一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法
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19)中华人民共和国国家知识产权局汐(12 )发明专利申请(10)申请公布号CN111446331A(43)申请公布日2020.07.24(21)申请号 CN202010273749.9(22)申请日 2020.04.09(71)申请人 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司地址314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号(72)发明人 王东;金井升;张玥(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司代理人 田媛媛(51)Int.CI权利要求说明书 说明书 幅图一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法(57)摘要 本申请公开了一种去绕镀方法,包括获得 正面形成有 BSG 层的硅片;在硅片的背面形成氧 化层;在氧化层背离硅片的表面形成多晶硅层, 并对多晶硅层进行磷扩散形成PSG层,且PSG层 的厚度取值范围为30nm至50nm,包括端点值; 利用氢氟酸溶液去除正面绕镀,并利用氢氧化钾 溶液去除正面多晶硅。本申请中PSG层厚度较 厚,利用氢氟酸溶液单面去除正面的绕镀,此时 由于PSG层厚度较厚,起到保护背面氧化层的作
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