电子元件的替代选用

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1、普通整流二极管：IN4001-IN4007 IN5401-IN5408 IN5392-IN5397 IN5391-IN5399IN4931-IN4937 6A1-6A10 RL201-RL207 S5688G快速整流二极管：FR102 FR108 FR201-FR208 FR302-FR308FR502-FR508 FR601-FR608 IN4933-IN4937开关高频二极管：IN4148 IN4150 IN4152 IN4448 IN5711 I6263 IS1555 IS1588 IN914 1s1588SS83 ISS119 ISS133 ISS176 BAV20 BAV21 BAW

2、56 BAW62 2AK系 列高频检波二极管：1N60 MA700 ISS86 ISS106 ISS97 ISS99 2AP9 2AP11稳压二极管稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不 变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各 点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用稳压二极管

3、的型号及稳压值如下表： 型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N47511N4761稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V电子组件的标准化与代用： Weng 2003/012/30 本人经常提到电子工程师的五修炼为电子组件特性掌握, 电路流程理论贯通, 仪表信号知识丰 富, 幅射安规具备概念, 再加上技术新知的不断补充. 其中电子组件特性虽然是一般电子工程师极 为熟识的部分, 却由于半导体材料日新月异演变迅速, 反而更难深入了解

4、与掌握.电子组件库存经常由于设计变更、机种停产、订单取消等因素，产生呆滞库存，若非属其它机 种之(相同料号)共通材料则无法消化使用，一方面造成运用资金之利息损失及年度呆滞之提拨损失， 最后仍难免于报废之命运。反之若能代用消化，不但能减少损失产生收益，更有可能挽回因缺料而 待料停线的损失。更进一步若相关人员如设计之工程师、主管、采购能在期初注重电子组件的标准化，在新开料 号时能注意有无特性相近可使用之现有料号，而采购及生技工程师则对于现有工单之材料，能注意 有无呆滞库存材料可代用之可能性，才可使呆滞材料库存之损失降至最低。组件的代用有可完全代用，即代用品其规格高于或等于原有之规格；或条件代用，即

5、规格较低 但适用于某种线路位置上使用；或可接受降低产品规格时使用或修改代用，及须作其它配合条件变 更才可使用，如其它电路组件数值搭配修正等等。 代用之可能性分析与使用注意事项依组件种类区分如下：IC 类： 一般由于功能性的差异及厂家专利问题，可互相代用的机会不大，但是对于 OP Amp. , Logic IC , Memory IC , Power Control IC , DC Regulator, Audio Amp. 等类别，则多数厂商皆有可直接互 通之代用品，只要接脚位置相同，再注意下列细节，即可考虑代用。1. Op Amp.(1) 注意使用电压为15V (即土 7.5V)或土 15V

6、。(2) FET型Op Amp.与一般晶体型不可互相代用(偏压差异)。(3) 使用在脉波电路如Vcom信号放大电路，须注意其Slew Rate值，太低会影响脉波升降时 间。例如LM358为0.3V/uS 1MHz较低不适用脉波电路，而NJM3414为1.0V/uS 1.3MHz 较高可适用，而NJM4556为3.0V/uS 8MHz更高.(4) 标准 Op Amp.有单组 Single (5 Pin)如 NJM2107 / 双组Dual (8 Pin)如 LM358/ 四组 Quad (16 Pin)如LM324等三种，一般为DIP脚位或SOP脚位(特殊有MSOP / TSSOP脚位)。(5)

7、 有时须注意其输出电流负载是否足够。不幸发生寄生振荡时，可以回授电容去除。(6) Op Amp.为最基本之IC结构，除具有正反向放大功能外，可做各种电路运用.如振荡器， 比较器， 滤波器等Operation AmplifierDual Op Amp.10-03-1033IC NJM3414AMJRCSOP8DualOp Amp.10-09-1013IC M5216SMitsubishiSIP-9DualOp Amp.10-09-1017IC AN1358S/BA10358FRohmSOP8Dual J-FET Op Amp.10-09-1020IC M5238A DIP8MitsubishiD

8、IP-8Single Op Amp.10-09-1025IC NJM2107F 5PJRCMTP-5Dual Low-voltage Op Amp.10-09-1028IC NJM2073M DMP8JRCDMP-8DualOp Amp.10-09-1029IC M5223AFP DMP8MitsubishiDMP-8Dual JFETInput Op Amplirfie10-12-1012IC LF353MotorolaSOP8dual op amp10-20-0115PIC NJM4556AMJRCDMP-82. Logic IC:(1) 此类IC各厂商共通品极多，且规格颇为类似，互通性很

9、大。(2) 须注意40系列(CMOS)与74系列(TTL)与74 HC40系列(ECL)使用上之差异，如 其工作电源范围，工作电流，工作速度,Logic Hi / Lo Level及输出负载能力。(3) 40系列工作电源3-15V, 74系列工作电源5V+/- 10%, 74 HC40系列工作电源2-6V.输入 端Logic Hi / Lo Level: 40系列需高于工作电源电压70%及低于工作电源电压30%, 74 系列与74 HC40系列则需高于2V及低于0.7V. 40系列耗电量仅为1nA, 74系列耗电量 1mA, 74 HC40系列耗电量则为0.1mA.(4) 40系列反应时间10

10、0nS, 74系列反应时间10nS, 74HC40系列反应时间30nS.此外40系 列与74HC40系列工作温度范围-40-85C,而74系列为0-70C. 40系列输出负载能力3mA, 74系列与74HC40系列为20mA.74HC40系列之接脚位置与40系列相同(74系列不同)。Logic IC/TimerTimer10-12-1001IC HA17555HitachiDIP8Timer10-12-1021IC NJM55JRCDMP8HEX Inverter10-15-1001IC 4069UBPHitachiDIP14Dual Prec MonoMultivibtroar10-15-1

11、005IC MC14538BDWMotorolaSOP16Triple 2-Channel Analog Multi/Dmeultiplxeer10-15-1006IC NJM4053BM/TC4053BFNJRCSOP16HEX Inverter10-15-1009IC BU4069UBFRohmSOP14Triple 2-Channel Analog Multi/Dmeultiplxeer10-15-1011IC M4053BP/MC14053BCPMotorolaDIP16Quad analog switch10-15-1012IC MC4066BMotorolaDIP14Dual Fl

12、ip-Flop10-15-1022IC MC14013MotorolaDIP148 Stage Shift Register10-15-1025IC TC4094ToshibaDIP16Dual Prec MonoMultivibtroar10-15-1029IC HEF4538BPToshibaDIP163. Memory IC:(1) 此类IC各厂商共通品极多，且规格颇为类似，互通性很大。24CXX为一般电压用， 24LCXX 为低电压用.(2) 一般Memory容量大者，有可能代用容量较小者如24C08可代用24C04. 24C08其意 义为 8KB memory 即为 4Block*2

13、56K byte*8Bit.(3) 须注意其存取速度规格若较低，有可能产生与 MCU 间之数据存取稳定度问题. 此外 现有常用之内存IC除了 Eeprom外还有SDRam同步动态内存提供CPU高速程序运算 功能及SGRam同步图像内存提供高速图像暂存功能.Memory1024 Bits Eeprom10-04-1039IC TC89121AMToshibaDMP816KB Eeprom Memory 256*810-10-1106IC 24LC16BAtmelDIP88KB Eeprom Memory 128*810-10-1108IC 24LC21 8PAtmelDIP8Flash ROM

14、2 MB 256K*810-10-1109IC 256K*8bit (A290021T-70) AmicDIP324KB Eeprom Memory 512*810-11-1002IC AT24C0410PCAtmelDIP-8Memory 64*16 Bits10-11-1005IC M6M 80011PMitsubishiDIP84. Power Control IC: 此类IC各厂商共通品较少，且因IC内部差异，须修改外围电路，建议 由 IC 厂商工程人员处理代用事宜。DC/DC switching regulatorSwitching regulator 16-30V/1A/1.2W1

15、0-04-1023AIC KA3842BSamsungDIP8Switching regulator 7-40V/200MA10-04-1031IC UPC494GS (TL494CDR)NECSOP16DC/DC Switching control 4-40V10-04-1036IC IR3M03ANSharpSOP-81CH DC/DC Converter 20V/120MA/555MW10-04-1049IC MB3885PFV-ERFujitsuSSOP-20PSwitching regulator 3.6-22V/50MA/400MW10-05-1026IC FA7610P(N) 8

16、PFujitsuSOP8Switching regulator control10-05-1033IC NJM3524DJRCDIP-16DC/DC Switching control 4-24V10-05-1042IC AIC 1650CN SWPWR AICDIP- 84. DC Regulator IC:(1) 一般依功能分为 Linear Regulator 及 DC / DC Switching Regulator，不仅 IC 各厂商 共通品极多，且有高低规格条件代用之可能性。(2) Linear Regulator 一般有标准型电压降高于2V及 低电压降LDO型约1V或更低.(3)

17、 代用时除了须注意考虑输出负载电流量及输入最高电压值外，亦须考虑输入出间 之最低电压降，以免在低电压输入时，失去稳压功能或高电压输入时，超出额定 功率(即为输入输出电压差与负载电流相乘数值)。DC RegulatorDC Regulator 5V/1A10-05-1001IC MC78M05CDT (DPAK)Motorola TO-263 3PDC Regulator 5V/0.5A10-05-1005IC AN78N05Matsushita TO-126 3PDC Regulator 9V/0.15A10-05-1010IC TA78L009ToshibaTO-92 3PDC Regula

18、tor 5V/0.15A10-05-1018IC MC78L05PCMotorolaTO-92 3PDC Regulator -12V/0.1A10-05-1022IC NJH79L12JRCTO-92 3PDC Regulator 5V/1A10-05-1024IC NJM7805JRCTO-220 3P5A 3.3V Low-drop regulator10-04-1044IC AIC1084-33CMAICTO-263 3P800mA 3.3V Low-drop regulator10-04-1045IC AIC1117-33CY (AK33-) AICSOT-223 3PDC Regu

19、lator 5V/1A 2% Low-dropout10-05-1031IC PQ05RF11SharpTO-220 4PDC Regulator 1.5-30V/1A 2% Low-dropout 10-05-1032IC PQ30RV21/RV11SharpTO-220 4PDC Regulator 8V/3A10-05-1050IC MC78T08SGSTO-220 3P(二)晶体管依其半导体特性可分为Bipolar transistor, Junction FET, MOS FET三种.除其本身有PNP / NPN 极性差异外，另依其电气特性，可区分功能类别为小信号放大晶体、高压低功率

20、晶体、 低压高功率晶体、高压高功率晶体。各制造厂商虽然有其本身标准编号，但规格皆极类似，互 通可代用性极大，应尽量采用共通规格，简化类别以降低库存，其主要参考规格如下： 型号 / 包装 / 集极最大功率/ 集极最大电流 / 直流放大值 / 集极耐电压 / 极性 / 最高工作频率 / 逆向回复时间Trr等.(1) 晶体管之包装规格如下:Insertion type小信号放大类为TO-92, TO-92M.功率高于0.5W有 TO-92L, TO-92MOD.高功率则为 TO-126, TO-22O, TO-3P等.Surface mount type 小信号放 大类为 SOT-23, SOT-3

21、23. 高功率则为 SOT-89, TO-252.(2) 此外特殊功能类别还有Digital Transistor内藏电阻型,MultipleTransistor复合晶体型， Darlington Pair达林顿型等.Digital Transistor为内藏有偏压电阻，而MultipleTransistor则内藏 有多组晶体管及其偏压电阻Darlington Pair则串接两个晶体管，以得到较高之Hfe值.(3) 集极最大功率在脉波电路上，无法由Vce * Ic直接计算取得时，可采取实际工作所测得之温 升饱和点加以判断. 室温饱和点温度加上环境温升需低于晶体管 Junction temper

22、ature. (但安 规部分另外考虑)各类别之代用注意事项如下所述：1. 小信号放大类(1) 此类晶体一般用为频率10MHZ以下之信号放大，或低电流/电压之开关控制用，例如 2SC945P。(2) 信号放大之波幅较高时 (如影像信号) 须注意其直流放大值差异，必要时须修正偏压电路。(3) 在开关电路或脉波电路上，则须注意耐电压(OFF时)集极电流(ON时)规格是否符合(若低于原有型号)。Part No.NameBrandPackageVceoIcPcFtHfeIndex12-02-1002HE9014DHitachiTO-9245V100MA0.45W150MC400/100012-02-20

23、12HE9015DHitachiTO-9245V100MA0.45W150MC400/100012-22-10072SC945PNECTO-9250V100MA0.25W250MC120/24012-62-10022SC2412KRohmSOT-2350V150MA0.2W180MC180/39012-62-20012SA1037KRohmSOT-2350V150MA0.2W140MC180/39012-03-1041HE8050CHitachiTO-9220V0.7A0.8W250MC120/240NPN12-23-2031HE8550CHitachiTO-9220V0.7A0.8W250M

24、C120/240PNP2.射频放大类(1)此类晶体一般用为频率30MHZ以上之信号放大或低电流/电压之开关控制用 (射频功率放大或超高频振荡电路)，例如：BF570。(2)须注意偏压电流须足够，以免影响功率放大量(尤其Ft值较低时)。Ft值需高于工作 频率与放大倍数的相乘值.Part No.Name12-2-005 2SC388A12-61-1001 BF570Brand Package Vceo IcToshiba TO-92 25V 50MAPhilips SOT-23 15V 100MAPc Ft Hfe0.3W 300MC 20/2000.25W 490MC 40IndexNPN3.

25、高压低功率类 (1) 此类晶体之功能与小信号放大类晶体类似，但其电路之电压较高，以提供高 波幅信号放大或高电压低电流之开关控制，例如：BF869 / 2SC2229Y。(2) 代用特性之考虑点与小信号放大类相同。Part No.NameBrandPackageVceoIcPcFtHfeIndex12-03-1047T2SC2229YToshibaTO-92L150V50MA0.8W120MC120/24012-22-1040BF423PhilipsTO-92250V50MA0.8W60MC50PNP12-02-1034BF869PhilipsTO-202250V50MA5W/1.6W60MC5

26、0NPN12-03-2044MPSA56FairchildTO-9280V0.5A0.6W50MC100PNP5. 低压高功率类(1) 此类晶体一般作为低压功率放大DC / AC功率转换电路或大电流电源开关，例如：2SB1073 或 2SC3518。(2) 在电源关关电路上，须注意耐电压(OFF时)集极电流(ON时)规格是否符合(若低于原有 型号)，此外ON时须注意有无完全导通，以免额定功率过载(当晶体HFE值或偏压电流较 低时) 。Part No.NameBrandPackageVceoIcPcFtHfe12-08-20042SB834MospecTO-22060V3A30W5MC60/20

27、012-03-20332SA1012YToshibaTO-22050V5A25W60MC120/24012-63-20022SB1073RMatsu.SC-6220V4A1W120MC120/31512-63-20032SA1952QRohmSC-6360V5A10W/1W80MC120/27012-63-10012SC3518ZKNECMP-360V5A2W120MC200/400Index6. 高压高功率类(1) 此类晶体用以作为脉波电路之功率放大输出级用，例如： 2SB1073 / 2SC3518。(2) 由于使用在脉波电路，除了需考虑耐压、电流及功率外亦需注意因 Trr 值差异，对脉波

28、型 之影响，另外 Base 极输入端之脉波逆向瞬间脉冲，亦须注意低于 5V 以免打穿基极。Part No.NameBrandPackageVceoIcPcFtHfeIndex12-02-20272SB946PMatsu.TO-220130V7A40W30MC12-03-20402SB1155PMatsu.TOP-380V15A80W/3W25MC130/24012-04-1013BU407SGSTO-220150V7A60W10MC15NPN12-04-1025B2SD2498ToshibaTOP-3600V6A50W2MC10/30(三) 二极管依其功类别可区分为 小信号开关二极管、一般功能

29、整流二极管、快速回复二极管、超 快速回复二极管、萧基二极管、变容二极管、然纳二极管、桥式整流器等。一般二极管之主要 电气特性规格如下：型号 / 包装 / 最大逆向电压 / 最大顺向电流 / 顺向电压降/ 逆向回复时 间。此外，由于二极管类别差异特性，仍有其它特定电气规格，请参考下列内容所述.(1) 使用上除了额定电流外, 需特别留意逆向电压值, 尤其是整流器电路. 由于电容器充放电, 使二 极管两端承受两倍以上电压，若是脉波电路因Duty cycle差异，还需要承受更高之电压.(2) Trr值为二极管之逆电压容量，使脉波下降速度因而减缓，产生延滞现象此外二极管作为小信 号开关使用时，亦需注意O

30、ff状态下，其逆电压容量会使信号泄漏.而在状态下，其顺向导通内阻 亦会使信号损失.(3) 另外有复合型二极管，为贴片SMD SOT-23包装，内藏两个二极管其中一端相接，有共阴极，共 阳极， 及共阴阳极三种.(4) Insertion 二极管之包装规格如下：Rectifier lAmp. DO-41，1.5-2Amp. DO-15, 3Amp. DO-201AD. Zener 0.5W DO-35/34， 1W DO-41. Small signalDO-35/34.(5) Surface mounted 二极管之包装规格如下：Rectifier 1Amp. DO-214AC, 1.5-3Am

31、p. DO-214AA.1. 小信号开关二 极管 Small signal switch diodePart No.NameBrandTypeVRIFVFTRR13-63-1000DIN4148RohmSMD75V200ma1V4NS13-03-1018DHS85HitachiDO-3435V100MA1V1.2PF13-65-1022DMA111MatsushitaSMD80V100ma1.2V3NS2. 一 般 功 能 二 极 管 General-purpose rectifier diodePart No.NameBrandTypeVRIFVFTRR13-05-1000DIN4001Si

32、liconixDO-4150V1A1V15PF13-05-1003DIN5400SiliconixDO-20150V3A1V50PF13-05-1054D1N4003SiliconixDO-41200V1A1.1V3. 快速回复二极 管 Fast recovery diode(Trr500nS)Part No.NameBrandTypeVRIFVFTRR13-05-1108D 30DF1 INTERRectronR-6100 V6A1.3V150NS13-05-1008D PR1005SiliconixDO-41600V1A1.2V250NS13-65-1012D RS1JRohmSMD600

33、V1A1.3V250NS13-25-1002FR107RectronDO-411000V1A1.3V500NS4. 超快速回复二 极管 Super fast recovery diode(Trr100nS) 有些厂商会另外界定50nS以下者为Ultra fast recovery diode.Part No.NameBrandTypeVRIFVFTRR13-05-L107D S688GToshibaSOD-57400V2A1.05 V50NS13-05-1050D UFR BYQ28XPhilipsTO-220200V10A0.9V25NS5. 萧 基 二 极 管 Schottky barri

34、er diode(Vf0.65V)此种二 极 管 之 特 点 为 低 顺 向 电 压 降 , 可 减 少 导 通 后 之 功 率 损 耗 .13-05-1026D IN5822SiliconixDO-20140V3A0.5V330PF13-65-1002D MA701A/RB160L-40 CHIPMatsushitaSMD40V1A0.55V13-05-1012D IN5817SiliconixDO-4120V1A0.45V110PFPart No.NameBrandTypeVRIFVFTRR6. 变容二 极 管 Varactor diode 其两端所加之逆向电压产生有效电容量, 电压值越高

35、则电容量越低. 一般有 C Ratio 低倍数及 高倍数差异.Part No.NameBrandTypeVRIFVFCapJVc13-02-1002D Vaicap 1SV101ToshibaDO-3515V13-30 PF13-02-1006D Varicap 1SV215ToshibaSMD30V3-29 PF7. 然纳二极管 Zener diode(1) 一般常用然纳二极管种类为500mW, 1W, 2W, 5W及温度补偿型等(2) 使用然纳二极管需注意其标准然纳电压所设定之电流值如 2mA 或 5mA 且额定功率不可超出.Part No.NameBrandTypeVRIFVFTRR13

36、-06-L249D ZENER V4 HZ232HitachiDO-35500mw2.3/2.55ma100Q13-06-1429D ZENER .42v HZ4B2HitachiDO-35500mw3.8/4.05ma100Q13-06-1519D ZENER .51V HZ5C21/2WHitachiDO-35500mw5.0/5.25ma100Q13-06-1569D ZENER .56V HZ6B11/2W HitachiDO-35500mw5.5/5.85ma35Q13-06-1689D ZENER .68V HZ7A31/2WHitachiDO-35500mw6.6/6.95ma15Q13-06-1759D ZENER .75V HZ7C21/2W HitachiDO-35500mw7.3/7.75ma15Q8.桥式整流器 Rectifier bridgePart No.NameBrandTypeVRIFVFTRR13-05-1021D JBLOlSiliconixBRIDGE50V4A1V13-05-1042D PBU601RectronBRIDGE50V6A1V13-05-1036D RS205/PBP206RectronBRIDGE600V2A1V