固体激光器综合实验

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1、实验一固体激光器综合实验一. 主要功能和特点此套系统适用于光信息科学与技术、电子科学与技术、应用物理等相关专业。 可测量阈值、转换效率，倍频效率等参量，开设电光调Q,选模等实验。使学生 全面了解激光原理和激光技术，掌握电光调 Q 系统的调试方法。电光调Q固体脉冲激光器外罩机壳，整体美观大方，并可保护内部装置。系统结构紧凑，采用内置三角导轨，具有良好的稳定性。所有器件均采用标准件， 互换性强，并且都可以拆卸，便于学生动手装调。本装置的准直光源采用 650nmLD 代替传统的 He-Ne 激光器，具有体积小、使 用安全、调节方便、光强可调等优点。本装置采用脉冲氙灯泵浦 Nd3+:YAG 输出 10

2、64nm激光，经倍频后可以输出532nm激光。采用KD*P电光晶体进行电光调Q， 可实现ns级脉宽激光的输出。二: 实验原理（一）: 激光原理简介1：激光原理（1）自发辐射根据已知的理论，原子只能存在分立的能态，处在不同能态的原子具有不同 的能量。若原子处于内部能量最低的能量状态，称此原子处于基态，其它比基态 能量高的状态，都叫做激发态。在热平衡时，材料中处于下能态的原子数远比上 能态的多，电磁波与其发生作用，能使原子从低能级上升到高能级。这种原子在 两个能级之间的变化叫做跃迁。可以说，处于基态的原子，从外界吸收能量以后， 将跃迁到能量较高的激发态。在高能态上的原子是不稳定的，它总是力图使自己

3、处于最低的能量状态；即 使在没有任何外界作用的情况下，它也有可能从高能态 E 2跃迁到低能态并把相 应的能量释放出来。这种在没有外界作用的情况下，原子从高能态向低能态的跃 迁方式有两种：一种是在跃迁过程中，释放的能量以热量的形式放出，这称为无辐射跃迁；另一种跃迁过程中，释放出的能量是通过光辐射的形式放出，这称为自发辐射跃迁。辐射的光子能量满足波尔关系：1.1 )图 2.1 自发辐射图 2.2 受激吸收图 2.3 受激辐射E 一 E = hy 12 1 1原子自发辐射的特点是原子的自发辐射几率a21只与原子本身性质有关，与外界辐射场无关。即原子自发辐射是完全随机的，各个原子在自发跃迁中彼此无 关

4、，这样产生的自发辐射光在相位、偏振态以及传播方向上都是杂乱无章的，光 能量分布在一个很宽的频率范围内。(2) 受激吸收当原子系统受到外来的能量为hY21的光子照射时，如果hY21=E2-E1，则处于 低能态E1上的原子受到激发，跃迁到高能态E2上去，同时吸收一个能量为hY21 的光子，这种过程称为光的受激吸收。原子的受激吸收几率与外来的光辐射能量密度p (v )的数值大小有关，p (v ) 越大，几率 W12 就越大。所以，与自发辐射几率不同，原子的受激吸收几率是 随p (v )而变化的。(3) 受激辐射在光的受激吸收过程的同时，还有一个相反的过程，即当原子受到外来的能 量为hY21的光子照射

5、时，如果hY21=E2-E,则处在高能态E2上的原子也会受到外 来的能量为hY21的光子的诱发，而从高能态E2跃迁到低能态E1上去。这时原子 将发射一个和外来光子能量相同的光子，这种过程叫做受激辐射。有这种辐射过 程产生的光便是激光7。在激光器中，外部泵浦源使激光材料中的粒子(原子)从低能态跃迁到高能 态，即泵浦辐射导致“粒子数反转”。使频率适中的电磁波入射到该“反转”的 激光材料上，入射光子将使高能级的原子降落回低能级而发射出附加的光子，形 成光波放大。最终，能量从原子系统萃取出来，供给到辐射场。这一切都是以之 前所述的原子系统受激吸收受激辐射一系列机制为根据的。简言之，当材料受到激励，使得

6、它的原子(分子)在高能级的分布多于低能级时，该材料就能够以与能级差相应的频率使辐射放大，从而产生激光7。2: 调 Q 技术原理1) 调 Q 的意义普通脉冲固体激光器输出的脉冲，是由许多振幅、脉宽和间隔作随机变化的 尖峰脉冲组成的，如图 2.1。图 2.1 静态激光脉冲中的迟豫振荡每个尖峰的宽度约为0.1-1 Ms，间隔为微秒量级，脉冲序列的长度大致与闪 光灯泵浦时间相等，这种现象称为激光器迟豫振荡。如此，激光器的能量分散在 这样一串脉冲中，因而不可能有很高的峰值功率，这是因为通常的激光谐振腔的 损耗是不变的，一旦光泵浦使反转粒子数达到或略超过阈值时，激光器便开始振 荡，于是激光上能级的粒子数因

7、受激辐射而减少，致使上能级不能积累很大的反 转粒子数，只能被限制在阈值反转数附近7。调 Q 能够抑制弛豫振荡，将输出激光的脉宽从微秒量级压缩到纳秒量级， 从而大大提高峰值功率。2) 调 Q 的原理tt唱蛊柴毎鰹廊嫌*来从激光产生的原理得知，激光器振荡的阈 值条件可以表示为An三旦Q1th A T21 c而T =2，所以c2兀vg 2兀An 三 一 thAQ21式中 g 是模式数目， A 是自发辐射几率， T 是21c光子在腔内的寿命。我们引入品质因数Q,将它定义为8(2.1)(2.2)腔内存储的能量、 0 J每秒损耗的能量丿图2.2Q开关激光脉冲建立过程式中，v为激光的中心频率。用W表示腔内存

8、 0储的能量e表示光在腔内传播单次能量的损耗率，那么光在 一个单程中的能量损耗为6 W。设L为腔长，n为介质折射率,c为光速，则光在腔内走一单程所需的时间为nL/c。由此，光在腔内每秒钟损耗 的能量为卫巴。这样，Q值就可表示为nL / cQ = 2兀v -o 8 Wc / nL2兀nL0(2.3)式中，九0为真空中激光中心波长。由（2.2）式和（2.3）式可见，当九和L 一定 时，Q值与谐振腔损耗成反比，即损耗大，Q值就低，阈值高，不易起振；当损 耗小， Q 值就高，则阈值低，易于起振。由此提高振荡阈值，振荡不能形成，使 激光工作物质上能级的粒子数大量积累。当积累到最大值，突然使腔内损耗变小，

9、 Q值突增。这时，腔内会像雪崩一样以极快的速度建立起极强的振荡，在短时间 内反转粒子数大量被消耗，转变为腔内的光能量，并在输出镜一端输出一个极强 的激光脉冲，我们称之为巨脉冲。3）调 Q 激光的建立调 Q 技术就是通过某种方法（如改变损耗）使腔的 Q 值随时间按一定程序 变化的技术。在泵浦开始时使腔处于低 Q 值状态，即提高振荡阈值使振荡不能 形成，上能级的反转粒子数就可以大量积累，能量可以储存的时间决定于激光上 能级的寿命；当积累到最大值（饱和值）时，突然使腔的损耗减少，Q值突增, 激光振荡迅速建立起来，在极短的时间内上能级的反转粒子数被消耗，转变为腔 内的光能量，从腔的输出端以单一脉冲形式

10、释放出来，于是就获得峰值功率很高 的巨脉冲。调Q激光脉冲的建立过程，各参量随时间的变化情况，如图2.2所示。图（a） 表示泵浦速率W随时间的变化；图（b）表示腔的Q值是时间的阶跃函数；图 p（c）表示粒子反转数An的变化；图（d）表示腔内光子数随时间的变化。在 泵浦过程的大部分时间里谐振腔处于低Q值（Q ）状态，故阈值很高不能起振，0从而激光上能级的粒子数不断积累，直到t时刻，粒子数反转达到最大值An， 0i 在这一时刻， Q 值突然升高（损耗下降），振荡阈值随之降低，于是激光振荡开 始建立。由于An二An （阈值粒子反转数），因此受激辐射增强非常迅速，激光iT介质存储的能量在极短的时间内转变

11、为受激辐射场的能量，结果产生了一个峰值 功率很高的窄脉冲。速增大，受激辐射才迅速超过自发辐射而占 图 2.3 从开始震荡到脉冲形成优势。因此，调 Q 脉冲从振荡开始建立到巨脉冲激光形成需要一定的延迟时间 At（也就是Q开关开启的持续时间）。光子数的迅速增长，使An迅速减少，到t = 时刻，An二An，光子数达到最大值0之后，由于An An，则Q迅速减少 此i t m t时An = Anf，为振荡终止后工作物质中剩余的粒子数。可见，调Q脉冲的峰值 是发生在工作物质的反转粒子数等于谐振腔的阈值反转粒子数 ( An = An )的时刻。iT综上，既然谐振腔的Q值与损耗5成反比，那么只要按照一定的规律

12、改变 谐振腔的5值，就可以使Q值发生相应的变化；而谐振腔的损耗包括反射损耗、 衍射损耗、吸收损耗等，这样，我们便可以通过各种不同的方式控制不同类型的 损耗变化，如此，就形成了种种不同的调Q技术。如电光调Q、声光调Q、机 械转镜调Q、可饱和吸收调Q等。而在本文中，我们将只对电光Q开关的相关 技术进行探讨。3 晶体的电光效应光在介质中的传播规律受到介质折射率的分布情况的限制，而介质折射率的 分布与其介电常数密度相关。理论和实践均证明：晶体的介电常数与加在晶体上 的电场强度有关。所以，当加在晶体上的电场变化时，随之将引起晶体折射率的 变化，结果将导致光波在其中传播规律的改变。外电场的变化引起介质光学

13、性能 折射率变化的现象称为电光效应。该过程中，通过晶体的光波两分量产生位 相差，偏振方向发生变化。如图 2.4。图 2.4 纵向电光调制器的结构下面，以 KD*P 晶体的纵向电光效应为例进行介绍。KD*P 晶体属于四方晶系 42m 晶类，光轴 C 与主轴 Z 重合。未加电场时，在主 轴坐标系中，其折射率椭球方程为：2.4)x 2 + y 2z 2.+ = 1n 2 n 20e其中，n、n分别为寻常光和非寻常光的折射率。加电场后，由于晶体对称性的 oe影响，42m晶类只有y ,y两个独立的线性电光系数。Y是电场方向平行于光63 41 63轴的电光系数， y 是电场方向垂直于光轴的电光系数。 KD

14、*P 晶体加外电场后的41折射率椭球方程是：X2 + y2 + 三 +2y (E yz + E xz) + 2y E xy = 1(2.5)n 2n 241 x y63 Z0e当只在KD*P晶体光轴z方向加电场时上式变成：z2n20n2e+ 2y E xy = 163 z2.6)经坐标变换，可求出此时在三个感应主轴上的主折射率：=n - - n 3 y E020 63 znyyE0 63 z2.7)z上式表明，在E作用下KD*P变为双轴晶体，折射率椭球的xy截面有圆变为椭圆，z椭圆的长短轴方向x、y相对于原光轴x、y转了 45 ，转角大小与外加电场大小无关，长、短半轴的长度即n 和n yx。由

15、上式可看出它们的大小与E成线性关 z系，电场反向时长短轴互换，如图2.5。图2.5 K艸y 63纵向效应当光沿KD*P光轴z方向传播时，在感应主轴x 、y两方向偏振的光波分量,由于此时晶体在这两者方向上的折射率不同，经过长度为l的晶体后产生位相差:2.8)s 二孚(n - n )1 二手丫 V九yx九 63 x式中V = El为加在晶体z向两端的直流电压。zz使光波两个分量产生位相差兀/2所需要加的电压，称为“4电压”以v兀表示，即2.9)4n 3 y063KD*P晶体的光电系数y二23.6 x 10-12m/V对于九=1.0“m、KD*P晶体的V =4000V 63坯左右。4 电光 Q 开关

16、1) 泡克耳斯盒Q 开关可利用的电光效应有两种，即泡克耳斯效应和克尔效应。前者发生于 无点对称中心的晶体内，后者则发生在某些液体中6；而利用泡克耳斯效应制成 的电光盒成为泡克耳斯盒。泡克耳斯盒所需要的电压仅为克尔盒的 1/10-1/5， 它是Q开关脉冲激光器使用得最多的有源器件。一般在脉冲固体激光器中常用的电光调Q装置经常采用如图2.6所示的结构: 由2、3、4三部分组成的电光调Q装置位于工作物质和全反射镜之间，夹在两块 偏振片中间的是泡克耳斯电光盒。1.全反镜 2. 检偏器3. 泡克耳斯盒4. 起偏器 5.Nd:YAG 激光棒 6：输出镜图 2.6 在固体激光器中加入泡克耳斯盒调 Q 装置示

17、意图在这种结构中，泡克耳斯盒既可用作加压式Q开关，当除去虚线框内的检偏器后 也可用作退压式调 Q。泡克耳斯盒分为两类：一种是加纵向电场，此类泡克耳斯盒 Q 开关中，施加 的电场与入射光束的方向相同，平行于晶体的光轴；另一种是加横向电场，在这 种结构中，电场垂直于光束的传播方向，半波电压取决于晶体的厚度与长度之比， 这种方式有一个优点，即选择适当的晶体几何尺寸，就可以使外加电压明显低于 纵向加电的电压。应用前一种结构的主要有 KD*P 晶体；应用后一种结构的主要 有 LN 晶体。2）电光Q开关（1）泡克耳斯盒作退压调Q以带起偏振器的KD*P电光Q开关为例进行说明。带起偏振器的 KD*P 电光 Q

18、 开关，是一种启用较早、应用较广泛的电光晶体 调 Q 装置，其特点是利用一个偏振器兼作起偏和检偏，偏振器可采用方解石格兰 傅克棱镜，也可用介质膜偏振片。其装置如图2.7所示。因为KD*P容易潮解， 故需要放在密封盒内使用，通常采用纵向加压。带起偏器的KD*P电光Q开关工作过程如下:图2.7带起偏器的调Q激光器原理图YAG 棒在氙灯的激励下产生无规则光辐射，通过偏振器后成为线偏振光，起偏方向与KD*P晶体的晶轴x（或y）方向一致，并在KD*P上施加一个V的外加电场。 “4由于外加电场的作用，主轴方向会发生变化，分别变为x和y且与入射偏振 方向成45。这时调Q晶体起/4波片的作用，这样，线偏振光通

19、过晶体后会产 生兀2的位相差，而往返一次产生的总位相差为兀，线偏振光经这一次往返后偏 振面旋转了 90，这种情况下，由介质偏振器和KD*P调制晶体组成的电光开关 处于关闭状态，所以谐振腔的 Q 值很低，不能形成激光振荡。 虽然这时整个器件处在低 Q 值状态，但由于氙灯一直在对 YAG 棒进行抽运， 工作物质中亚稳态粒子数便得到足够的积累，当粒子反转数达到最大时，突然去 掉调制晶体上的4波长电压，即电光开关迅速被打开，沿谐振腔轴线方向传播 的激光可自由通过调制晶体，而其偏振状态不发生任何变化，这时谐振腔处于高 Q 值状态，形成雪崩式激光发射。（2）泡克耳斯盒作加压调 Q如图 2.6，其工作原理在

20、本质上和退压应用时是相同的，只不过需要加入一 个检偏器（2）并使其与起偏器（4）呈正交放置。这样，如果没有给泡克耳斯盒 加电压，光束就无法通过，腔内损耗最大， Q 值很小。在灯光脉冲末端，给泡克 耳斯盒加上 V 电压，使入射光束旋转 90，如此光束便可通过检偏器。光束 2/2经反射镜反射之后又一次通过检偏器和泡克耳斯盒，并再一次旋转 90，所以 光束在返回起偏器之前已经旋转了 180，因此能够通过并返回腔内建立振荡。（二）倍频技术原理基本概念及原理利用非线性晶体在强激光作用下的二次非线性效应，使频率为e的激光通 过晶体后变为频率为2e的倍频光，称为倍频技术，或二次谐波振荡。本系统是 将1064

21、nm的激光通过倍频晶体（KTP）,变成532nm的绿光。用非线性材料产生倍频激光的器件成为倍频激光器。一般把入射的激光称 为基频光，由倍频激光器出来的光称为倍频光或二次谐波。根据非线性材料特性，我们一般采用角度匹配来得到二次谐波。角度相位匹配是 利用晶体的双折射来补偿正常色散而达到相位匹配的一种方法。使入射到晶体的 基频光和产生的倍频光具有不同的偏振态，而所用晶体应预先根据晶体光学的理 论和有关的折射率数据计算出切割晶体的方向，磨制成所需形状，使基频光和倍 频光能满足相位匹配条件。按照入射基波的偏振态又可将角度匹配方式分为两类：一种是基波取单一 的线偏振光形式入射，而倍频光为另一种状态的相偏振

22、光，这种情况通常称之为 第I类相位匹配。这一倍频过程用一式子表示为“ o+o=e”或“e+e=o” ,因为两 个基波的偏振方向是平行的，所以又称平行式相位匹配。另一种情况是基波同时 取两种不同的线偏光形式，即两者的偏振方向是垂直的，而产生的倍频光为单一 状态的线偏振光，这种情况称为第II类相位匹配，记作“e+o=e”或“e+o=o” , 因为第II类匹配方式在非线性极化过程中，不是单纯由基波的o光（或e光） 的分量乘积在起作用，而是o光和e光分量同时在起作用。在本套系统中采用的非线性晶体KTP（磷酸氧钛钾）实现倍频，其相位匹配 属于第II类相位匹配（方位角申二23.5。，匹配角9 - 90。）

23、。三. 实验仪器图31电光调Q激光器装置图1. 半导体准直光源.（ 650nm）2. 小孔光阑（2mm）.3. 全反镜（曲率半径4m,镀膜对1064nm的反射率R=99.8% （20）4. KD*P Q开关晶体（12*40）5. 偏振片（30*5）6. 聚光腔（聚四氟乙烯材料）（Nd3+：YAG激光棒6* 100mm （两端镀1064nm增透膜）和脉冲氙灯0 7*90mm）.7输出镜（K9玻璃材质20）8. KTP 倍频晶体（8*8*7）9. 分光棱镜（60 度、一面磨砂、 边长 40、 厚度25 ）10. Q 开关驱动电路盒（冷阴极闸流管（110*39*55） 说明1. 由元件 3，6，7

24、即可构成激光器的基本结构 “两模一棒” 输出激光，此时 输出的是未加任何调制的激光，叫静态激光.2. 在3, 6之间加入4和5,便可实现退压式电光调Q 调Q后输出的激光叫 动态激光。3. 在7之后加入8,调试后可以输出倍频激光。4. 在8之后加入9,可以完成分光,测量倍频效率。 附件仪器附件：光电探测器（连续探测器 脉冲探测器短脉冲探测器能量探测器（各一个） 机柜（ MC10 电源 水冷系统） 激光防护 镜（两副）实验用具：靶纸 上转光片（一个）六角扳手 洗耳球 毛玻璃片（各一个） 镜头纸（一本） 滴瓶（一个） 观测镜（一个）选配器件：示波器（300MHz以上）四. 实验内容1. 固体激光器的

25、装调1）装调：调整半导体准直光源,使小孔光束在通过导轨中心线的垂面并与导 轨表面平行。调节全反射腔镜的四维调整架,使小孔光束通过其中心,并让反 射光束沿原路返回小孔。装好聚光腔体,调节其支架,使小孔光束通过激光棒 两端面的中心,并让其前端面的反射光点返回小孔。2）选模：固定的谐振腔可能激励的横模与腔型结构、损耗大小和激励水平等 因素有密切关系。低阶模与较小的光束发散角相对应,所以为获得单一基模输 出必须采取横模选择技术。横模选择方法可分为两类：一类是在一定的谐振腔 内插入附加的选模元件来提高选模性能,可用小孔光阑和扩束望远镜实现；另一类是改变谐振腔的结构和参数以获得各衍射损耗的较大差别，提高谐

26、振腔的选模性能，即非稳腔选模。此实验采用小孔选模3）测量静态激光的阈值；4）测量静态激光及灯光脉冲宽度；5）测量静态激光输出能量，描绘斜效率曲线；6）计算静态激光的峰值功率。2. 电光调 Q 实验1）调试激光器，测量其关门电压及阈值能量；2）测量动态激光输出能量；3）测量动态激光的脉冲宽度；4）计算动态激光的峰值功率；5）计算激光器的转换效率及输出激光的动静比；3. 被动调Q实验1）Cr4+:YAG 晶体饱和吸收特性的研究；2）测量激光输出脉宽及能量；3）计算峰值功率；4）被动调 Q 激光器的搭建；4. 非线性光学实验1）从理论上计算KTP晶体的相位匹配角；2）调节激光器及倍频晶体的相位角和方

27、位角观察对倍频效率的影响；3）改变色散棱镜的位置，确定其最小偏向角以得到基频光和倍频光的最佳分光位置；4）计算晶体的倍频效率；5）改变注入能量，观察其对倍频效率的影响；6）描绘“注入能量倍频效率”曲线；五. 实验过程与数据（一） 激光器的装调准蛊：需要的元件（从左至右半导体准直光（650nm）,小孔光阑，全反 镜，Q晶体，偏振片，Nd3+ YAG固体激光棒，输出镜，倍频晶体，分光棱镜）;系统电源；水冷系统；三角导轨及基座。i.-.-ll*-图 5.1 装调示意图U_l1.半导体准直光(650nm), 2.小孔光阑，3.全反镜,6.Nd3+ YAG固体激光棒(6*100mm),7输岀镜,8倍频晶

28、体(KTP), 9分光棱镜(K9玻璃为基质，60 )1激光器的装调1) 调光路的目的光路调节的好坏直接关系着岀光的效果,调节的好,一般可以直接岀光, 对下面的实验有很大的帮助。2) 激光器的调节(1) 、调准直光：接通半导体准直光光源的电源,将小孔光阑放在靠近准直光 处,江洪光正通过小孔,再将光阑拉远,调节准直光的水平和俯仰旋钮,在使 准直光通过光阑小孔,反复几次上一过程直到小孔光阑放在导轨的任何地方准 直光都通过光阑小孔。注：同时要考虑棒的高度，不要低于棒的中心，最好高出4-5mm，因为加偏振 片光路会下偏。(2) 、调节棒的高度：先调棒的靠近准直光端，使准直光点通过棒的中心或略 高，再调远

29、端，使反射像回到小孔光阑的小孔内，旋紧螺丝时要均匀用力，时 时关注反射像，确保其回到小孔内，旋紧螺丝。(3) 、调节输出境和反射镜：先将反射镜放在靠近光阑出，使650mm准直光通 过全反镜的中心，并且其反射像回到光阑小孔，再使全反镜远离光阑重复以上 操作，直到全反镜放在导轨的任何地方其反射像都回到光阑小孔，最后将全反 镜放在靠近光阑处，旋紧固定旋钮。输出镜的调节方法同调全反镜的方法相同， 最后将输出镜固定在棒的远端。(4) 、调节偏振片和调Q晶体：偏振片要求离棒端有一定距离(约10mm)，准 直光通过偏振片中心，调解架尽量与棒垂直(目视)，将偏振片固定到棒的前 端。 调 Q 晶体要求准直光通过

30、晶体的中心，且其反射像尽量回到光阑孔心， 最后将其固定在偏振片和全反镜之间。(5) 、倍频晶体的调节方法：方法与调 Q 晶体的调节方法相似，要尽量让准直 光通过倍频晶体的中心，将其固定在输出镜的后面。3) 器件的清洗1) 、输出镜、全反镜、偏振片一般一个星期清洗一次，调 Q 晶体的清洗比较 困难，一般用长绒棉轻擦或用洗耳球吹。2) 、棒和灯：若用自来水，一个月就必须清洗；用去离子水或蒸馏水 1 2 个月清洗一次就可以。3 )、在打相纸时一定要远离输出镜或外套一透明袋。 2激光器阈值的测量激光器的光路调好后，导轨上只保留 1、2、3、6、7五个器件，打开激光 电源，使电源处在静态工作状态，使输入

31、电压大约是500V,旋转输出镜的俯仰 和水平旋钮，用相纸接受激光，直到打出的光斑是等间距的圆环状，然后调节输 入能量从0V向上调节，用普通脉冲探头(绿灯)和200MHz的示波器探测波形。 波形如图所示，阈值为 400V：图 5.2 阈值测量示意图注：绿灯为脉冲探头，红灯为连续探头。图 5.4 静态光斑图（二） 电光调 Q 实验1. 激光器的输出能量和输出脉冲宽度的测量（加偏振片，调好光路）1）. 实验步骤 阈值点测量完成后，再调节光路，使输出光斑最好，调解输入能量到 440V 连接好示波器、热释电探头（8mv/mj）和普通脉冲探头，用热释电探头测量能量, 用普通脉冲探头测量静态激光脉宽，一般脉

32、冲设为每秒一次。图 5.5 脉冲宽度测量示意图2）. 实验数据输入能量（V）输出能量（mV）脉宽（us）44058850.84480104050.01520176055.72540200063.52560234077.40580263073.12600308072.68620350082.44640374086.00660414091.09680436082.70热示电探头：8mv/mj例：输出能量 2000mv则能量为： E=2000mv/8mv/mj=250mj图 5.6 输入-输出能量曲线2. 激光器转换效率的测量与计算输入能量=电容*输入电压 2/2：既：W=CV2/2(电容：C=10

33、0p F)转换效率：n =w/w=输出能量/输入能量=2W/CV2 00例：输入能量：W=CV2/2=100p F* (540V)2/2=29.16J输出能量：W =2000mv/8mv/mj=250mj所以，转换效率：n =W /W=250mj/29160mj=0.85703. 激光器输出光束发散角的测量图 5.9 发散角测量图在静态输出情况下，调好激光光斑，离激光输出镜后一米和两米处分别接受一光斑，分别测出其半径记作r和r，发散角记为p。12tg p =r-r/100mm21p =arctg（r-r/100mm）214. 退压式电光调Q实验1）晶体KD*P （磷酸二氘钾）2）退压电路图 5

34、.10 泡克耳斯盒 Q 开关驱动电路3）步骤：在静态基础上，加入偏振片和 KD*P 晶体（如装置图的位置）调 解输出镜，使光斑质量最好。在晶体两端加上晶压，大约3400V左右，同时调节 晶压和输入电压，从小到大，每隔 20V 时，调节 KD*P 晶体的水平和俯仰旋钮， 用脉冲探头探测波形，直至示波器上的脉冲波形调没，一直加大电压直到电压加 到波形无法调没为止。注：探头的距离不要太远，示波器的伏/格不能太大。Win l.yumvTpk 7.詔械厲七洁三吟m ；?Ai loops a chi:&+ 2.40000|JS-.-I.Z 22町巧图 5.11 关 门 波 形参考数据：电压：880 V晶压

35、：3700V5. 延时调节和动静比的测量1 ）延时调节（1） 实验器件示波器：TEK 3052B 热释电探头连续探头脉冲探头 激光器及电源系统（ 2）步骤：关门调好后，要对退压延时进行调节，使输出的激光能量达到最大 值，脉宽最窄。将连续探头与示波器连接好，将其放在聚光腔的出水光处，调 解示波器可以观测到激光延时波形，旋转电源上的延时旋钮可以调节延时时间 一般将延时调到波形下降沿的一半处。延时的调节对激光器输出能量和脉宽都 有影响。（ 3） 调节退压旋钮，波形如图：q 已被触岸图 5.12 退压延时波形2） 动静比的测量（1） 调节好关门和延时后，再调节全反镜，使光斑模式最好，连接好示波器、热释

36、电探头（8mv/mj）、普通脉冲探头和GT-106脉冲探头，用热释电探头测量能 量，用普通脉冲探头测量静态激光脉宽，勇GT-106脉冲探头测量动态脉宽。动抑一动态输出能量効關尤静态输出能量测量如图：罡电更2） 数据与分析输入能量图5.14动、静态能量输出曲线-m3 -J 3 Z 2 2 输出能量图 5.15 动静比曲线氙灯电压（V）静态激光 能量（mV）静态脉 冲宽度（ys）动态激光 能量（mV）动态脉冲 宽度（ns）动静比560178079.25154014.0086.52%600228082.85194010.3785.09%640279086.1023209.63383.15%68034

37、4088.6628038.30081.47B7 -分析：，动静比的计算是由加入偏振片和 Q 晶体后，测量得到的静态能量 比动态能量得到的值。由以上数据可以看出，随着输入能量的增大，动静比将 减小。可以认为，高能量输入下的动态激光脉冲（Q调制脉冲）峰值功率在增加，但脉冲能量在减小。已直Sill 2ADmVMpfiCTHsMH TSSWMpTOttiSii fb fldoooT為呂月200G1V；12；卸3月300B-15； 47:43图 5.16 动态脉宽波形图 5.17 动态能量波形图 5.18 静态光斑图 5.19 动态光斑（三）被动调 Q 实验1. 被动式可饱和吸收调Q原理:被动调 Q 是

38、利用被动调晶体自身的可饱和吸收特性。材料随着能量密度的 增大而变的透明起来。在能量密度达到某一高值时，材料就会“饱和”或“漂白”，从而导致产生很高的透射率。可饱和吸收体中的漂白过程是基于光谱跃迁的饱和如果将对激光波长具有很高吸收率的材料安装在激光器谐振腔中，它会在最开始时阻止激光震荡的发生。随着增益在泵浦脉冲期间的增大并超过往返损耗时，腔 内的光通量会急剧增大，导致被动 Q 开关达到饱和。在这种条件下，损耗很底， 从而建立起Q开关脉冲。2. 实验步骤1）关闭电源，把电光晶体卸下（注意不要拉扯晶体的连线）。2）把四价铬离子参杂的晶体插入原电光晶体的位置。3）调整光路，使准直光恰好通过晶体的中心。

39、4）打开点电源，用相纸接光斑，增加氙灯的注入电压，观察光斑的变化。5）用脉冲探头接收激光观察其波形，改变注入电压，再观察，比较前后两波形例如下图：CH2 5.0CVCH2无CH2无CH2无回R已EidyM Po$: 21.6Oju$CH2 Z Zti.OniV1OHzM25.li.us23-Mar-(B 13:51MEASURECH2IF締宣CH2 无CH2 5.00-Tek回 ReadyM Pos:小.bu.jjsMEASURECH2 正频宽 8肿如CH2无CH2无CH2无M 25.0.LB23-Mar-06 13:52CH2Z fti.OnV- OS|J图 7.2 电源后面版图规格：长 3

40、55mm 宽 362mm 高 185mm 1、连接电源线后，打开水泵开关。2、将电源开关钥匙打到ON,数字表头启动，说明电源连接正常。3、按下电源上 SIMMER 键，其对应的灯点亮，说明氙灯预然正常。4、按下WORK键，在FREQ SET (pps)上方选择脉冲频率，有每秒1、5、 10、20次四个档，此时FRIQ等闪烁，激光器达到静态输出状态。5、调节CHARGE VOLT旋钮，氙灯注入电压从01000V连续可调6、按下Q-SW SEL内的HV键，给调Q晶体两端加高压(退压式电光调Q), 此时旋转调Q晶体和HV旋钮，使晶体电压在3000-4000V之间，使激光 器达到关闭状态。7、按下Q-SW SEL内的ON旋钮，退去晶体两端电压，同样在FREQSET(pps) 内可选择输出频率，通过 DELAY 旋钮调节退压延时，使其在合适位置， 此时激光输出能量最大，脉宽最窄，激光器处于动态输出状态。8、关电源的顺序与打开电源的顺序正好相反，注意在关闭之前要将电压旋 至0 V，此时关闭电源，拔掉电源线。