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1、偶然想起来的问题，查了半天终于找到答案，把它摘录下来.来源:探长日记原理经典物理学认为，物体越过势垒，有一阈值能量；粒子能量小于此能量则不能越过，大于 此能量则可以越过。例如骑自行车过小坡，先用力骑，如果坡很低，不蹬自行车也能靠惯性过去。 如果坡很高，不蹬自行车，车到一半就停住，然后退回去。量子力学则认为，即使粒子能量小于阈值能量，很多粒子冲向势垒，一部分粒子反弹，还 会有一些粒子能过去，好象有一个隧道，称作“量子隧道（quantum tunneling）。可见，宏观上的确定性在微观上往往就具有不确定性。虽然在通常的情况下，隧道效应并 不影响经典的宏观效应，因为隧穿几率极小，但在某些特丁的条件
2、下宏观的隧道效应也会出现。发现者1957年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940）在改良高频晶体管2T7的 过程中发现，当增加PN结两端的电压时电流反而减少，江崎玲於奈将这种反常的负电阻现象解 释为隧道效应。此后，江崎利用这一效应制成了隧道二极管（也称江崎二极管）。1960年，美裔挪威籍科学家加埃沃（Ivan Giaever，1929）通过实验证明了在超导体 隧道结中存在单电子隧道效应。在此之前的1956年出现的“库珀对及BCS理论被公认为是对超 导现象的完美解释，单电子隧道效应无疑是对超导理论的一个重要补充。1962年，年仅20岁的英国剑桥大学实验物理学研究生约瑟夫森（B
3、ria n David Josephs on,1940）预言，当两个超导体之间设置一个绝缘薄层构成SIS（Superco nductor-l nsulator-Superco nductor ）时，电子可以穿过绝缘体从一个超导体到达另一 个超导体。约瑟夫森的这一预言不久就为P.W安德森和J.M.罗厄耳的实验观测所证实一一电子 对通过两块超导金属间的薄绝缘层（厚度约为10埃）时发生了隧道效应，于是称之为“约瑟夫森 效应”。宏观量子隧道效应确立了微电子器件进一步微型化的极限，当微电子器件进一步微型化时必 须要考虑上述的量子效应。例如，在制造半导体集成电路时，当电路的尺寸接近电子波长时，电子就通过隧
4、道效应而穿透绝缘层，使器件无法正常工作。因此，宏观量子隧道效应已成为微电子 学、光电子学中的重要理论。应用闪存闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬 底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元 具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你 再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应， 电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。 而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是 采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。场效应管工作原理场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由 多数载流子参与导电，它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具 有输入电阻高（108109Q）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、 安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
闪存(flash存储器)的工作原理
