常州熔炼设备可行性研究报告

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1、常州熔炼设备可行性研究报告规划设计/投资方案/产业运营报告摘要说明在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生产成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PV

2、ATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来，国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以AS

3、ML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。该中高频熔炼设备项目计划总投资9673.52万元，其中：固定资产投资7013.98万元，占项目总投资的72.51%；流动资金2659.54万元，占项目总投资的27.49%。本期项目达产年营业收入18449.00万元，总成本费用14111.67万元，税金及附加168.34万元，利润总额4337.33万元，利税总额5103.92万元，税后净利润3253.00万元，达产年纳税总额1850.92万元；达产年投资利润率44.84%，投资利税率52.76%，投资回报率33.63%，全部投资回收期4.47年，提供就业职位313个。半导体产业与面板产业相似，都

4、是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新增晶圆厂的比重高达42%，美国为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计，2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶圆生产线

5、共有40条，5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm，领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU，2015年10月与大连市政府合作，投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座，合计

6、产能42.9万片/月。常州熔炼设备可行性研究报告目录第一章 项目总论第二章 项目市场调研第三章 主要建设内容与建设方案第五章 土建工程第六章 公用工程第七章 原辅材料供应第八章 工艺技术方案第九章 项目平面布置第十章 环境保护第十一章 安全生产经营第十二章 风险应对评价分析第十三章 节能概况第十四章 项目实施进度第十五章 项目投资估算第十六章 盈利能力分析第十七章 项目招投标方案附表1：主要经济指标一览表附表2：土建工程投资一览表附表3：节能分析一览表附表4：项目建设进度一览表附表5：人力资源配置一览表附表6：固定资产投资估算表附表7：流动资金投资估算表附表8：总投资构成估算表附表9：营业收入

7、税金及附加和增值税估算表附表10：折旧及摊销一览表附表11：总成本费用估算一览表附表12：利润及利润分配表附表13：盈利能力分析一览表第一章 项目总论一、项目建设背景中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新增晶圆厂的比重高达42%，美国为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计，2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶圆生产线共有40条，5英寸晶圆生产线约有16条。中芯

8、国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm，领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU，2015年10月与大连市政府合作，投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座，合计产能42.9万片/月。在政策和资本的双重驱动

9、下，中国大陆晶圆生产线建设进入了新一轮发展浪潮。除了已经量产的9条12英寸产线外，从2014下半年至2017上半年，中国大陆正在兴建或宣布计划兴建的12英寸晶圆生产线共有20条（包括扩产升级的产线），大大超越了已有数量，这在史上也是绝无仅有的集建设时期。中国大陆正在兴建的12英寸晶圆产线，按主流产品和工艺技术来分，可以分为逻辑（Logic）芯片、存储器（Memory）芯片和专用芯片生产线3类。目前兴建中技术水平最高的厂商依然是中芯国际，其在北京投资40亿美元的B3产线已达到14nm制程；同时还投资675亿元在上海兴建新晶圆厂，生产工艺涵盖28-14nm，并且开始着手研发10/7nm工艺，预计2

10、018年正式投产。而作为台湾地区晶圆代工龙头台积电，也于2017年宣布在南京建设12英寸晶圆厂，这也意味着16nm制程芯片将在大陆量产。除了新建产线，原有的外资12英寸产线也开始了技术升级、产能扩建的进程。其中包括SK海力士（无锡）进行第5期扩建工程，以及三星（西安）进行第二座12英寸晶圆3DNANDFlash工厂建设。根据目前的规划，若这些晶圆厂全部量产，可达到的理论产能约为125万片/月。叠加现有产能，则未来中国12英寸晶圆产能将超过160万片/月，将大大拉动对半导体设备的需求。从2016年下半年起，国内外8英寸晶圆产能日趋紧张，现有的8英寸产线投片量日益饱满，因而在大陆新建和扩建12英寸

11、产线的同时，8英寸晶圆生产线的新建和扩建也随势展开。至今，新建的8英寸晶圆生产线主要有大连宇宙半导体和淮安德克玛等，扩建的8英寸产线主要是中芯国际（天津）Fab7。总体来说，国内的8英寸产线共计21条，其中量产16条，在建或扩建5条，共计产能115万片/月。中国晶圆厂投资迎来爆发期。我们统计了国内所有8英寸及12英寸产线的投资数据，从未来的投资轨迹来看，2017-2020年是晶圆厂投资的高峰期。这四年内，将有20条产线12英寸晶圆产线实现量产，其中包括紫光集团两条、中芯国际四条、长江存储三条，台积电、三星、美国AOS、联华电子、力晶、华力微电子、合肥长鑫、格罗方德、福建晋华、德克玛、SK海力士

12、各一条，合计投资金额约6827亿元（去除紫光成都产线和中芯国际宁波产线，因为其只与政府签订合作意向，项目并未实际动工）。全部投产后，中国的12英寸晶圆产能将领先台湾与韩国。同时，未来国内新增的8英寸晶圆产能45.5万片/月，相比目前的量产规模增长65%，新增投资247亿元。来国内半导体设备市场空间测算：根据我们人工统计的晶圆产线数据，按照产线的投资额进行4年的平滑，可以计算出未来每年晶圆厂投资数据。在过去的十年中，全球半导体设备资本支出占总体资本支出的比例平均约为67%，即一条晶圆产线的全部资本投资中，2/3的资金用于购买设备，剩下的1/3用于厂房建设，包括人员开支、设计、材料等费用。我们以一

13、条15亿美元的产线为例，其中10亿美元用于设备支出，主要的设备包括以下几种：i.光刻机：最高端的ASML光刻机售价高达1亿美元，整条产线根据产能大小只需要几台光刻机即可；ii.等离子刻蚀机：一条产线需要30-50台，单台价格在200-250万美元左右。iii.CVD设备：一个晶圆厂至少需要30台，单台价格200-300万美元。iv.检测设备：最贵的美国检测机单价约为100万-120万美元，其中前道工序需要50台，而后道工序则需要上百台。约70%的市场为前端晶圆制造设备，而封装设备、测试设备的占比分别为15%和10%。由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中不断循环往复，对于设备稳定性和精度的

14、要求极高，这部分设备价值体量也最高，其中最核心装备光刻机、镀膜沉积设备、刻蚀设备分别占晶圆厂设备总投资的20%、15%和14%左右。中国晶圆厂设备未来几年的投资额将达到千亿级别，对应的设备投资额也为585亿-1210亿元不等，我们预计2019年设备投资额将达到近期峰值水平，其中晶圆制造的设备投资额将达到847亿元。由于前道设备技术难度极高，同时国外实施技术封锁，国产企业无法掌握核心技术而较难切入该领域。后道的封装测试环节技术难度相对较低，尤其是测试设备，大陆凭借着技术引进和较低的劳动力成本优势已经在该领域有所建树，2017年测试设备市场规模有望达到59亿元。持续的产能转移不仅带动了国内集成电路

15、整体产业规模和技术水平的提高，也为装备制造业提供了巨大的市场空间。二、报告编制依据1、产业结构调整指导目录。2、建设项目经济评价方法与参数（第三版）。3、建设项目经济评价细则（2010年本）。4、国家现行和有关政策、法规和标准等。5、项目承办单位现场勘察及市场调查收集的有关资料。6、其他有关资料。三、项目名称常州熔炼设备四、项目承办单位xxx实业发展公司五、项目选址及用地综述（一）项目选址方案项目选址位于xxx临港经济技术开发区,地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，建设条件良好。常州，简称常，别称龙城，是江苏省地级市，国务院批复确定的中国长江三角洲地区中心城市之一

16、、先进制造业基地和文化旅游名城。截至2018年，全市下辖5个区、代管1个县级市，总面积4375平方千米，建成区面积261平方千米，常住人口472.9万人，城镇人口342.8万人，城镇化率72.5%。常州地处中国华东地区、江苏南部，是扬子江城市群重要组成部分，北濒长江、东临太湖、西倚茅山、南扼天目山麓；与上海、南京两大城市等距相望。常州市属长江下游平原，兼有高沙平原和山丘湖圩，属于北亚热带季风气候。有圩墩新石器遗址、春秋淹城、天宁寺、红梅阁、文笔塔、藤花旧馆、舣舟亭、太平天国护王府、瞿秋白纪念馆、中华恐龙园、天目湖、金坛茅山风景区、嬉戏谷、东方盐湖城、华夏宝盛园等景点。常州是一座有着3200多年

17、历史的文化古城；春秋末期（前547年），吴王寿梦第四子季札封邑延陵，开始了长达2500多年有准确纪年和确切地名的历史。西汉高祖五年（前202年）改称毗陵。西晋武帝太康二年（281年），改置毗陵郡。自此，常州历朝均为郡、州、路、府治所，曾有过延陵、毗陵、毗坛、晋陵、长春、尝州、武进等名称，隋文帝开皇九年（589年）始有常州之称。2019年，常州市实现地区生产总值（GD）7400.9亿元，按可比价计算增长6.8%，增速高出全省平均水平0.7个百分点。（二）项目用地规模项目总用地面积24138.73平方米（折合约36.19亩），土地综合利用率100.00%；项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照

18、中高频熔炼设备行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局，符合规划建设要求。六、土建工程建设指标项目净用地面积24138.73平方米，建筑物基底占地面积15521.20平方米，总建筑面积30414.80平方米，其中：规划建设主体工程19082.82平方米，项目规划绿化面积2153.43平方米。七、产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：中高频熔炼设备xxx单位/年。综合考xxx实业发展公司企业发展战略、产品市场定位、资金筹措能力、产能发展需要、技术条件、销售渠道和策略、管理经验以及相应配套设备、人员素质以及项目所在地建设条件与运输条件、xxx实业发展公司的投资能力和原辅材料的供应

19、保障能力等诸多因素，项目按照规模化、流水线生产方式布局，本着“循序渐进、量入而出”原则提出产能发展目标。八、投资估算及经济效益分析（一）项目总投资及资金构成项目预计总投资9673.52万元，其中：固定资产投资7013.98万元，占项目总投资的72.51%；流动资金2659.54万元，占项目总投资的27.49%。（二）资金筹措该项目现阶段投资均由企业自筹。（三）项目预期经济效益规划目标项目预期达产年营业收入18449.00万元，总成本费用14111.67万元，税金及附加168.34万元，利润总额4337.33万元，利税总额5103.92万元，税后净利润3253.00万元，达产年纳税总额1850.

20、92万元；达产年投资利润率44.84%，投资利税率52.76%，投资回报率33.63%，全部投资回收期4.47年，提供就业职位313个。九、项目建设单位基本情况（一）公司概况公司坚持以科技创新为动力，建立了基础设施较为先进的技术中心，建成了较为完善的科技创新体系。通过自主研发、技术合作和引进消化吸收等多种途径，不断推动产品技术升级。公司主导产品质量和生产工艺居国内领先水平，具有显著的竞争优势。公司秉承以市场的为导向，坚持自主创新、合作共赢。同时，以产业经营为主体，以技术研究和资本经营为两翼，形成“产业+技术+资本”相生互动、良性循环的业务生态效应。公司自成立以来，在整合产业服务资源的基础上，积

21、累用户需求实现技术创新，专注为客户创造价值。公司秉承“科技创新、诚信为本”的企业核心价值观，培养出一支成熟的售后服务、技术支持等方面的专业人才队伍，建立了完善的售后服务体系。快速的售后服务，有效地提高了客户的满意度，提升了客户对公司的认知度和信任度。公司正处于快速发展阶段，特别是随着新项目的建设及未来产能扩张，将需要大量专业技术人才充实到建设、生产、研发、销售、管理等环节中。作为一家民营企业，公司在吸引高端人才方面不具备明显优势。未来公司将通过自我培养和外部引进来壮大公司的高端人才队伍，提升公司的技术创新能力。（二）公司经济效益分析上一年度，xxx公司实现营业收入12159.56万元，同比增长

22、22.79%（2256.76万元）。其中，主营业业务中高频熔炼设备生产及销售收入为10362.77万元，占营业总收入的85.22%。根据初步统计测算，公司实现利润总额3077.85万元，较去年同期相比增长231.11万元，增长率8.12%；实现净利润2308.39万元，较去年同期相比增长495.27万元，增长率27.32%。十、主要经济指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米24138.7336.19亩1.1容积率1.261.2建筑系数64.30%1.3投资强度万元/亩193.811.4基底面积平方米15521.201.5总建筑面积平方米30414.801.6绿化面积平方米2

23、153.43绿化率7.08%2总投资万元9673.522.1固定资产投资万元7013.982.1.1土建工程投资万元2605.342.1.1.1土建工程投资占比万元26.93%2.1.2设备投资万元2970.702.1.2.1设备投资占比30.71%2.1.3其它投资万元1437.942.1.3.1其它投资占比14.86%2.1.4固定资产投资占比72.51%2.2流动资金万元2659.542.2.1流动资金占比27.49%3收入万元18449.004总成本万元14111.675利润总额万元4337.336净利润万元3253.007所得税万元1.268增值税万元598.259税金及附加万元16

24、8.3410纳税总额万元1850.9211利税总额万元5103.9212投资利润率44.84%13投资利税率52.76%14投资回报率33.63%15回收期年4.4716设备数量台（套）9417年用电量千瓦时566876.9218年用水量立方米14733.2619总能耗吨标准煤70.9320节能率24.22%21节能量吨标准煤18.8522员工数量人313第二章 项目市场调研一、中高频熔炼设备行业发展概况半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。

25、因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。IC产品生产附加值极高，工艺进步依托于设备提升。目前的集成电路技术大多基于元素硅，并在晶片上构建各种复杂电路。硅元素在地壳中的含量达到26.4%，是仅次于氧的第二大元素，而单晶硅则可通过富含二氧化硅的砂石经提炼获得。由价格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生产过程就是硅元素附加值大量增长的过程。从最初的设计，到最终的下线检测，生产过程需经过几十步甚至几百步的工艺，整个制造过程工艺复杂，其中任何一步的错误都可能是最后导致产品失效的原因，因此对设备可靠性的要求极高。下游厂商也愿意为高可靠性、高精度设备支付技术溢价，这也是半导体投资中设备投资占比较高的原

26、因之一。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计（电路与逻辑设计）、制造（前道工序）和封装与测试环节（后道工序）。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。IC设计：是一个将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，主要包含逻辑设计、电路设计和图形设计等。将最终设计出的电路图制作成光罩，进入下一个制造环节。由于设计环节主要通过计算机完成，所需的设备占比较少。IC制造：制造环节又分为晶圆制造和晶圆加工两部分。前者是指运用二氧化硅原料逐步制得单晶硅晶圆的过程，主要包含硅的纯化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，对应的设备分别是熔炼炉、CVD设备、单晶炉和切片机等；晶圆加工则是

27、指在制备晶圆材料上构建完整的集成电路芯片的过程，主要包含镀膜、光刻、刻蚀、离子注入等几大工艺。i.镀膜工艺：通过PECVD、LPCVD等设备，在晶圆表面增加一层二氧化硅构成绝缘层，使CPU不再漏电；ii.光刻工艺：通过光刻机，对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术，加工的晶体管数量和密度都会随着制程工艺的升级而不断加强；iii.刻蚀工艺：通过刻蚀机，对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离；iv.离子注入：通过离子注入机或扩散炉为材料加入特殊元素，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。IC测封：封装是半导体设备制造过程中的最后一个

28、环节，主要包含减薄/切割、贴装/互联、封装、测试等过程，分别对应切割减薄设备、引线机、键合机、分选测试机等。将半导体材料模块集中于一个保护壳内，防止物理损坏或化学腐蚀，最后通过测试的产品将作为最终成品投入到下游的应用中去。IC制造是将光罩上的电路图转移到晶圆上的过程，这段时期硅晶片附加值增长最快。该环节的制造难度相较后端的封装测试要高很多，对于设备稳定性和精度的要求极高，该部分设备投资体量巨大，占整体设备投资的70%以上。其核心工艺主要包含晶圆制造、镀膜、光刻、刻蚀、离子注入5大环节。晶圆制造工艺及设备：硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先硅提纯。将原料

29、放入熔炉中进行化学反应得到冶金级硅，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.9999999%（7个9以上），成为电子级硅。然后在单晶炉中使用提拉法得到单晶硅。即先将多晶硅熔化，然后将籽晶浸入其中，并由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时缓慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去，形成单晶硅棒。硅晶棒再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻后，成为集成电路工厂的基本原料硅晶圆片。二、中高频熔炼设备市场分析预测半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为

30、70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。半导体设备的上游为电子元器件和机械加工行业，原材料包括机械零件、视觉系统、继电器、传感器、计算机和PCB板等，优质的上游产品或服务有助于设备产品的可靠性和稳定性。行业的下游主要为封装测试、晶圆制造、芯片设计。集成电路产品技术含量高、工艺复杂，技术更新和工艺升级依托于装备的发展；反之，下游信息产业不断开发的新产

31、品和新工艺，为设备行业提供了新需求和市场空间。以晶圆加工为例，8英寸的晶圆制造设备无法运用于其他尺寸的加工，因此当半导体行业进入12英寸时代后，8英寸产品需要全部更新换代，由此也带来了设备行业的增量空间，促进了其持续发展。总体设备市场恢复性增长，接近历史最高水平。设备行业与半导体行业整体景气程度密切相关，且波动较大。2008、2009年受到金融危机的影响，同比分别下降31%和46%，2010年强势回升，并于次年达到历史最高点435亿美元，随后受到周期性影响设备支出有所下降。而2016年全球集成电路设备市场规模为412亿美元，同比增长13%。由于随后几年全球各大厂商加速12英寸晶圆厂建设，将带动

32、上游设备销售，2017年全球半导体新设备销售额将达494亿美元，同比增长19.8%，突破历史最高水平。分产品来看，SEMI预计2017年晶圆加工设备达到398亿美元，同比增长21.7%；光罩等其他前端设备23亿美元，增长25.6%；而封装测试装备总计约73亿美元。下游企业竞争日趋激烈，产业预期持续向好。中国设备占比逐步提升。分地区来看，全球半导体设备主要销售区域为中国、日本、韩国、北美和台湾地区，2016年占比分别为16%、11%、19%、11%和30%。中国大陆在05年仅占4%，近几年随着大陆新建晶圆厂的增加，为半导体设备、服务、材料等厂商提供了宝贵的机遇。2016年中国大陆设备销售收入64

33、.6亿美元，同比增长32%，并首次超过日本，成为全球第三大半导体设备销售地区。同时，SEMI预计韩国设备销售将在2017年达到129.7亿美元，超过台湾成为全球第一大市场。晶圆产能集中度提高，12英寸是当前主流。遵循摩尔定律的半导体行业曾经实现了快速增长，在较低成本的基础上带来了强大的计算能力。为了保持成本，既有通过技术进步的小型化之路，也有增大晶圆尺寸的做法。通常，半导体行业每十年升级fab架构来增加晶圆直径，而同时技术进步则是每两年一个节点。随着纳米尺度逼近物理极限，技术进步已经放缓，晶圆尺寸的增加变得越来越重要。目前全球12英寸晶圆产能约为每月11.5百万片，占总体产能的65%左右，未来

34、12英寸产能预计会继续扩张。但是，更大晶圆尺寸的资本投入也会大幅增长，这为更弱小的玩家设置了进入壁垒。设备行业在12英寸平台开发上投入了116亿美元，几乎是开发8英寸平台的9倍。由于这样的尺寸迁移会产生进入壁垒，领先的设备供应商的扩张速度会远优于行业平均水平，促进集中度的提升。行业前十企业的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行业发展的驱动力是技术进步和晶圆尺寸增加带来的多样化新应用和成本降低，这给设备供应商带来了更大的增量空间。二、中高频熔炼设备行业发展趋势分析在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要

35、求更高，运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生产成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝

36、大部分份额。未来，国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。光刻工艺及设备：光刻是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的精密微细加工技术。由于晶圆表面上的电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻也是IC制造最核心的环节。光刻主要步骤是先在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源区和漏区）光刻胶发生变质，然后用腐蚀性液体清洗硅片，除去变质的光刻胶；而被光刻胶覆盖住的部分则不会被刻蚀液影响。光刻工艺价值巨大，AS

37、ML独领风骚。即使是微米级的光刻工艺，也需要重复循环5次以上，而目前的28nm工艺则需要20道以上的光刻步骤，整个光刻成本约为硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占40%-60%。而光刻机则是IC制造中最核心的设备，价值量占到设备总投资的比例约为20%。全球半导体设备龙头ASML在光刻机领域优势巨大，其EUV光刻机工艺水平已经达到10nm的级别，单台设备售价超过1亿美元。公司的市场份额超过60%，甩开了两个老对手Nikon和Canon。极紫外光刻EUV是实现10nm以下工艺制程的最经济手段，并且只有ASML一家供应商具备开发EUV光刻机的能力。因此半导体三巨头英特尔、台积电、三星均争相投资ASML

38、开发EUV技术，助其快速实现量产，以及获得EUV设备的优先购买权。虽然我国上海微电子也研发出光刻机，但由于中国半导体起步较晚，技术上与外资品牌差距巨大。刻蚀工艺：按照掩模图形对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术工艺，是与光刻相联系的图形化处理的主要工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀主要是在较为平整的膜面上用稀释的化学品等刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射。干法刻蚀是用等离子体（气体）进行薄膜刻蚀的技术工艺，通过电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，更快地与材料进行反应，从而利用物理上的能量转移实现刻蚀目的。中微半导体崛起，泛林雄

39、踞榜首。在刻蚀设备领域，美国的泛林半导体凭借着先发优势和大量研发投入保持行业龙头地位，但中国厂商中微半导体在近十年迅速崛起，并开始打入国际市场。中微半导体的16nm刻蚀机实现商业化量产，目前已经进入台积电的5个半导体生产线，7-10nm刻蚀机设备可以与世界最前沿技术比肩。随着中微的崛起，2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告，承认中国已经拥有制造具备国际竞争力刻蚀机的能力，且等离子刻蚀机已经进入量产阶段，因而决定将等离子刻蚀机从美国对中国控制出口名录中去除。离子注入工艺及设备：是人为地将所需杂质以一定方式掺入到硅片表面薄层，并使其达到规定的数量和符合要求的分布形式，主要包括两种方法。高温

40、热扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内一种方法；离子注入法是通过注入机的加速和引导，将能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，与材料中的原子或分子发生一系列理化反应，入射离子逐渐损失能量，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，最后停留在材料中，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。在离子注入机领域，美国应用材料占据了70%以上的市场份额。成膜工艺及设备：主要运用CVD技术（ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积），是把含有构成薄膜元素的反应剂蒸气引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。CVD技术具有淀积温度低、薄膜成份易控的

41、特点，膜厚与淀积时间成正比，均匀性和重复性好，其中应用最广的是PECVD和MOCVD。PECVD（等离子体增强化学气相沉积），是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子很强的化学活性，在基片上沉积出所期望的薄膜；MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），是以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种-V族、-族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压下通氢气的冷壁不锈钢反应室中进行，衬底温度为500-1200，用射频感应加热石墨基座，氢气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。薄膜工艺也是IC制

42、造的一个基础工艺，加工难度较高。该环节设备投资占整体设备的14%-15%。在CVD设备领域，中国与世界先进水平差距较大。美国应用材料几乎涵盖了除光刻机以外的前制程设备，并在CVD及PVD设备领域位居全球市占率第一，而中国企业近年来在“02”专项的支持下也实现了技术突破，其中北方华创的CVD设备已经进入中芯国际28nm生产线，14nm设备正处于验证阶段。第三章 主要建设内容与建设方案一、主要建设内容与规模（一）主要建设内容1、该项目总征地面积24138.73平方米（折合约36.19亩），其中：净用地面积24138.73平方米（红线范围折合约36.19亩）。项目规划总建筑面积30414.80平方米

43、，其中：规划建设主体工程19082.82平方米，计容建筑面积30414.80平方米；预计建筑工程投资2605.34万元。2、配套建设相应的公用辅助工程设施。3、购置主要生产工艺设备，组建相关的生产车间及生产经营管理部门。4、对生产过程中产生的废气、废水、噪声、固废等进行有效治理。（二）项目土建工程方案1、该项目主要土建工程包括：生产工程、辅助生产工程、公用工程、总图工程、服务性工程（办公及生活）和其他工程六部分组成。主要建设内容包括：生产车间、辅助车间、仓储设施（原料仓库和成品仓库）等配套工程和办公室、职工宿舍、围墙、厂区道路及绿化等。2、本期工程项目预计总建筑面积30414.80平方米，其中

44、：计容建筑面积30414.80平方米，计划建筑工程投资2605.34万元，占项目总投资的26.93%。3、本期工程项目建设规划建筑系数64.30%，建筑容积率1.26，建设区域绿化覆盖率7.08%，固定资产投资强度193.81万元/亩。（三）设备购置方案1、该项目需购进先进的生产设备、检测设备、环保设备、安全设施及相关配套设备，设备选型遵循“性能先进、质量可靠、价格合理”的原则，需要购置生产专用设备和检测设备等先进的工艺装备，确保项目的生产及产品检验的需要。2、项目拟选购国内先进的关键工艺设备和国内外先进的检测设备，预计购置安装主要设备共计94台（套），设备购置费2970.70万元。二、产品规

45、划方案（一）产品放方案1、该项目主要从事中高频熔炼设备的生产和销售业务，根据国家有关产业政策和国内外市场对中高频熔炼设备需求预测分析，综合考虑产品市场定位、产能发展需要、资金状况、技术条件、销售渠道、销售策略、管理经验以及相应配套设备、人员素质以及项目所在地建设条件与运输条件、公司的投资能力和原辅材料的供应保障能力等诸多因素，项目按照规模化、流水线生产方式布局，本着“循序渐进、量入而出”的原则提出产能发展规划。2、项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。该项目主要产品为中高频熔炼

46、设备，具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算，根据确定的产品方案和建设规模及预测的中高频熔炼设备产品价格根据市场情况，确定年产量为xxx，预计年产值18449.00万元。（二）营销策略项目承办单位计划在项目建设地建设项目，具有得天独厚的地理条件，与xx省同行业其他企业相比，拥有“立地条件好、经营成本低、投资效益高、比较竞争力强”的优势，因此，发展相关产业前景广阔。在今后的生产经营过程中，根据国内外市场的供求形势，积极拓宽产品营销范围，随着销售市场的不断扩大，相应

47、扩大其生产能力，同时，适时研制开发符合市场需求的新产品，满足国内外不同市场应用领域的需要。产品方案一览表序号产品名称单位年产量年产值1中高频熔炼设备A单位xx8302.052中高频熔炼设备B单位xx4612.253中高频熔炼设备C单位xx2767.354中高频熔炼设备D单位xx1475.925中高频熔炼设备E单位xx922.456中高频熔炼设备F单位xx368.98合计单位xxx18449.00第四章 项目选址科学性分析为了认真贯彻落实国家“十分珍惜，合理利用土地和切实保护耕地”的基本国策，促进建设用地的集约利用优化配置，提高工业项目建设用地的管理水平，中华人民共和国国土资源部制定了工业项目建

48、设用地控制指标。控制指标是对一个工业项目（或单项工程）及其配套工程在土地利用上进行控制的标准，是国土资源管理部门在建设用地预审和审批阶段核定项目用地规模的重要标准，是项目承办单位和设计部门编制项目可研报告和初步设计文件的重要依据。一、选址要求1、项目选址应符合城乡建设总体规划和工业项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。2、所选厂址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的环境敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。应充分利用天然地形，选择土地利用率高

49、征地费用少的场址。4、厂址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。厂址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。5、厂址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便捷有利于及时反馈市场信息。6、对周围环境不应产生污染或对周围环境污染不超过国家有关法律和现行标准允许范围，不会引起当地居民的不满，不会造成不良的社会影响。7、项目建设方案力求在满足生产工艺、防火安全、环保卫生等要求的前提下，尽量合并建筑充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。对各种设施用地进行统筹安排，提

50、高土地综合利用效率，同时，采用先进的工艺技术和设备，达到“节约能源、节约土地资源”的目的。二、项目选址及用地方案常州，简称常，别称龙城，是江苏省地级市，国务院批复确定的中国长江三角洲地区中心城市之一、先进制造业基地和文化旅游名城。截至2018年，全市下辖5个区、代管1个县级市，总面积4375平方千米，建成区面积261平方千米，常住人口472.9万人，城镇人口342.8万人，城镇化率72.5%。常州地处中国华东地区、江苏南部，是扬子江城市群重要组成部分，北濒长江、东临太湖、西倚茅山、南扼天目山麓；与上海、南京两大城市等距相望。常州市属长江下游平原，兼有高沙平原和山丘湖圩，属于北亚热带季风气候。有

51、圩墩新石器遗址、春秋淹城、天宁寺、红梅阁、文笔塔、藤花旧馆、舣舟亭、太平天国护王府、瞿秋白纪念馆、中华恐龙园、天目湖、金坛茅山风景区、嬉戏谷、东方盐湖城、华夏宝盛园等景点。常州是一座有着3200多年历史的文化古城；春秋末期（前547年），吴王寿梦第四子季札封邑延陵，开始了长达2500多年有准确纪年和确切地名的历史。西汉高祖五年（前202年）改称毗陵。西晋武帝太康二年（281年），改置毗陵郡。自此，常州历朝均为郡、州、路、府治所，曾有过延陵、毗陵、毗坛、晋陵、长春、尝州、武进等名称，隋文帝开皇九年（589年）始有常州之称。2019年，常州市实现地区生产总值（GD）7400.9亿元，按可比价计算增

52、长6.8%，增速高出全省平均水平0.7个百分点。通过对可供选择的建设地区进行比选后，综合考虑交通条件、土地取得成本及职工交通便利条件，选择xxx临港经济技术开发区为建厂地址。2017年园区实现工业产值20亿元，利税2万元，分别比上年增长45%和63%。园区作为区域经济的龙头和现代化的新城区，正上着新的目标奋进。所选区域土地资源充裕，而且地理位置优越，地形平坦、土地平整、交通条件便利、配套设施条件具备，符合项目选址要求。项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，按照行业生产规范和要求，进行科学设计、合理布局，符合中高频熔炼设备生产经营的需要。三、项目节约用地措施按照节约用地的基本国策，该项目设计中采

53、取了以下几个方面的措施：1、项目选址在xxx临港经济技术开发区，符合城市总体规划和土地使用控制要求。依托当地生活设施、公共设施、交通运输设施，项目建设区域少建非生产性设施，以利节约用地。2、认真贯彻执行专业化生产原则，除了主要生产过程和关键工序由该项目实施外，其他附属部件采取外协（外购）方式，从而减少了重复建设，节约了资金、能源和土地。3、采用大跨度连跨厂房，方便生产设备的布置，提高厂房的面积利用率，有利于节约土地资源。4、仓库采用简易货架，提高了库房的面积和空间利用率节约了土地。四、项目选址评价1、拟建项目用地位置周围5km以内没有地下矿藏、文物和历史文化遗址，项目建设不影响周围军事设施的建

54、设和使用，也不影响河道的防洪和排涝。项目建设选址周围无粉尘、有害气体、放射性物质和其他扩散性污染源，而且建设区域地形平坦、土地平整、交通便捷、配套设施条件齐备，符合项目选址的根本要求。2、项目选址所处位置交通便利、地理位置优越，有利于项目生产所需原料、辅助材料和成品的运输。通讯便捷、水资源丰富、能源供应充裕，适合于中高频熔炼设备生产经营活动，为此，该区域是发展化工行业的理想场所。3、厂址周围没有自然保护区、风景名胜区、生活饮用水水源地等环境敏感目标，自然环境条件良好。拟建工程地势开阔，有利于大气污染物的扩散，区域大气环境质量良好。4、拟建厂址具备良好的原料供应、供水、供电条件，生产、生活用水全

55、部由xxx临港经济技术开发区提供，完全可以保障供应。5、综上所述，项目选址位于xxx临港经济技术开发区工业项目占地规划区，该区域地势平坦开阔，四周无污染源、自然景观及保护文物，供电、供水可靠，给、排水方便，而且，交通便利、通讯便捷、远离居民区，所以，从厂址周围环境概况、资源和能源的利用情况以及对周围环境的影响分析，拟建工程的厂址选择是科学合理的。第五章 土建工程一、标准规范1、建筑结构可靠度设计统一标准2、建筑抗震设防分类标准3、建筑结构荷载规范4、建筑抗震设计规范5、混凝土结构设计规范6、高层建筑混凝土结构技术规范7、建筑地基基础设计规范8、建筑桩基技术规范9、钢筋混凝土结构设计规范10、钢

56、结构设计规范11、民用建筑设计通则二、土建工程设计要求1、本项目中所有建、构筑物均按永久性建构筑物设计。建筑物设计正常使用年限为50年。2、砌体结构应按规范设置地圈梁及构造柱，建筑物耐火等级均为二级。3、建筑建设地抗震设防烈度为9度。设计基本地震加速度为0.05g，设计地震分组为第一组。本项目建筑物结构设计应符合9度抗震设防的要求，抗震设防类别为乙类，采取相应抗震构造措施。三、建筑结构设计1、拟建厂区场地地势较平坦，无不良工程地质现象，适宜建厂。2、基础工程：根据工程地质条件，荷载较小的建（构）筑物采用天然地基，荷载较大的建（构）筑物采用天然地基或人工挖孔灌注桩。3、车间厂房：采用钢屋架结构，

57、屋面采用彩钢板，墙体采用彩钢夹芯板，基础采用钢筋混凝土基础。4、办公楼：采用现浇钢筋混凝土框架结构，多孔砖非承重墙体，屋面为现浇钢筋混凝土框架结构，基础为钢筋混凝土基础。5、其他用房：采用砖混结构，承重型墙体，基础采用墙下条形基础。四、主要材料选用标准要求1、建筑钢筋选用标准要求：基础受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要构件为HPB300。2、焊条选用标准要求：对于HPB300级钢筋选用E43系列焊条，对于HRB400级钢筋选用E50系列焊条。3、钢材及螺栓：一般钢构件采用Q235B。地脚螺栓一般采用Q235钢。4、水泥选用标准：水泥品种一般采用普通硅酸盐水泥，并根据建、构筑物的特点和所

58、处的环境条件合理选用添加剂，5、混凝土：根据混凝土结构耐久性设计规范GB/T50476之规定确定构筑物结构构件最低混凝土强度等级，基础混凝土结构的环境类别为一类，含设备基础混凝土强度等级采用C30，基础混凝土垫层为C15。6、混凝土保护层：结构构件受力钢筋的混凝土保护层厚度根据混凝土结构耐久性设计规范GB/T50476规定执行。五、土建工程指标项目净用地面积24138.73平方米，建筑物基底占地面积15521.20平方米，总建筑面积30414.80平方米，其中：规划建设主体工程19082.82平方米，项目规划绿化面积2153.43平方米。本期工程项目建设规划建筑系数64.30%，建筑容积率1.

59、26，建设区域绿化覆盖率7.08%，固定资产投资强度193.81万元/亩。土建工程投资一览表序号项目占地面积（）基底面积（）建筑面积（）计容面积（）投资（万元）1主体生产工程10973.4910973.4919082.8219082.821798.101.1主要生产车间6584.096584.0911449.6911449.691114.821.2辅助生产车间3511.523511.526106.506106.50575.391.3其他生产车间877.88877.881106.801106.80107.892仓储工程2328.182328.187365.797365.79504.762.1成品

60、贮存582.04582.041841.451841.45126.192.2原料仓储1210.651210.653830.213830.21262.482.3辅助材料仓库535.48535.481694.131694.13116.093供配电工程124.17124.17124.17124.179.573.1供配电室124.17124.17124.17124.179.574给排水工程142.80142.80142.80142.808.564.1给排水142.80142.80142.80142.808.565服务性工程1474.511474.511474.511474.51101.055.1办公用房

61、790.01790.01790.01790.0149.655.2生活服务684.50684.50684.50684.5043.906消防及环保工程415.97415.97415.97415.9732.076.1消防环保工程415.97415.97415.97415.9732.077项目总图工程62.0862.0862.0862.0894.417.1场地及道路硬化4168.08929.84929.847.2场区围墙929.844168.084168.087.3安全保卫室62.0862.0862.0862.088绿化工程1623.3156.82合计15521.2030414.8030414.802

62、605.34第六章 公用工程一、供电工程（一）供电电源1、本项目供电负荷等级为三级。厂区降压站电源取自国家电网，电源符合国家标准供配电系统设计规范（GB50052-1995）的规定。2、项目建设单位内设配电室，电源进户采用电缆直接埋地敷设引入配电室。厂内供电电压等级380V、TN-C-S系统供电。选择节能型变压器。厂内配电室操作环境，按国标GB50058-92爆炸及火灾危险环境电力装置设计规范的要求设计，3、电源设备选用隔爆型dIIBT4级防爆电器，照明导线穿钢管敷设。其它环境按一般建筑物设计。进入易燃易爆区域的各类电缆采用防火性能较高的阻燃电缆。厂内配电采用放射式配电方式，室外电缆直埋或电缆沟敷设，直埋埋深-1.0m，过路及穿墙穿钢管保护。4、室外电源采用三相四线制3