 21- x224、 试写出以下缺陷方程(每组写出二种),并判断是否可以成立,同时简单 说明理由。(1) Al O Mgo 23(2) CaO zro2 (3) YF CaF2 3解:1、(1)Al O 一两种缺陷反应方程式为:23A、Al O - 3MgO23MgMgoB、Al O 2Mg。 2Al+ O ” + 2Ox23Mgio其中A可以成立,因为NaCl型的MgO晶体,只有较小的四面体空隙未被 阳离子占据,A13+离子填隙会破坏晶体的稳定性。(2)CaO 叫 两种缺陷反应方程式为:A、CaO zrO2 Ca + V + OxZr ooB、CaO 2ZrO2 Ca + Ca +

12、 2OxZrioA、B两种都可能成立,其中在较低温度下,以A方式固溶;在高温下(1800C),以B方式固溶。因为ZrO2为萤石型结构,在高温下具有较大的 立方体和八面体空隙,能够形成填隙型缺陷。(3) YF 叫 两种缺陷反应方程式为:3A、YF caF2 Y + F + 2Fx3Ca iFB、2YF - 3CaF?3Ca CaFA可能性较大。因萤石晶体中存较多的八面体空隙,F-离子半径较小,形成 填隙型固溶体比较稳定。5、MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ / mol,计算该晶体在1000K和1500K 的缺陷浓度。解:根据热缺陷浓度公式:n ( AG) =exp()N2kT由题意G=84

13、KJ/mol=84000J/mol贝 V= exp(-)M2 RT其中 R=8.314J/molK84000)=6.4 x 10-32 x 8.314 x 100084000A当 T1=1000K 时,上=exp(-) = exp(-1M2 RT当 T2=1500K 时,上=exp() = exp(-) = 3.45 x 10-22M2 RT2 x 8.314 x 15006、非化学计量化合物FexO中,Fe3+/Fe2+=0.1,求FexO中的空位浓度及 x值。AF&O *解: 解:Fe2O32FeFe + 30。+ VJy2yyFe3+2yFe2+13yO,2y/(1-3y)=0.1y=0

14、.044X=1-y=1-0.044=0.956 Fe0 9565OVFe=y/(1+x)=0.044/(1+0.956)= 2.25x10-27、非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧 气的分压,非化学计量化合物Fe1-XO及Zn1+XO的密度将发生怎么样的变化?增 大还是减小?为什么?解:(a)非化学计量化合物Fe1-xO,是由于正离子空位,引起负离子过剩:10 (g)2h+ V + Ox2 2 Fe o 按质量作用定律,平衡常数疋0 V”h2KoFeP 12O22由此可得:V g P 1Fe02即:铁空位的浓度和氧分压的 1/6 次方成正比,故当周围分压增大时,

15、铁空位浓度增加,晶体质量减小,则 Fe1-xO 的密度也将减小。(b)非化学计量化合物Zn1+x0,由于正离子填隙,使金属离子过剩:ZnO O T+ Zn + e2 2 i根据质量作用定律K 二Zn e2 P2iO2p T/6得 Zn g o2i 即:间隙离子的浓度与氧分压的1/6 次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+xO的密度也将减小。27、TiO2-x和Fe1-xO分别为具有阴离子空位和阳离子空位的非化学计量化合物。 试说明其导电率和密度随氧分压P02变化的规律(以缺陷方程帮助说明)。答:(1) TiO2 的缺陷反应方程为:2TiO T2Ti + V“+

16、 30 +10 (g)2-x2Ti OO 22根据质量守恒定律可得 ,故其密度随氧分压增加而增加,而电导率随 氧分压的增加而减小,与氧分压的 1/6 次方成反比。(2)Fe, 0 缺陷反应方程式为:2 Fe +10 (g) T 2 Fe + O + V ”,或1-xFe 22Fe 0 Fe10 (g) T 2h + 0 + V ”2 20 Fe根据质量守恒定律可得 ,故其密度随氧分压增加而下降,而电导率随氧 分压的增加而增加,与氧分压的 1/6 次方成正比。21、对于MgO、A12O3,和Cr2O3,其正、负离子半径比分别为0.47、0.36和 0.40,则A1203和Cr23形成连续固溶体。

17、(a) 这个结果可能吗?为什么?(b) 试预计,在MgOCr2O3系统中的固溶度是有限的还是无限的?为什 么?解:(a) A12O3与Cr2O3有可能形成连续固溶体。因为:R - R12Ri0.40 - 0.36040二 10% 15%结构类型相同,均属刚玉型结构。(b)对于MgO-Cr2O3系统,由于结构类型相差较大,前者为NaCl型,后R 一 R 0 47 一 0 4者为刚玉型。虽然一2二丄二二14.89% Y + F+ 2 F(1)3CaF2YF caF2 2Y + V + 6F(2)3 Ca CaF方程(1)和(2)的固溶式:(l)Ca1-xYxF2+x Ca(1-3/2x)YxF2按

18、题意x=0.2代入上述固溶式得:间隙型固溶体分子式为Ca0.8Y0.2F2.2置换型固溶体分子式为Ca0.7Y0.2F2;它们的密度分别设为p1和p2。CaF2是萤石 型晶体,单位晶胞内含有4个萤石分子。4 x 0.8 x 40.08 + 4 x 0.2 x 88.9 + 8 x 222 x 19 -厂“ / /、p.=3.659 (g/cm3)1 6.02 xl023 x (0.55 x 10-7)34 x 0.7 x 40.08 + 4 x 0.2 x 88.9 + 8 x 2 2 x 19 ,p2=3.346 (g/cm3)2 6.02 x 1023 x (0.55 x 10-7)3由p1与p2计算值与实测密度p=3.64g/cm3比较,p1值接近3.64g/cm3,因此0.2mol YF3加入CaF2中形成间隙型固溶体。

展开阅读全文
温馨提示:
1: 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
2: 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
3.本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

copyright@ 2023-2025  zhuangpeitu.com 装配图网版权所有   联系电话:18123376007

备案号:ICP2024067431-1 川公网安备51140202000466号


本站为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益归上传人(含作者)所有。装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。若文档所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知装配图网,我们立即给予删除!