场效应管的偏置及其电路的静态分析课件

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1、模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回场效应管的偏置及其电路的静态分析场效应管的偏置及其电路的静态分析1自给偏压自给偏压场效应管常用的偏置方式场效应管常用的偏置方式自给偏压自给偏压分压式偏置分压式偏置IDQUSQ=IDQ RSUGSQ=IDQ RS(1)电路电路(2)自给偏压原理自给偏压原理+_+_模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回(3)静态分析静态分析输入回路方程输入回路方程当管子工作于放大区时当管子工作于放大区时两式联立可求得两式联立可求得IDQ由此可得由此可得+_+_模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回例例 在图示电路中，在图示

2、电路中，VDD=18V，RD=3k，RS=1k、RG=1M，FET的的IDSS=7mA、UGS(off)=8V。试求。试求UGSQ、IDQ和和UDSQ。+_+_解解当管子工作于放大区时当管子工作于放大区时将有关数据代入上式，得将有关数据代入上式，得模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回UGSQ=2.9 VIDQ=2.9 mA联立求解，得联立求解，得模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回2分压式偏置分压式偏置图中图中(1)电路电路(2)静态分析静态分析+_+_+_+模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回故故分压式偏置分压式偏置:增强型、耗尽型增强型、耗尽型两种偏置电路适用的两种偏置电路适用的FET自给偏压：耗尽型自给偏压：耗尽型+_+_+_+