场效应管放大电路设计

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1、课程设计报告题 目 ： 场效应管放大电路设计学生姓名 ： 学生学号： 系 别 ： 专业 ： 届 别 ： 指导教师 ：电气信息工程学院制2013 年 3 月电气信息工程院通信工程场效应管放大电路设计学生：指导教师： *电气信息工程学院通信工程专业1、课程设计任务和要求：1.1 场效应管电路模型、工作点、参数调整、行为特征观察方法1.2 研究场效应放大电路的放大特性及元件参数的计算1.3 进一步熟悉放大器性能指标的测量方法2、课程设计的研究基础：2.1 场效应管的特点场效应管与双极型晶体管比较有如下特点：(1) 场效应管为电压控制型元件；(2) 输入阻抗高(尤其是MOS场效应管);(3) 噪声系数

2、小；(4) 温度稳定性好，抗辐射能力强；(5) 结型管的源极(S)和漏极(D)可以互换使用，但切勿将栅(G)源(S)极电 压 的极性接反，以免PN结因正偏过流而烧坏。对于耗尽型MOS管，其栅源偏 压可正可负，使用较灵活。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET)简称场效应管。场效应管， FET是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐 射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。场效应管的种类很多， 按结构可分为两大类：结型场效应管、JFET和绝缘栅型场效应管IGFET。结型 场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属

3、一氧化物一半 导体MOS场效应管。MO管S又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种 又分为N沟道和P沟道。结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控 制电流的输入电阻 105-1015 之间，绝缘栅型是利感应电荷的多少来控制导点沟 道的宽窄从而控制电流的大小、其输入阻抗很高 （ 其栅 极与其他电极互相绝缘 ） 以及它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占 有极其重要的地位 。 由多数载流子参与导电，也称为单机型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10人810人9。）噪声小 功耗低动态范围大、易 于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。 和双极型晶体管相 比场

4、效应 管的不足之处是共源跨导gm。值较低（只有ms级），MOS管的绝缘 层很薄，极容易被 感应电荷所击穿。因此，在用仪器测量其参数或用烙铁进行焊 接时，都必须使仪器 烙铁或电路本身具有良好的接地。焊接时，一般先焊 S 极，再焊其他极。不用时应将 所有电极短接。 结型场效应管有三个电极，即源 极栅极和漏极，可以用万用表测 量电阻的方法，把栅极找出，而源极和漏极一 般可对调使用，所以不必区分。测的依 据是，源极和漏极之间为一个半导体材料 电阻，用万用表测量电阻的RXikQ量程挡，分别测量源极对漏极 漏极对源极的电阻值， 它们应该相等。 也可以根据栅极 相对于源极和漏极都应为PN结，用测量二极管的办

5、法，把栅极找出。一般PN 结的正向电阻为5kQ 10kn,反向电阻近似为无穷大。若黑表笔接栅极、红表笔分 别接源极和漏极， 测得 PN 结正向电阻较小时， 则场效应管为 N 沟道型。 场效 应管的种类和系列品种比较 多，但它们的电路测试原理和测量方法基本相同。 在 测量和存放绝缘栅型场效应管时， 由于其输入电阻非常高， 管内不存在保护性元 件， 一般将它的三只管脚短路， 以免静 电感应而击穿其绝缘层， 待测试电路与 其可靠连接后， 再把短路线拆除， 然后进行测 量。测试操作过程应十分细心周 密，稍有不慎，造成栅极悬空，很可能损坏晶体管。2.2 偏置电路和静态工作点的确定与双极型晶体管放大器一样

6、， 为使场效应管放大器正常工作， 也需选择恰当 的直 流偏置电路以建立合适的静态工作点。场效应管放大器的偏置电路形式主要有自偏压电路和分压器式自偏压电路（增强 型MOS管不能采用自偏压电路）两种。3、效应管放大系统方案设计3.1 场效应管共源放大器的调试(1) 连接电路 。按图 2.4.1 在模拟电路实验板上插接好电路，场效应管选 用N沟道 结型管3DJ6D,静态工作点的设置方式为自偏压式。直流稳压电源调至 18V并接好(注意:共地)(2) 测量静态工作点调节电阻R使V为2.43V左右，并测量此时的Vg、Vs，填入表2.4.1，并计D算。表 2.4.1 静态工作点VDVG2.43V-35 25

7、8nVVSID1.283V1.283mA不变的，所以 Ri Rvo2(3) 测量电压放大倍数将函数发生器的输出端接到电路的输入端。 使函数发生器输出正弦波并调 =2mV, f=lkHz 。用示波器观察输出波形, ( 若有失真,应重调静态工作点,使波 形不失真)，并用示波器测量输出电压Vo,计算Av(4) 测量输入及输出阻抗用换算法测量放大器的输入电阻，在输入回路串接已知阻值的电阻R，但必 须注意，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，若仍用直接测量电阻R两端对 地电 Vs 和 Vi 进行换算的方法,将会产生两个问题：(1) 由于场效应管放大器 Ri 高，测量时会引人干扰；(2) 测量所用的电压表的

8、内阻必须远大于放大器的输入电阻 Ri ，否则将会产生 较大的测量误差。 为了消除上述干扰和误差， 可以利用被测放大器的隔离作用， 通过 测量放大器输出电压来进行换算得到 Ri 。图为测量高输入阻抗的原理图。方 法是：先闭合开关S(R=O)，输入信号电压Vs，测出相应的输出电压VJV.A o1 v i vV ，然o2 v i v s Rii后断开S，测出相应的输出电压VcAVAV，因为两次测量中和是基本R Rvo1 vo2输出电阻测量 : 在放大器输入端加入一个固定信号电压 Vs ， 2 分别测量当已知负载 R 断开和接上的输出电压 V 和 V 。则0 0LR V V -1R o o oL L4

9、、场效应管放大系统仿真与调4.1 负载 RL=2k 时的电路分4.2示波器显示用：双踪示波器得到的波形图，由图可以看出信号被放大。且未出 现失真。Scal 1 ins/Drv*TimeChannel AChannel B下Reverse1 S23 s-17.26 mV7 3ft6 mV+11,523 s-17J9 mV-7.366 mV0 MXO.ntW VO.DOft V竺fCharrel 0Scal |lDD mV/OrXposition |0Y position oY position OL&viDPV|Y/T Add6/AA9|M 0 JDC冷 I AC| 0 fbc jjl PTyp

10、E $in|J. Nor | AaoNon屯ChanneLAfoake |2DD mVZOiv负载 RL=5k 时的电路分 析aDCACocRm 弓侷二 1 ms/UivX prC/Jition 0t hanntl 上Sell. I 200 mVDivY position I?Channel 121 428 mV 121 428 mV D ODD VCh3finel_B10 556 mV10 556 mV0.000 VChannd BScaa 100 mMCfiTrig 啊 Edge IJ 11Y positionT1 *33U-T1Time 5S9.3ti& ms 酣9 3越msDUD sL

11、evlSave Ext. Trigger4.3 数据分析RlviVo1Vo2AvRiRo15k10mV481.15mV389.328mV38.9328mV12.7k2.1k10k10mV454.427mV366.753mV36.6753mV12.5k2.1k5k10mV389.521mV312.385mV31.2385mV12.1k2.1k2k10mV272.684mV216.168mV21.6168mV11.5k2.1k10mV443.918mV443.918mV44.3918mV5、总结：5.1 关于器件的选型： 由于场效应晶体管具有功耗小， 发热量小的特点， 在选 型的时候比三极管要方便

12、。在仿真的时候选择BSP149，普通型号的场效应晶 体管。 能够 满足交流小信号的放大， 直流偏置选择用 5V 的直流电压源供电能 够让静态工作点在放 大信号时基本不出现截止或者饱和失真。符合实验的要求。5.2 在实验中我们可以感受场效应晶体管在放大电路中的工作特点。 在放大电路中，FET仍然有着很多优势，但在今后的学习过程中要特别注意FET的工作特点。 尤其 是在恒流源的设计中， 三极管具有负载范围较大。 但是电流不易控制， 因此我们要特 别注意其工作特点，以避免在以后的设计中出现错误。6、 参考文献1 王港元 方安安张文泉等.电子技能基础.2001 48 239郑丝卫印刷电路板排版设计21983 张义和PROTEL PCB99设计与应用技巧.20004周南生模拟电路设计与制作.2005 163 1775 张少芳 林震 电子元器件应用 2004 第 4 期6 王彩琳 孙丞 电力电子技术 2008 第 12 期指导教师评语成绩评定指导教师签 字：答辩小组评语成绩评定答辩小组签 字：