最全电路常用知识

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1、电路常识性概念（1）-输入、输出阻抗1、输入阻抗输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗。在输入端上加上一个 电压源U,测量输入端的电流I,则输入阻抗Rin=U/I。你可以把输入端想象成 一个电阻的两端，这个电阻的阻值，就是输入阻抗。输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样,它反映了对电流阻 碍作用的大小。对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻， 因而就越容易驱动，也不会对信号源有影响;而对于电流驱动型的电路，输入阻 抗越小，则对电流源的负载就越轻。因此，我们可以这样认为:如果是用电压源 来驱动的，则输入阻抗越大越好;如果是用电流源来驱动的，则阻抗越小越好（注： 只适合于低频电路，

2、在高频电路中，还要考虑阻抗匹配问题。另外如果要获取最 大输出功率时，也要考虑阻抗匹配问题。）2、输出阻抗无论信号源或放大器还有电源，都有输出阻抗的问题。输出阻抗 就是一个信号源的内阻。本来，对于一个理想的电压源(包括电源)，内阻应该 为0或理想电流源的阻抗应当为无穷大。输出阻抗在电路设计最特别需要注意。现实中的电压源，则做不到这一点。我们常用一个理想电压源串 联一个电阻r的方式来等效一个实际的电压源。这个跟理想电压源串联的电阻r, 就是(信号源/放大器输出/电源)的内阻了。当这个电压源给负载供电时，就会 有电流I从这个负载上流过，并在这个电阻上产生IXr的电压降。这将导致电 源输出电压的下降，

3、从而限制了最大输出功率(关于为什么会限制最大输出功率， 请看后面的“阻抗匹配”)。同样的，一个理想的电流源，输出阻抗应该是无穷 大，但实际的电路是不可能的。3、阻抗匹配阻抗匹配是指信号源或者传输线跟负载之间的一种合适的搭配方 式。阻抗匹配分为低频和高频两种情况讨论。我们先从直流电压源驱动一个负载入手。由于实际的电压源，总 是有内阻的，我们可以把一个实际电压源，等效成一个理想的电压源跟一个电阻 r串联的模型。假设负载电阻为R，电源电动势为U,内阻为r,那么我们可以计 算出流过电阻R的电流为：I=U/(R+r)，可以看出，负载电阻R越小，则输出电 流越大。负载R上的电压为:Uo=IR=U/1+(r

4、/R)，可以看出，负载电阻R越大, 则输出电压Uo越高。再来计算一下电阻R消耗的功率为：P=l2 XR=U/(R+r) 2 XR=U2 XR/(R2+2XRXr+r2)=U2 XR/(R-r) 2+4XRXr=U2/ (R-r)2/R + 4Xr 对于一个给定的信号源，其内阻r是固定的，而负载电阻R则是 由我们来选择的。注意式中(R-r)2/R，当R=r时，(R-r)2/R可取得最小值0这 时负载电阻R上可获得最大输出功率Pmax=U2/(4Xr)。卩，当负载电阻跟信 号源内阻相等时，负载可获得最大输出功率，这就是我们常说的阻抗匹配之一。对于纯电阻电路，此结论同样适用于低频电路及高频电路。当交

5、流电路中含有容性或感性阻抗时，结论有所改变（是对于最大输出功率而言的），就是需要信号源与负载阻抗的的实部相等，虚部互 为相反数，这叫做共扼匹配。在低频电路中，我们一般不考虑传输线的匹配 问题，只考虑信号源跟负载之间的情况，因为低频信号的波长相对于传输线来说 很长，传输线可以看成是“短线”，反射可以不考虑（可以这么理解：因为线短， 即使反射回来，跟原信号还是一样的）。从以上分析我们可以得出结论：如果我们需要输出电流大，则选 择小的负载R；如果我们需要输出电压大，则选择大的负载R；如果我们需要输 出功率最大，则选择跟信号源内阻匹配的电阻R。有时阻抗不匹配还有另外一层 意思，例如一些仪器输出端是在特

6、定的负载条件下设计的，如果负载条件改变了， 则可能达不到原来的性能，这时我们也会叫做阻抗失配。在高频电路中，我们还必须考虑反射的问题。当信号的频率很高时，则信号 的波长就很短，当波长短得跟传输线长度可以比拟时，反射信号叠加在原信号上 将会改变原信号的形状。如果传输线的特征阻抗跟负载阻抗不相等（即不匹配） 时，在负载端就会产生反射。为什么阻抗不匹配时会产生反射以及特征阻抗的求 解方法，牵涉到二阶偏微分方程的求解，在这里我们不细说了，有兴趣的可参看 电磁场与微波方面书籍中的传输线理论。传输线的特征阻抗（也叫做特性阻抗） 是由传输线的结构以及材料决定的，而与传输线的长度，以及信号的幅度、频率 等均无

7、关。例如，常用的闭路电视同轴电缆特性阻抗为75Q，而一些射频设备上则常 用特征阻抗为50Q的同轴电缆。另外还有一种常见的传输线是特性阻抗为300 Q的扁平平行线，这在农村使用的电视天线架上比较常见，用来做八木天线的 馈线。因为电视机的射频输入端输入阻抗为75Q，所以300Q的馈线将与其不 能匹配。实际中是如何解决这个问题的呢？不知道大家有没有留意到，电视机的 附件中，有一个300Q到75Q的阻抗转换器（一个塑料封装的，一端有一个圆 形的插头的那个东东，大概有两个大拇指那么大）。它里面其实就是一个传输线 变压器，将300Q的阻抗，变换成75Q的，这样就可以匹配起来了。这里需要强调一点的是，特性阻

8、抗跟我们通常理解的电阻不是一个概念，它 与传输线的长度无关，也不能通过使用欧姆表来测量。为了不产生反射，负载阻抗跟传输线的特征阻抗应该相等，这就是传输线的阻抗匹配，如果阻抗不 匹配会有什么不良后果呢？如果不匹配，则会形成反射，能量传递不过去，降低 效率；会在传输线上形成驻波（简单的理解，就是有些地方信号强，有些地方信 号弱），导致传输线的有效功率容量降低；功率发射不出去，甚至会损坏发射设 备。如果是电路板上的高速信号线与负载阻抗不匹配时，会产生震荡，辐射干扰 等。当阻抗不匹配时，有哪些办法让它匹配呢？第一，可以考虑使用变压器来做 阻抗转换，就像上面所说的电视机中的那个例子那样。第二，可以考虑使

9、用串联 /并联电容或电感的办法，这在调试射频电路时常使用。第三，可以考虑使用串 联/并联电阻的办法。一些驱动器的阻抗比较低，可以串联一个合适的电阻来跟 传输线匹配，例如高速信号线，有时会串联一个几十欧的电阻。而一些接收器的 输入阻抗则比较高，可以使用并联电阻的方法，来跟传输线匹配，例如，485 总线接收器，常在数据线终端并联120 欧的匹 配电阻。为了帮助大家理解阻抗不匹配时的反射问题，我来举两个例子： 假设你在练习拳击打沙包。如果是一个重量合适的、硬度合适的沙包，你打 上去会感觉很舒服。但是，如果哪一天我把沙包做了手脚，例如，里面换成了铁 沙，你还是用以前的力打上去，你的手可能就会受不了了这

10、就是负载过重的 情况，会产生很大的反弹力。相反，如果我把里面换成了很轻很轻的东西，你一 出拳，则可能会扑空，手也可能会受不了这就是负载过轻的情况。另一个例 子，不知道大家有没有过这样的经历：就是看不清楼梯时上/下楼梯，当你以为 还有楼梯时，就会出现“负载不匹配”这样的感觉了。当然，也许这样的例子不 太恰当，但我们可以拿它来理解负载不匹配时的反射情况。+Q：什么是电流控制器件？A：如果这个器件的输出参数大小和输入的电流参数大小有关，就叫该器件是“电 流控制器件”，简称“流控器件”。“电流控制器件”输入的是电流信号，是低阻抗输入，需要较大的驱 动功率。例如：双极型晶体管(BJT)是电流控制器件、T

11、TL电路是电流控制器件。Q：什么是电压控制器件？S：如果这个器件的输出参数大小和输入的电压参数大小有关，就叫该器件是“电 压控制器件”，简称“压控器件”。“电压控制器件”输入的是电压信号，是高阻抗输入，只需要较小的 驱动功率；例如：场效应晶体管(FET)是电压控制器件、MOS电路是电压控制器 件。Q：为什么BJT是电流控制器件而FET和MOS是电压控制器件？S： BJT是通过基极电流来控制集电极电流而达到放大作用的；而FET&MOS是靠 控制栅极电压来改变源漏电流，所以说BJT是电流控制器件，而FET和MOS是电压控制器件。电路常识性概念（2）-电容2008-05-27 22:59所谓电容，就

12、是容纳和释放电荷的电子元器件。电容的基本工作原理就是充电放电，当然还有整流、振荡以及其 它的作用。另外电容的结构非常简单，主要由两块正负电极和夹在中间的绝 缘介质组成。作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：1、应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输 出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并 向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管 脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是 地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。2）去藕去藕，又

13、称解藕。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱 动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号 的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大 的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹）， 这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这 就是耦合。去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免 相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实 际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提 高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较

14、小，根据谐振频率一般是O.lu, 0.01u 等，而去耦合电容一般比较大，是 10uF 或者更大，依据电路中分布参数， 以及驱动电流的变化大小来确定。总的来说旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰 作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。3）滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通 过的频率也越高。但实际上超过luF的电容大多为电解电容,有很大的电感成份， 所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一 个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高 频阻低频。电容越大低频越容易通过

15、，电容越小高频越容易通过。具体用在滤波 中,大电容（lOOOuF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。由于电容的两端电压不会突变， 由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴 水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越 高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路 之后接入一个较大容量的电解电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电 压变成相对比较稳定的直流电压。在实际中，为了防止电路各部分供电电压因负 载变化而产生变化，所以在电源的输出端及负载的电源输入端一般接有

16、数十至数 百微法的电解电容由于大容量的电解电容一般具有一定的电感，对高频及脉冲 干扰信号不能有效地滤除，故在其两端并联了一只容量为 0.001-0.lpF 的电容， 以滤除高频及脉冲干扰4）储能 储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器 引线传送至电源的输出端。电压额定值为40450VDC、电容值在220150 OOOuF之间的铝电解电容器（如EPCOS公司的B43504或B43505）是较为常用 的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功 率级超过 10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。2、应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步

17、及时间常数的作用：1 ）去耦举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合,这个电阻就是产生了 耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流 信号较小的阻抗,这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。2）振荡/同步包括RC、LC振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。3）时间常数这就是常见的R、C串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输 入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。 电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：i = （V/R）e-（t/CR

18、）最后说下电解电容的使用注意事项：1、电解电容由于有正负极性，因此在电路中使用时不能颠倒联接。在电源 电路中，输出正电压时电解电容的正极接电源输出端，负极接地，输出负电压时 则负极接输出端，正极接地当电源电路中的滤波电容极性接反时，因电容的滤 波作用大大降低，一方面引起电源输出电压波动，另一方面又因反向通电使此时 相当于一个电阻的电解电容发热当反向电压超过某值时，电容的反向漏电电阻 将变得很小，这样通电工作不久，即可使电容因过热而炸裂损坏.2.加在电解电容两端的电压不能超过其允许工作电压，在设计实际电路时 应根据具体情况留有一定的余量，在设计稳压电源的滤波电容时，如果交流电源 电压为220时变

19、压器次级的整流电压可达22V,此时选择耐压为25V的电解电 容一般可以满足要求.但是，假如交流电源电压波动很大且有可能上升到250V 以上时，最好选择耐压30V以上的电解电容。3, 电解电容在电路中不应靠近大功率发热元件，以防因受热而使 电解液加速干涸.4、对于有正负极性的信号的滤波，可采取两个电解电容同极性串联的方法, 当作一个无极性的电容.+关于滤波电容、去耦电容、旁路电容作用 滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。 去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激,使放大器稳定工作。 旁路电容用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。1. 关于去耦

20、电容蓄能作用的理解1）去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。 而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水， 这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。实际水是来自于大楼顶上的水塔，水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频 率很高，而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况 下，阻抗Z=i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此

21、不足。这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一在 vcc 引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。）2）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要 功能就是提供一 个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地2. 旁路电容和去耦电容的区别去耦:去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。去 耦电容还可以为器件提供局部化的DC电压源，它在减少跨板浪涌电流方面特别 有用。旁路:从元件或电缆中转移出不想要的共模RF能量。这主要是通过产 生AC旁路消除无意的能量进入敏感的部分，另外还可以提供基带滤波功

22、能（带 宽受限）。我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一 是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供 电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所 处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是 把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦 （decoupling） 电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。+大电容并联小电容作用及应用原理大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕

23、的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简 称 ESL）。电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而 一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线， 就减小了 ESL,因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容 的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于 容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用 一个大电容再并上一个小电容的方式。常使用的小电容为0.1uF的瓷片电容，当频率更高时，还可并联 更小的电容，例如几pF，几百pF的。而

24、在数字电路中，一般要给每个芯片的电 源引脚上并联一个O.luF的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解 为电源滤波电容,越靠近芯片越好），因为在这些地方的信号主要是高频信号， 使用较小的电容滤波就可以了。电路常识性概念（3） -TTL与CMOS集成电路2008-05-27 23:11目前应用最广泛的数字电路是TTL电路和CMOS电路。1、TTL电路TTL电路以双极型晶体管为开关元件，所以又称双极型集成电路。双极型 数字集成电路是利用电子和空穴两种不同极性的载流子进行电传导的器件。它具有速度高（开关速度快）、驱动能力强等优点，但其功耗较大，集成度 相对较低。根据应用领域的不同，它分为54

25、系列和74系列，前者为军品，一般工业设 备和消费类电子产品多用后者。 74系列数字集成电路是国际上通用的标准电路。 其品种分为六大类：74XXC标准）、74SXXC肖特基）、74LSXXC低功耗 肖特基）、74ASXX （先进肖特基）、74ALSXX （先进低功耗肖特基）、74FXX （高速）、其逻辑功能完全相同。2、CMOS电路MOS电路又称场效应集成电路，属于单极型数字集成电路。单极型数字集 成电路中只利用一种极性的载流子（电子或空穴）进行电传导。它的主要优点是输入阻抗高、功耗低、抗干扰能力强且适合大规模集成。特别是其主导产品CMOS集成电路有着特殊的优点，如静态功耗几乎为零，输出 逻辑电

26、平可为VDD或VSS,上升和下降时间处于同数量级等，因而CMOS集成 电路产品已成为集成电路的主流之一。其品种包括4000系列的CMOS电路以及74系列的高速CMOS电路。其中 74系列的高速CMOS电路又分为三大类：HC为CMOS工作电平；HCT为TTL 工作电平（它可与74LS系列互换使用）；HCU适用于无缓冲级的CMOS电路。 74系列高速CMOS电路的逻辑功能和引脚排列与相应的74LS系列的品种相同， 工作速度也相当高，功耗大为降低。74系列可以说是我们平时接触的最多的芯片，74系列中分为很多种，而我 们平时用得最多的应该是以下几种：74LS, 74HC，74HCT这三种输入电平输出由

27、平74LSTTL电平TTL电平74HCCOMS 电平COMS电平74HCTTTL电平COMS电平另外，随着推出BiCMOS集成电路，它综合了双极和MOS集成电路的优点， 普通双极型门电路的长处正在逐渐消失，一些曾经占主导地位的TTL系列产品 正在逐渐退出市场。 CMOS 门电路不断改进工艺，正朝着高速、低耗、大驱动能 力、低电源电压的方向发展。 BiCMOS 集成电路的输入门电路采用 CMOS 工艺， 其输出端采用双极型推拉式输出方式，既具有CMOS的优势，又具有双极型的 长处，已成为集成门电路的新宠。3、CMOS集成电路的性能及特点功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两

28、个串联的场效应 管总是处于一个管导通另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上， 由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为 20mW，动态功耗（在1 MHz工作频率时）也仅为几mW。工作电压范围宽CMOS集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产CC4000 系列的集成电路，可在318V电压下正常工作。逻辑摆幅大CMOS集成电路的逻辑高电平1、逻辑低电平0分别接近于电源高电位VDD 及电源低电位VSS。当VDD=15V，VSS=0V时，输出逻辑摆幅近似15V。因此,CMOS 集成电路的电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。抗干扰能力强CM

29、OS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%,保证值为电源电 压的30%。随着电源电压的增加，噪声容限电压的绝对值将成比例增加。对于VDD=15V 的供电电压（当VSS=OV时），电路将有7V左右的噪声容限。输入阻抗高CMOS集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网 络，故比一般场效应管的输入电阻稍小，但在正常工作电压范围内，这些保护二 极管均处于反向偏置状态，直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流，通常情 况下，等效输入阻抗高达10310n ,因此CMOS集成电路几乎不消耗驱动电路的 功率。温度稳定性能好由于CMOS集成电路的功耗很低，内部发热量少，而且，CMOS电

30、路线路结构 和电气参数都具有对称性，在温度环境发生变化时，某些参数能起到自动补偿作 用，因而CMOS集成电路的温度特性非常好。一般陶瓷金属封装的电路，工作温 度为-55 +125C ；塑料封装的电路工作温度范围为-45 +85C。扇出能力强扇出能力是用电路输出端所能带动的输入端数来表示的。由于CMOS集成电 路的输入阻抗极高，因此电路的输出能力受输入电容的限制，但是，当CMOS集 成电路用来驱动同类型，如不考虑速度，一般可以驱动50个以上的输入端。抗辐射能力强CMOS集成电路中的基本器件是MOS晶体管，属于多数载流子导电器件。各 种射线、辐射对其导电性能的影响都有限，因而特别适用于制作航天及核

31、实验设 备。可控性好CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制，其输出的上升和下降 时间的典型值为电路传输延迟时间的125%140%。接口方便因为CMOS集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大，所以易于被其他电路所驱 动，也容易驱动其他类型的电路或器件。+TTLTransistor-Transistor Logic 三极管三极管逻辑 MOSMetal-Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体晶体管CMOSComplementary Metal-Oxide Semiconductor 互补型金属氧化物半导体晶体管 +Q：为什么BJT比CMOS速度要快？A：很多人只知道BJT比CM

32、OS快，但不知道为什么。主要是受迁移率的影响。以NPN管和NMOS为例，BJT中的迁移率是体 迁移率，大约为1350cm2/vs。NMOS中是半导体表面迁移率，大约在 400-600cm2/vs。所以BJT的跨导要高于MOS的，速度快于MOS。这也是NPN（NMOS） 比PNP（PMOS）快的原因。NPN比PNP快也是因为载流子迁移率不同，NPN中的基区少子是电子， 迁移率大（1350左右）；PNP的基区少子是空穴（480左右）。所以同样的结构 和尺寸的管子，NPN比PNP快。所以在双极工艺中，是以作NPN管为主，PNP都 是在兼容的基础上做出来的。MOSH艺都是以N阱PSUB工艺为主，这种工

33、艺可 做寄生的PNP管，要做NPN管就要是P阱NSUB工艺。BJT是之所以叫bipolar，是因为基区中既存在空穴又存在电子，是两 种载流子参与导电的；而MOS器件的反形层中只有一种载流子参与导电。但并不是因为两种载流子导电总的迁移率就大了。而且情况可能恰恰 相反。因为载流子的迁移率是与温度和掺杂浓度有关的。半导体的掺杂浓度越高， 迁移率越小。而在BJT中，少子的迁移率起主要作用。NPN管比PNP管快的原因是NPN的基子少子是电子，PNP的是空穴，电子的迁移 率比空穴大。NMOS比PMOS快也是这个原因。而NPN比NMOS快的原因是NPN是体器件，其载流子的迁移率是半导体 内的迁移率；NMOS

34、是表面器件，其载流子的迁移率是表面迁移率（因为反形层 是在栅氧下的表面形成的）。而半导体的体迁移率大于表面迁移率。电路常识性概念（4）-TTL与CMOS电平/ OC门2008-05-27 23:35TTLttl集成电路的主要型式为晶体管一晶体管逻爭门(transistor-transistor logic gate), TTL 大部分都采用 5V 电源。1. 输出高电平Uoh和输出低电平UolUoh2.4V,Uol Vih Vt Vil Vol6： Ioh:逻辑门输出为高电平时的负载电流（为拉电流）。7： lol:逻辑门输出为低电平时的负载电流（为灌电流）。8： Iih:逻辑门输入为高电平时的

35、电流（为灌电流）。9： Iil：逻辑门输入为低电平时的电流（为拉电流）。门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端，这种形式的门称为开路门。开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路（OC）、 漏极开路（OD）、发射极开路（OE），使用时应审查是否接上拉电阻（OC、OD 门）或下拉电阻（OE门），以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路（OC）门, 其上拉电阻阻值RL应满足下面条件：（1）：RL （VCCVol）/（Iolm*Iil）其中n：线与的开路门数；m：被驱动的输入端数。 10：常用的逻辑电平逻辑电平：有 TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL； RS

36、232、RS422、LVDS 等。 其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3 V系列,2.5 V系列和1.8V系列。5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。 RS-422/485和RS-232是串口的接口标准,RS-422/485是差分输入输出，RS-232 是单端输入输出。+OC 门，又称集电极开路（漏极开路）与非门门 电路,Open Collector（Open

37、Drain）。为什么引入oc n?实际使用中,有时需要两个或两个以上与非门的输出端连接在 同一条导线上，将这些与非门上的数据（状态电平）用同一条导线输送出去。因 此，需要一种新的与非门电路-OC门来实现“线与逻辑”。OC门主要用于3个方面：I、实现与或非逻辑，用做电平转换，用做驱动器。由于OC门电路的输出管的集 电极悬空，使用时需外接一个上拉电阻Rp到电源VCC。OC门使用上拉电阻以输 出高电平，此外为了加大输出引脚的驱动能力，上拉电阻阻值的选择原则，从降 低功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；从确保足够的驱动电流考虑应当足 够小。2、线与逻辑，即两个输出端（包括两个以上）直接互连就可以实现

38、“ AND ”的逻 辑功能。在总线传输等实际应用中需要多个门的输出端并联连接使用，而一般 TTL门输出端并不能直接并接使用，否则这些门的输出管之间由于低阻抗形成很 大的短路电流（灌电流），而烧坏器件。在硬件上，可用X门或三态门（ST门） 来实现。用0C门实现线与，应同时在输出端口应加一个上拉电阻。3、三态门（ST门）主要用在应用于多个门输出共享数据总线，为避免多个门输 出同时占用数据总线，这些门的使能信号（EN）中只允许有一个为有效电平（如 高电平），由于三态门的输出是推拉式的低阻输出，且不需接上拉（负载）电阻， 所以开关速度比0C门快，常用三态门作为输出缓冲器。+什么是OC、OD？集电极开路

39、门（集电极开路 OC 或漏极开路 OD） Open-Drain是漏极开路输出的意思，相当于集电极开路 （Open-Collector）输出，即TTL中的集电极开路（OC）输出。一般用于线或、线 与，也有的用于电流驱动。Open-Drain是对MOS管而言，Open-Collector是对双极型管而言， 在用法上没啥区别。开漏形式的电路有以下几个特点：a. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。或驱动比芯片 电源电压高的负载.b. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电 阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C, SMBus等 总线判断总线占用状态

40、的原理。如果作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载 时，下降延是芯片内的晶体管，是有源驱动，速度较快；上升延是无源的外接电 阻，速度慢。如果要求速度高电阻选择要小，功耗会大。所以负载电阻的选择要 兼顾功耗和速度。c. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。例如加上上拉电 阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。d. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。一般来说， 开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的。正常的CMOS输出级是上、下两个管子，把上面的管子去掉就是 OPEN-DRAIN 了。这种输出的主要目的有两个：电平转换和线与。由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，

41、上拉电阻的电源 电压就可以决定输出电平。这样你就可以进行任意电平的转换了。线与功能主要用于有多个电路对同一信号进行拉低操作的场合，如 果本电路不想拉低，就输出高电平，因为OPEN-DRAIN上面的管子被拿掉，高电 平是靠外接的上拉电阻实现的。（而正常的CMOS输出级，如果出现一个输出为 高另外一个为低时，等于电源短路。）OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上 升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择 小时延时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议 用下降沿输出。电路常识性概念（5）-上拉电阻、下拉电阻 / 拉电

42、流、灌电流 / 扇出系数2008-05-28 15:22（一）上拉电阻： 1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的 最低高电平（一般为3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高 输出高电平的值。2、OC门电路必须加上拉电阻，才能使用。3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉 电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。同時管脚悬空就比较容易接受外界的电 磁干扰（MOS器件为高输入阻抗，极容易引入外界干扰）。5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提

43、高芯片输入信号的噪声容限 增强抗干扰能力。6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有 效的抑制反射波干扰。（二）上拉电阻阻值的选择原则包括:1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大：电阻大，电流小。2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小：电阻小，电流大。3、对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑以上三点,通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道 理。（三）对上拉电阻和下拉电阻的选择应结合开关管特性和下级电路的输入特性进 行设定，主要需要考虑以下几个因素： 1驱动能力与功耗

44、的平衡。以上拉电阻为例，一般地说，上拉电阻越小，驱动能力越强，但功耗越大，设计是应注意两者之间的均衡。2下级电路的驱动需求。同样以上拉电阻为例，当输出高电平时，开关管断开，上拉电阻应适当选择以能够向下级电路提供足够的电流。3高低电平的设定。不同电路的高低电平的门槛电平会有不同，电阻应适当设 定以确保能输出正确的电平。以上拉电阻为例，当输出低电平时，开关管导通， 上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。4频率特性。以上拉电阻为例，上拉电阻和开关管漏源级之间的电容和下级电 路之间的输入电容会形成RC延迟，电阻越大，延迟越大。上拉电阻的设定应考 虑电路在这方面的需求。（四）下拉电阻的设

45、定的原则和上拉电阻是一样的。OC门输出高电平时是一个高阻态，其上拉电流要由上拉电阻来 提供，设输入端每端口不大于100uA,设输出口驱动电流约500uA,标准工作电压 是5V，输入口的高低电平门限为0.8 （低于此值为低电平）；2V（高电平门限值）。 选上拉电阻时：500uA x 8.4K= 4.2即选大于8.4K时输出端能下拉至0.8V以下， 此为最小阻值，再小就拉不下来了。如果输出口驱动电流较大，则阻值可减小， 保证下拉时能低于0.8V即可。当输出高电平时，忽略管子的漏电流，两输入口需200uA 200uA x15K=3V即上拉电阻压降为3V,输出口可达到2V,此阻值为 最大阻值，再大就拉

46、不到2V 了。选10K可用。COMS门的可参考74HC系列。设计时管子的漏电流不可忽略，IO 口实际电流在不同电平下也是不 同的，上述仅仅是原理，一句话概括为：输出高电平时要喂饱后面的输入口，输 出低电平不要把输出口喂撑了（否则多余的电流喂给了级联的输入口,高于低电 平门限值就不可靠了）+ 上拉电阻：将某输出电位点采用电阻与电源VDD相连的电阻。因为输出端可以看 作是具有内阻的电压源，由于上拉电阻与VDD连接，利用该电阻的分压原理（一 般上拉电阻比输出端内阻大得多，至于该阻值的大小见上拉电阻的选取原则）， 从而将输出端电位拉高。1,如果电平用OC（集电极开路，TTL）或OD（漏极开路，COMS

47、） 输出，那么不用上拉电阻是不能工作的， 这个很容易理解，管子没有电源就不 能输出高电平了。2，如果输出电流比较大，输出的电平就会降低（电路中已经有 了一个上拉电阻，但是电阻太大，压降太高），就可以用上拉电阻提供电流分量， 把电平“拉高”。（就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上，让它的压降小一 点）。当然管子按需要该工作在线性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个 方式来实现门电路电平的匹配。需要注意的是，上拉电阻太大会引起输出电平的延迟（RC延 时）一般CMOS门电路输出不能给它悬空，都是接上拉电阻设定成高 电平。下拉电阻：和上拉电阻的原理差不多，只是拉到GND去而已，那样电平就会被拉 低。

48、下拉电阻一般用于设定低电平或者是阻抗匹配（抗回波干扰）。上拉电阻的工作原理电路图如上图所示，上部的一个Bias Resa it or 电阻因为是接地，因 而叫做下拉电阻，意思是将电路节点A的电平向低方向（地）拉；同样，图中下 部的一个Bias Resaitor 电阻因为接电源（正），因而叫做上拉电阻，意思是 将电路节点A的电平向高方向（电源正）拉。当然，许多电路中上拉电阻和下拉 电阻中间的那个12k电阻是没有的或者是看不到的。上图是RS 485/RS 422 总线上的，可以一下子认识上拉电阻和下拉电阻的意思。但许多电路只有一个上拉电阻或下拉电阻，而且实际中，还是上拉电阻的为多。+在数字电路中不

49、用的输入脚都要接固定电平，通过lk电阻接高电平或接地。1、定义：上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平！电阻同时起限流 作用！下拉同理！上拉是对器件注入电流，下拉是输出电流弱强只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分对于非集电极（或漏极）开路输出型电路（如普通门电路）提升电流 和电压的能力是有限的，上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电 流通道。2、为什么要使用拉电阻：一般作单键触发使用时，如果 IC 本身没有内接电阻，为了使单键维 持在不被触发的状态或是触发后回到原状态，必须在IC外部另接一电阻。数字电路有三种状态：高电平、低电平、和高阻状态，有些应用场 合不希望出现高阻状

50、态，可以通过上拉电阻或下拉电阻的方式使处于稳定状态， 具体视设计要求而定！一般说的是I/O端口，有的可以设置，有的不可以设置，有的是内 置，有的是需要外接，I/O端口的输出类似于一个三极管的C,当C接通过一个 电阻和电源连接在一起的时候，该电阻成为上C拉电阻，也就是说，如果该端口 正常时为高电平，C通过一个电阻和地连接在一起的时候，该电阻称为下拉电阻, 使该端口平时为低电平，作用吗：比如：当一个接有上拉电阻的端口设为输如状态时，他的常态就为 高电平，用于检测低电平的输入。上拉电阻是用来解决总线驱动能力不足时提供电流的。一般说法是 拉电流，下拉电阻是用来吸收电流的，也就是灌电流。+拉电流与灌电流1、概念拉电流和灌电流是衡量电路输出驱动能力（注意：拉、灌都是对输 出端而言的，所以是驱动能力）的参数，这种说法一般用在数字电路中。这里首先要说明，芯片手册中的拉、灌电流是一个参数值，是芯片 在实际电路中允许输出端拉、灌电流的上限值（允许最大值）。而下面要讲的这 个概念是电路中的实际值。由于数字电路的输出只有高、低（0, 1）两种电平值，高电平输出 时，一般是输出端对负载提供电流，其提供电流的数值叫“拉电流”；低电平输 出时，一般是输出端要吸收负载的电流，其吸收电流的数值叫“灌（入）电流”。对于输入电流的器件而言：灌入电流和吸收电流都是输入的