兰州关于成立中高频熔炼设备生产公司报告(DOC 47页)

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1、兰州关于成立中高频熔炼设备生产公司可行性报告规划设计/投资分析/实施方案报告摘要说明半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。xxx科技公司由xxx公司（以下简称“A公司”）与xxx科技发展公司（以下简称“B公司”）共同出资成立

2、，其中：A公司出资450.0万元，占公司股份68%；B公司出资210.0万元，占公司股份32%。xxx科技公司以中高频熔炼设备产业为核心，依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验，xxx科技公司将快速形成行业竞争力，通过3-5年的发展，成为区域内行业龙头，带动并促进全行业的发展。xxx科技公司计划总投资21152.78万元，其中：固定资产投资14673.05万元，占总投资的69.37%；流动资金6479.73万元，占总投资的30.63%。根据规划，xxx科技公司正常经营年份可实现营业收入45788.00万元，总成本费用36126.21万元，税金及附加381.87万元，利润总额9661.79万元，

3、利税总额11376.32万元，税后净利润7246.34万元，纳税总额4129.98万元，投资利润率45.68%，投资利税率53.78%，投资回报率34.26%，全部投资回收期4.42年，提供就业职位725个。半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。第一章 总论一、拟筹建公司基本信息（一）公司名称xxx科技公司（待定，以工商登记信息为准）（二）注册资金公司注册资金：660.0万元人民币。（三）股权结构

4、xxx科技公司由xxx公司（以下简称“A公司”）与xxx科技发展公司（以下简称“B公司”）共同出资成立，其中：A公司出资450.0万元，占公司股份68%；B公司出资210.0万元，占公司股份32%。（四）法人代表廖xx（五）注册地址xx产业基地（以工商登记信息为准）兰州，简称兰或皋，古称金城，是甘肃省省会，国务院批复确定的中国西部地区重要的中心城市之一、西北地区重要的工业基地和综合交通枢纽、丝绸之路经济带的重要节点城市。兰州地处中国西北地区、甘肃省中部，位于中国大陆陆域版图的几何中心，是中国大西北铁路、公路、航空的综合交通枢纽，中国人民解放军西部战区陆军机关驻地，也是新亚欧大陆桥中国段五大中心

5、城市之一，西部重要的区域商贸中心和现代物流基地，享有丝路重镇、黄河明珠、西部夏宫、水车之都、瓜果名城等美誉。兰州是古丝绸之路上的重镇，早在5000年前人类就在这里繁衍生息；西汉设立县治，取金城汤池之意而称金城；隋初改置兰州总管府，始称兰州；自汉至唐、宋时期，随着丝绸之路的开通，出现了丝绸西去、天马东来的盛况，兰州逐渐成为丝绸之路重要的交通要道和商埠重镇，联系西域少数民族的重要都会和纽带，是黄河文化、丝路文化、中原文化与西域文化的重要交汇地。2012年8月28日，国务院批复设立西北地区第一个、中国第五个国家级新区兰州新区。文件中明确提出，要把建设兰州新区作为深入实施西部大开发战略的重要举措，并于

6、2020年将兰州发展为西北地区现代化大都市。（六）主要经营范围以中高频熔炼设备行业为核心，及其配套产业。（七）公司简介xxx科技公司由A公司与B公司共同投资组建。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司坚持以科技创新为动力，建立了基础设施较为先进的技术中心，建成了较为完善的科技创新体系。通过自主研发、技术合作和引进消化吸收等多种途径，不断推动产品技术升级。公司主导产品质量和生产工艺居国内领先水平，具有显著的竞争优势。顺应经济新常态，需要公司积极转变发展方式，实现内涵

7、式增长。为此，公司要求各级单位通过创新驱动、结构优化、产业升级、提升产品和服务质量、提高效率和效益等路径，努力实现“做实、做强、做大、做好、做长”的发展理念。依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验，xxx科技公司将快速形成行业竞争力，通过3-5年的发展，成为区域内行业龙头，带动并促进全行业的发展。二、公司主营业务说明根据规划，依托xx产业基地良好的产业基础和创新氛围，充分发挥区位优势，全力打造以中高频熔炼设备为核心的产业示范项目。中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新增晶圆厂的比重高达42%，美国

8、为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计，2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶圆生产线共有40条，5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm，领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了

9、8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU，2015年10月与大连市政府合作，投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座，合计产能42.9万片/月。在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生

10、产成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来，国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。第二章 公司组建背景分析一、中高频熔炼设备项目背景分析在泛半导体行业，国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料，只是前者对晶圆纯度要求更高，运用于泛半导体产

11、业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业，单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等，其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，单位生产成本越低，技术难度也越大。目前国内市场单晶硅生长炉的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉，如德国的PVATePlaAG公司，美国的Kayex公司等。目前，以晶盛机电为代表的国内厂商，其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平，并且拥有明显的成本优势，占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来，国产晶

12、圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。光刻工艺及设备：光刻是在一片平整的硅片上构建半导体MOS管和电路的基础，利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的精密微细加工技术。由于晶圆表面上的电路设计图案直接由光刻技术决定，因此光刻也是IC制造最核心的环节。光刻主要步骤是先在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源区和漏区）光刻胶发生变质，然后用腐蚀性液体清洗硅片，除去变质的光刻胶；而被光刻胶覆盖住的部分则不会被刻蚀液影响。光刻工艺价值巨大，ASML独领风骚。即使是微米

13、级的光刻工艺，也需要重复循环5次以上，而目前的28nm工艺则需要20道以上的光刻步骤，整个光刻成本约为硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占40%-60%。而光刻机则是IC制造中最核心的设备，价值量占到设备总投资的比例约为20%。全球半导体设备龙头ASML在光刻机领域优势巨大，其EUV光刻机工艺水平已经达到10nm的级别，单台设备售价超过1亿美元。公司的市场份额超过60%，甩开了两个老对手Nikon和Canon。极紫外光刻EUV是实现10nm以下工艺制程的最经济手段，并且只有ASML一家供应商具备开发EUV光刻机的能力。因此半导体三巨头英特尔、台积电、三星均争相投资ASML开发EUV技术，助其快速

14、实现量产，以及获得EUV设备的优先购买权。虽然我国上海微电子也研发出光刻机，但由于中国半导体起步较晚，技术上与外资品牌差距巨大。刻蚀工艺：按照掩模图形对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术工艺，是与光刻相联系的图形化处理的主要工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀主要是在较为平整的膜面上用稀释的化学品等刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射。干法刻蚀是用等离子体（气体）进行薄膜刻蚀的技术工艺，通过电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，更快地与材料进行反应，从而利用物理上的能量转移实现刻蚀目的。中微半导体崛起，泛林雄踞榜首。在刻蚀设备领域，

15、美国的泛林半导体凭借着先发优势和大量研发投入保持行业龙头地位，但中国厂商中微半导体在近十年迅速崛起，并开始打入国际市场。中微半导体的16nm刻蚀机实现商业化量产，目前已经进入台积电的5个半导体生产线，7-10nm刻蚀机设备可以与世界最前沿技术比肩。随着中微的崛起，2015年美国商业部的工业安全局特别发布公告，承认中国已经拥有制造具备国际竞争力刻蚀机的能力，且等离子刻蚀机已经进入量产阶段，因而决定将等离子刻蚀机从美国对中国控制出口名录中去除。离子注入工艺及设备：是人为地将所需杂质以一定方式掺入到硅片表面薄层，并使其达到规定的数量和符合要求的分布形式，主要包括两种方法。高温热扩散法是将掺杂气体导入

16、放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内一种方法；离子注入法是通过注入机的加速和引导，将能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，与材料中的原子或分子发生一系列理化反应，入射离子逐渐损失能量，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，最后停留在材料中，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。在离子注入机领域，美国应用材料占据了70%以上的市场份额。成膜工艺及设备：主要运用CVD技术（ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积），是把含有构成薄膜元素的反应剂蒸气引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。CVD技术具有淀积温度低、薄膜成份易控的特点，膜厚与淀积时间成正

17、比，均匀性和重复性好，其中应用最广的是PECVD和MOCVD。PECVD（等离子体增强化学气相沉积），是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子很强的化学活性，在基片上沉积出所期望的薄膜；MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积），是以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种-V族、-族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压下通氢气的冷壁不锈钢反应室中进行，衬底温度为500-1200，用射频感应加热石墨基座，氢气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。薄膜工艺也是IC制造的一个基础工艺，加工难

18、度较高。该环节设备投资占整体设备的14%-15%。在CVD设备领域，中国与世界先进水平差距较大。美国应用材料几乎涵盖了除光刻机以外的前制程设备，并在CVD及PVD设备领域位居全球市占率第一，而中国企业近年来在“02”专项的支持下也实现了技术突破，其中北方华创的CVD设备已经进入中芯国际28nm生产线，14nm设备正处于验证阶段。二、中高频熔炼设备项目建设必要性分析半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备（晶圆加工设备、晶圆制造设备）和后道设备（封装及测试设备），占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业，其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商，在晶圆制

19、造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品，而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。半导体设备的上游为电子元器件和机械加工行业，原材料包括机械零件、视觉系统、继电器、传感器、计算机和PCB板等，优质的上游产品或服务有助于设备产品的可靠性和稳定性。行业的下游主要为封装测试、晶圆制造、芯片设计。集成电路产品技术含量高、工艺复杂，技术更新和工艺升级依托于装备的发展；反之，下游信息产业不断开发的新产品和新工艺，为设备行业提供了新需求和市场空间。以晶圆加工为例，8英寸的晶圆制造设备无法运用于其他尺寸的加工，因

20、此当半导体行业进入12英寸时代后，8英寸产品需要全部更新换代，由此也带来了设备行业的增量空间，促进了其持续发展。总体设备市场恢复性增长，接近历史最高水平。设备行业与半导体行业整体景气程度密切相关，且波动较大。2008、2009年受到金融危机的影响，同比分别下降31%和46%，2010年强势回升，并于次年达到历史最高点435亿美元，随后受到周期性影响设备支出有所下降。而2016年全球集成电路设备市场规模为412亿美元，同比增长13%。由于随后几年全球各大厂商加速12英寸晶圆厂建设，将带动上游设备销售，2017年全球半导体新设备销售额将达494亿美元，同比增长19.8%，突破历史最高水平。分产品来

21、看，SEMI预计2017年晶圆加工设备达到398亿美元，同比增长21.7%；光罩等其他前端设备23亿美元，增长25.6%；而封装测试装备总计约73亿美元。下游企业竞争日趋激烈，产业预期持续向好。中国设备占比逐步提升。分地区来看，全球半导体设备主要销售区域为中国、日本、韩国、北美和台湾地区，2016年占比分别为16%、11%、19%、11%和30%。中国大陆在05年仅占4%，近几年随着大陆新建晶圆厂的增加，为半导体设备、服务、材料等厂商提供了宝贵的机遇。2016年中国大陆设备销售收入64.6亿美元，同比增长32%，并首次超过日本，成为全球第三大半导体设备销售地区。同时，SEMI预计韩国设备销售将

22、在2017年达到129.7亿美元，超过台湾成为全球第一大市场。晶圆产能集中度提高，12英寸是当前主流。遵循摩尔定律的半导体行业曾经实现了快速增长，在较低成本的基础上带来了强大的计算能力。为了保持成本，既有通过技术进步的小型化之路，也有增大晶圆尺寸的做法。通常，半导体行业每十年升级fab架构来增加晶圆直径，而同时技术进步则是每两年一个节点。随着纳米尺度逼近物理极限，技术进步已经放缓，晶圆尺寸的增加变得越来越重要。目前全球12英寸晶圆产能约为每月11.5百万片，占总体产能的65%左右，未来12英寸产能预计会继续扩张。但是，更大晶圆尺寸的资本投入也会大幅增长，这为更弱小的玩家设置了进入壁垒。设备行业

23、在12英寸平台开发上投入了116亿美元，几乎是开发8英寸平台的9倍。由于这样的尺寸迁移会产生进入壁垒，领先的设备供应商的扩张速度会远优于行业平均水平，促进集中度的提升。行业前十企业的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行业发展的驱动力是技术进步和晶圆尺寸增加带来的多样化新应用和成本降低，这给设备供应商带来了更大的增量空间。三、鼓励中小企业发展在我国国民经济和社会发展中，制造业领域民营企业数量占比已达90%以上，民间投资的比重超过85%，成为推动制造业发展的重要力量。近年来，受多重因素影响，制造业民间投资增速明显放缓，2015年首次低于10%，2016年继续下滑至3.6

24、%。党中央、国务院高度重视民间投资工作，近年来部署出台了一系列有针对性的政策措施并开展了专项督查，民间投资增速企稳回升，今年1-10月，制造业民间投资增长4.1%，高于去年同期1.5个百分点。中共中央、国务院发布关于深化投融资体制改革的意见，提出建立完善企业自主决策、融资渠道畅通，职能转变到位、政府行为规范，宏观调控有效、法治保障健全的新型投融资体制。改善企业投资管理，充分激发社会投资动力和活力，完善政府投资体制，发挥好政府投资的引导和带动作用，创新融资机制，畅通投资项目融资渠道。引导民营企业建立品牌管理体系，增强以信誉为核心的品牌意识。以民企民资为重点，扶持一批品牌培育和运营专业服务机构，打

25、造产业集群区域品牌和知名品牌示范区。四、宏观经济形势分析工业化战略需要从高速转向高质量，为此，要深化供给侧结构性改革，提高实体经济供给质量；推进新型工业化与信息化、城市化和农业现代化的协同发展；以大力发展绿色制造业为先导推进可持续工业化；在全面深化开放过程中坚定不移推进制造强国建设；通过区域协调发展战略促进工业化进程的包容性。第三章 市场营销一、中高频熔炼设备行业分析中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间，全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运，占新增晶圆厂的比重高达42%，美国为10座，台湾为9座，下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省

26、半导体行业协会的统计，2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条，其中12英寸晶圆生产线共有9条，8英寸晶圆生产线共有16条，6英寸晶圆生产线共有40条，5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂，经过几次技术改进工艺水平达到65nm。除此之外，中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线，技术节点达到了28nm，领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外，还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而，英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线，随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年

27、完工后用于生产65nm制程CPU，2015年10月与大连市政府合作，投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座，合计产能42.9万片/月。在政策和资本的双重驱动下，中国大陆晶圆生产线建设进入了新一轮发展浪潮。除了已经量产的9条12英寸产线外，从2014下半年至2017上半年，中国大陆正在兴建或宣布计划兴建的12英寸晶圆生产线共有20条（包括扩产升级的产线），大大超越了已有数量，这在史上也是绝无仅有的集建设时期。中国大陆正在兴建的12英寸晶圆产线，按主流产品和工艺技术来分，可以分为逻辑（Logic）芯片、存储器（Memory）芯片和专用芯片生产线3类。

28、目前兴建中技术水平最高的厂商依然是中芯国际，其在北京投资40亿美元的B3产线已达到14nm制程；同时还投资675亿元在上海兴建新晶圆厂，生产工艺涵盖28-14nm，并且开始着手研发10/7nm工艺，预计2018年正式投产。而作为台湾地区晶圆代工龙头台积电，也于2017年宣布在南京建设12英寸晶圆厂，这也意味着16nm制程芯片将在大陆量产。除了新建产线，原有的外资12英寸产线也开始了技术升级、产能扩建的进程。其中包括SK海力士（无锡）进行第5期扩建工程，以及三星（西安）进行第二座12英寸晶圆3DNANDFlash工厂建设。根据目前的规划，若这些晶圆厂全部量产，可达到的理论产能约为125万片/月。

29、叠加现有产能，则未来中国12英寸晶圆产能将超过160万片/月，将大大拉动对半导体设备的需求。从2016年下半年起，国内外8英寸晶圆产能日趋紧张，现有的8英寸产线投片量日益饱满，因而在大陆新建和扩建12英寸产线的同时，8英寸晶圆生产线的新建和扩建也随势展开。至今，新建的8英寸晶圆生产线主要有大连宇宙半导体和淮安德克玛等，扩建的8英寸产线主要是中芯国际（天津）Fab7。总体来说，国内的8英寸产线共计21条，其中量产16条，在建或扩建5条，共计产能115万片/月。中国晶圆厂投资迎来爆发期。我们统计了国内所有8英寸及12英寸产线的投资数据，从未来的投资轨迹来看，2017-2020年是晶圆厂投资的高峰期

30、。这四年内，将有20条产线12英寸晶圆产线实现量产，其中包括紫光集团两条、中芯国际四条、长江存储三条，台积电、三星、美国AOS、联华电子、力晶、华力微电子、合肥长鑫、格罗方德、福建晋华、德克玛、SK海力士各一条，合计投资金额约6827亿元（去除紫光成都产线和中芯国际宁波产线，因为其只与政府签订合作意向，项目并未实际动工）。全部投产后，中国的12英寸晶圆产能将领先台湾与韩国。同时，未来国内新增的8英寸晶圆产能45.5万片/月，相比目前的量产规模增长65%，新增投资247亿元。来国内半导体设备市场空间测算：根据我们人工统计的晶圆产线数据，按照产线的投资额进行4年的平滑，可以计算出未来每年晶圆厂投资

31、数据。在过去的十年中，全球半导体设备资本支出占总体资本支出的比例平均约为67%，即一条晶圆产线的全部资本投资中，2/3的资金用于购买设备，剩下的1/3用于厂房建设，包括人员开支、设计、材料等费用。我们以一条15亿美元的产线为例，其中10亿美元用于设备支出，主要的设备包括以下几种：i.光刻机：最高端的ASML光刻机售价高达1亿美元，整条产线根据产能大小只需要几台光刻机即可；ii.等离子刻蚀机：一条产线需要30-50台，单台价格在200-250万美元左右。iii.CVD设备：一个晶圆厂至少需要30台，单台价格200-300万美元。iv.检测设备：最贵的美国检测机单价约为100万-120万美元，其中

32、前道工序需要50台，而后道工序则需要上百台。约70%的市场为前端晶圆制造设备，而封装设备、测试设备的占比分别为15%和10%。由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中不断循环往复，对于设备稳定性和精度的要求极高，这部分设备价值体量也最高，其中最核心装备光刻机、镀膜沉积设备、刻蚀设备分别占晶圆厂设备总投资的20%、15%和14%左右。中国晶圆厂设备未来几年的投资额将达到千亿级别，对应的设备投资额也为585亿-1210亿元不等，我们预计2019年设备投资额将达到近期峰值水平，其中晶圆制造的设备投资额将达到847亿元。由于前道设备技术难度极高，同时国外实施技术封锁，国产企业无法掌握核心技术而较难切

33、入该领域。后道的封装测试环节技术难度相对较低，尤其是测试设备，大陆凭借着技术引进和较低的劳动力成本优势已经在该领域有所建树，2017年测试设备市场规模有望达到59亿元。持续的产能转移不仅带动了国内集成电路整体产业规模和技术水平的提高，也为装备制造业提供了巨大的市场空间。二、中高频熔炼设备市场分析预测半导体产业与面板产业相似，都是重资产投入，设备投资占总投资规模的比例达到60%以上，其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术，具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。IC产品生产附加值极高，工艺进步依托于设备提升。目前的集成电路

34、技术大多基于元素硅，并在晶片上构建各种复杂电路。硅元素在地壳中的含量达到26.4%，是仅次于氧的第二大元素，而单晶硅则可通过富含二氧化硅的砂石经提炼获得。由价格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生产过程就是硅元素附加值大量增长的过程。从最初的设计，到最终的下线检测，生产过程需经过几十步甚至几百步的工艺，整个制造过程工艺复杂，其中任何一步的错误都可能是最后导致产品失效的原因，因此对设备可靠性的要求极高。下游厂商也愿意为高可靠性、高精度设备支付技术溢价，这也是半导体投资中设备投资占比较高的原因之一。从生产工艺来看，半导体制造过程可以分为IC设计（电路与逻辑设计）、制造（前道工序）和封装与测试环节（

35、后道工序）。设备主要针对制造及测封环节，设计部分的占比较少。IC设计：是一个将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程，主要包含逻辑设计、电路设计和图形设计等。将最终设计出的电路图制作成光罩，进入下一个制造环节。由于设计环节主要通过计算机完成，所需的设备占比较少。IC制造：制造环节又分为晶圆制造和晶圆加工两部分。前者是指运用二氧化硅原料逐步制得单晶硅晶圆的过程，主要包含硅的纯化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，对应的设备分别是熔炼炉、CVD设备、单晶炉和切片机等；晶圆加工则是指在制备晶圆材料上构建完整的集成电路芯片的过程，主要包含镀膜、光刻、刻蚀、离子注入等几大工艺。i.镀膜工艺：

36、通过PECVD、LPCVD等设备，在晶圆表面增加一层二氧化硅构成绝缘层，使CPU不再漏电；ii.光刻工艺：通过光刻机，对半导体晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术，加工的晶体管数量和密度都会随着制程工艺的升级而不断加强；iii.刻蚀工艺：通过刻蚀机，对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离；iv.离子注入：通过离子注入机或扩散炉为材料加入特殊元素，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。IC测封：封装是半导体设备制造过程中的最后一个环节，主要包含减薄/切割、贴装/互联、封装、测试等过程，分别对应切割减薄设备、引线机、键合机、分选测试机等。

37、将半导体材料模块集中于一个保护壳内，防止物理损坏或化学腐蚀，最后通过测试的产品将作为最终成品投入到下游的应用中去。IC制造是将光罩上的电路图转移到晶圆上的过程，这段时期硅晶片附加值增长最快。该环节的制造难度相较后端的封装测试要高很多，对于设备稳定性和精度的要求极高，该部分设备投资体量巨大，占整体设备投资的70%以上。其核心工艺主要包含晶圆制造、镀膜、光刻、刻蚀、离子注入5大环节。晶圆制造工艺及设备：硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤：硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。首先硅提纯。将原料放入熔炉中进行化学反应得到冶金级硅，然后通过蒸馏和化学还原工艺，得到了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999

38、9999%（7个9以上），成为电子级硅。然后在单晶炉中使用提拉法得到单晶硅。即先将多晶硅熔化，然后将籽晶浸入其中，并由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时缓慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去，形成单晶硅棒。硅晶棒再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻后，成为集成电路工厂的基本原料硅晶圆片。第四章 公司组建方案一、公司的名称、性质（一）名称xxx科技公司。（名称待定，以工商登记信息为准）（二）性质xxx公司（A公司）是xxx科技公司的控股企业。xxx科技公司成立后，B公司将作为公司实际经营管理者全面负责公司的日常经营，A公司作为投资方，为公司的发展

39、提供必要的资源和渠道支持。二、公司的组建原则、方式和股东单位概况（一）组建原则1、权责明确。xxx科技公司是自主经营、自负盈亏、自我发展、自我约束的企业法人实体和市场主体。2、优化资源配置。根据国家产业政策，以市场为导向，以经济效益为中心，按照专业化经营和规模经济的要求，调整结构，增强市场竞争能力，提高资源利用效率。3、建立现代企业制度。公司依照公司法逐步建立起符合社会主义市场经济要求的管理体制和运行机制。4、提高竞争能力。在国家宏观调控和行业监管下，公司不断创新经营模式，精干主业，分离辅业，提高综合实力。5、资源共享，合作共赢。通过A公司和B公司的资源整合，建立“目标一致、结果双赢”的合作模

40、式，统筹规划、循序渐进、逐步深入，不断完善运营模式，实现资源互补、渠道共享、合作共赢。（二）组建方式xxx科技公司由A公司与B公司共同出资成立，注册资金660.0万元人民币，其中：A公司出资450.0万元，占公司股份68%；B公司出资210.0万元，占公司股份32%。xxx科技公司为独立法人单位，不承担或涉及任何股东单位债务或权益。（三）股东单位概况1、xxx公司（A公司）经过多年的发展与积累，公司建立了较为完善的治理结构，形成了完整的内控制度。公司始终秉承“集领先智造，创美好未来”的企业使命，发展先进制造，不断提升自主研发与生产工艺的核心技术能力，贴近客户需求，助力中国智造，持续为社会提供先

41、进科技，覆盖上下游业务领域的行业综合服务商。公司秉承以市场的为导向，坚持自主创新、合作共赢。同时，以产业经营为主体，以技术研究和资本经营为两翼，形成“产业+技术+资本”相生互动、良性循环的业务生态效应。上一年度，xxx公司实现营业收入27683.37万元，同比增长15.73%（3763.07万元）。其中，主营业业务中高频熔炼设备营业收入为23137.79万元，占营业总收入的83.58%。上年度主要经济指标序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入5813.517751.347197.686920.8427683.372主营业务收入4858.946478.586015.835784.

42、4523137.792.1中高频熔炼设备(A)1603.452137.931985.221908.877635.472.2中高频熔炼设备(B)1117.561490.071383.641330.425321.692.3中高频熔炼设备(C)826.021101.361022.69983.363933.422.4中高频熔炼设备(D)583.07777.43721.90694.132776.532.5中高频熔炼设备(E)388.71518.29481.27462.761851.022.6中高频熔炼设备(F)242.95323.93300.79289.221156.892.7中高频熔炼设备(.)97.

43、18129.57120.32115.69462.763其他业务收入954.571272.761181.851136.394545.582、xxx科技发展公司（B公司）公司将继续坚持以客户需求为导向，以产品开发与服务创新为根本，以持续研发投入为保障，以规范管理为基础，继续在细分领域内稳步发展，做大做强，不断推出符合客户需求的产品和服务，保持企业行业领先地位和较快速发展势头。根据初步统计测算，公司去年实现利润总额5936.14万元，较去年同期相比增长1390.86万元，增长率30.60%；实现净利润4452.11万元，较去年同期相比增长748.60万元，增长率20.21%。上年度主要经济指标项目单

44、位指标完成营业收入万元27683.37完成主营业务收入万元23137.79主营业务收入占比83.58%营业收入增长率（同比）15.73%营业收入增长量（同比）万元3763.07利润总额万元5936.14利润总额增长率30.60%利润总额增长量万元1390.86净利润万元4452.11净利润增长率20.21%净利润增长量万元748.60投资利润率50.24%投资回报率37.68%财务内部收益率28.05%企业总资产万元36692.86流动资产总额占比万元34.86%流动资产总额万元12791.70资产负债率22.77%三、公司组建方式（一）注册资本xxx科技公司注册资本为人民币660.0万元人民

45、币。（二）经营范围以中高频熔炼设备产业为核心，及其配套产业。（三）法人代表（三）法人代表廖xx（四）注册地址xx产业基地（以工商登记信息为准）四、公司的目标、主要职责和权限（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用3-5年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实

46、力的大型企业集团。（二）主要职责和权限1、执行国家法律、法规和产业政策，在国家宏观调控和行业监管下，以市场需求为导向，依法自主经营。2、根据国家和地方产业政策、中高频熔炼设备行业发展规划和市场需求，制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度计划和重大经营决策。3、根据国家法律、法规和中高频熔炼设备行业有关政策，优化配置经营要素，组织实施重大投资活动，对投入产出效果负责，增强市场竞争力，促进区域内中高频熔炼设备行业持续、快速、健康发展。4、深化企业改革，加快结构调整，转换企业经营机制，建立现代企业制度，强化内部管理，促进企业可持续发展。5、指导和加强企业思想政治工作和精神文明建设，统一管

47、理公司的名称、商标、商誉等无形资产，搞好公司企业文化建设。6、在保证股东企业合法权益和自身发展需要的前提下，公司可依照公司法等有关规定，集中资产收益，用于再投入和结构调整。五、股东的权利及义务A公司和B公司作为xxx科技公司的股东，除了享有公司法规定的公司章程所要求的权利和承担的义务之外，根据新公司发展的实际需求，侧重点不同。（一）A公司的权利及义务1、A公司的权利（1）享有投资收益。A公司作为xxx科技公司的主要出资人，享有投资收益的权利。（2）选择经营管理者。A公司有权通过股东会做出决议选举或者更换公司的董事或者监事，决定董事或者监事的薪酬，通过董事会来聘任或者解聘经理等企业高级管理人员。

48、2、A公司的义务（1）提供必要的渠道资源。为公司发展提供必要渠道和资源的义务，包括但不限于采购渠道、销售渠道、融资渠道等。（2）追加出资义务。追加出资，即股东除了按照各自认缴额出资以外，股东会还可以做出决议，要求股东超过其出资金额再次缴款。（二）B公司的权利及义务1、B公司的权利（1）享有自主经营权。B公司在公司章程范围内，享有自主经营权，全面运营公司的日常经营活动。（2）利益分配权。xxx科技公司的经营收益，B公司享有利益分配权，可根据公司发展的实际需要，合理安排规划资金用途。2、B公司的义务B公司作为xxx科技公司的实际运营者，应遵守及时向股东大会反馈公司真实经营状况的义务，包括但不限于财

49、务状况、人事任免、团队建设、投资计划等。六、运营期组织机构（一）法人治理结构xxx科技公司按照现代企业制度的要求进行组织和运行，建立有股东大会、董事会、监事会、总经理及高层管理人员分级权限决策的治理结构。xxx科技公司组织经营机构的设置按照“精简、高效”的原则，而且业务开展、专业技术培训、经营管理活动必须服从公司统一管理；为保证各部门及全体员工之间的协调配合，以完成企业经营目标，按照中华人民共和国公司法的规定并结合企业实际情况对企业的组织机构进行设置。根据xxx科技公司发展需要，其治理结构如下：设置董事会xx人，其中：xx人由A公司委派，xx人由B公司委派；执行监事xx人；董事长1人，并兼任法

50、人代表；总经理1人，财务负责人1人。（二）公司管理体制xxx科技公司实行董事会领导下的总经理负责制，各部门按其规定的职能范围，履行各自的管理服务职能，而且直接对总经理负责；公司建立完善的营销、供应、生产和品质管理体系，确立各部门相应的经济责任目标，加强产品质量和定额目标管理，确保公司生产经营正常、有效、稳定、安全、持续运行，有力促进企业的高效、健康、快速发展。总经理的主要职责如下：（1）全面领导企业的日常工作；对企业的产品质量负责；向本公司职工传达满足顾客和法律法规要求的重要性。（2）制定并正式批准颁布本公司的质量方针和质量目标，采取有效措施，保证各级人员理解质量方针并坚持贯彻执行。（3）负责

51、策划、建立本公司的质量管理体系，批准发布本公司的质量手册。（4）明确所有与质量有关的职能部门和人员的职责权限和相互关系。（5）确保质量管理体系运行所必要的资源配备。（6）任命管理者代表，并为其有效开展工作提供支持。（7）定期组织并主持对质量管理体系的管理评审，以确保其持续的适宜性、充分性和有效性。（三）各部门职责及权限xxx科技公司计划设置3个主要职能部门：销售部、战略发展部、行政部。1、销售部职责说明（1）协助总经理制定和分解年度销售目标和销售成本控制指标，并负责具体落实。（2）依据公司年度销售指标，明确营销策略，制定营销计划和拓展销售网络，并对任务进行分解，策划组织实施销售工作，确保实现预

52、期目标。（3）负责收集市场信息，分析市场动向、销售动态、市场竞争发展状况等，并定期将信息报送商务发展部。（4）负责按产品销售合同规定收款和催收，并将相关收款情况报送商务发展部。（5）定期不定期走访客户，整理和归纳客户资料，掌握客户情况，进行有效的客户管理。（6）制定并组织填写各类销售统计报表，并将相关数据及时报送商务发展部总经理。（7）负责市场物资信息的收集和调查预测，建立起牢固可靠的物资供应网络，不断开辟和优化物资供应渠道。（8）负责收集产品供应商信息，并对供应商进行质量、技术和供就能力进行评估，根据公司需求计划，编制与之相配套的采购计划，并进行采购谈判和产品采购，保证产品供应及时，确保产品

53、价格合理、质量符合要求。（9）建立发运流程，设计最佳运输路线、运输工具，选择合格的运输商，严格按公司下达的发运成本预算进行有效管理，定期分析费用开支，查找超支、节支原因并实施控制。（10）负责对部门员工进行业务素质、产品知识培训和考核等工作，不断培养、挖掘、引进销售人才，建设高素质的销售队伍。2、战略发展部主要职责（1）围绕公司的经营目标，拟定项目发实施方案。（2）负责市场信息的收集、整理和分析，定期编制信息分析报告，及时报送公司领导和相关部门；并对各部门信息的及时性和有效性进行考核。（3）负责对产品供应商质量管理、技术、供应能力和财务评估情况进行汇总，编制供应商评估报告，拟定供应商合作方案和

54、合作协议，组织签订供应商合作协议。（4）负责对公司采购的产品进行询价，拟定产品采购方案，制定市场标准价格；拟定采购合同并报总经理审批后，组织签订合同。（5）负责起草产品销售合同，按财务部和总经理提出的修改意见修订合同，并通知销售部门执行合同。（6）协助销售部门开展销售人员技能培训；协助销售部门对未及时收到的款项查找原因进行催款。（7）负责客户服务标准的确定、实施规范、政策制定和修改，以及服务资源的统一规划和配置。（8）协调处理各类投诉问题，并提出处理意见；并建立设诉处理档案，做到每一件投诉有记录，有处理结果，每月向公司上报投诉情况及处理结果。（9）负责公司客户档案、销售合同、公司文件资料、营销

55、类文件资料、价格表等的管理、归类、整理、建档和保管工作。3、行政部主要职责（1）负责公司运行、管理制度和流程的建立、完善和修订工作。（2）根据公司业务发展的需要，制定及优化公司的内部运行控制流程、方法及执行标准。（3）依据公司管理需要，组织并执行内部运行控制工作，协助各部门规范业务流程及操作规程，降低管理风险。（4）定期、不定期利用各种统计信息和其他方法（如经济活动分析、专题调查资料等）监督计划执行情况，并对计划完成情况进行考核。五、在选择产品供应商过程，定期不定期对商务部部门编制的供应商评估报告和供应商合作协议进行审查，并提出审查意见。（5）负责监督检查公司运营、财务、人事等业务政策及流程的

56、执行情况。（6）负责平衡内部控制的要求与实际业务发展的冲突，其他与内部运行控制相关的工作。第五章 SWOT分析一、优势分析（S）1、丰富的行业经验。B公司从事中高频熔炼设备行业多年，积累了丰富的管理和运营经验。2、成熟的渠道资源。一方面，B公司已在全国多个地区拥有上百家经销商，在中高频熔炼设备领域形成了一套完善、稳定的营销体系。另一方面，依托A公司的渠道优势，可为xxx科技公司的组建提供战略规划、投融资渠道等各方面的资源支持。二、劣势分析（W）1、A公司与B公司属于独立法人主体，在共同组建新公司的过程中以及日后的经营管理过程中有可能出现分工不清、信息传递不畅而造成决策不统一的问题。2、公司坚持

57、“市场主导、政策引导”的发展原则，相关政策的变化将会对xxx科技公司的可持续发展产生不确定性影响。三、机会分析（O）目前，中高频熔炼设备行业正在经历新一轮的“洗牌期”。由于产业政策、市场需求等多种因素的共同影响，中高频熔炼设备行业市场供给环境变化迅速，市场的不确定性对行业参与者提出了更高的要求。B公司深耕中高频熔炼设备行业多年，深谙行业发展规律。一批不能满足市场需求的从业者的必然淘汰，势必将为xxx科技公司的发展提供了机遇。四、威胁分析（T）中高频熔炼设备行业已完全进入市场化运作模式，且市场发展具有一定的周期性规律。产业政策和市场需求的双重利好会吸引大量的投资涌入中高频熔炼设备领域，短时间内存

58、在市场饱和、恶性竞争等不利因素的可能。第六章 投资计划一、固定资产投资估算固定资产投资主要用于建筑工程（场地建设）、设备购置等，预计固定资产投资为14673.05万元。固定资产投资估算表序号项目单位建筑工程费设备购置及安装费其它费用合计占总投资比例1项目建设投资万元6506.946430.14176.3814673.051.1工程费用万元6506.946430.1436416.321.1.1建筑工程费用万元6506.946506.9430.76%1.1.2设备购置及安装费万元6430.146430.1430.40%1.2工程建设其他费用万元1735.971735.978.21%1.2.1无形资

59、产万元863.47863.471.3预备费万元872.50872.501.3.1基本预备费万元498.59498.591.3.2涨价预备费万元373.91373.912建设期利息万元3固定资产投资现值万元14673.0514673.05二、流动资金投资估算根据该阶段的运营特点，为了维持正常生产经营活动，xxx科技公司必须具备一定数量的最低周转资金，包括各种必备的存货、必要的现金和银行存款、应收账款及预付款项等；该阶段流动资金估算采用分项详细估算法进行测算，对存货、现金、应收账款、应付账款的最低周转天数，参照同类企业的平均合理周转天数并结合该阶段的运行特点确定。依据规划，所需流动资金6479.7

60、3万元。流动资金投资估算表序号项目单位达纲年指标第一年第二年第三年第四年第五年1流动资产万元36416.3218692.7525238.8236416.3236416.3236416.321.1应收账款万元10924.906008.698739.9210924.9010924.9010924.901.2存货万元16387.349013.0413109.8816387.3416387.3416387.341.2.1原辅材料万元4916.202703.913932.964916.204916.204916.201.2.2燃料动力万元245.81135.20196.65245.81245.81245

61、.811.2.3在产品万元7538.184146.006030.547538.187538.187538.181.2.4产成品万元3687.152027.932949.723687.153687.153687.151.3现金万元9104.085007.247283.269104.089104.089104.082流动负债万元29936.5916465.1223949.2729936.5929936.5929936.592.1应付账款万元29936.5916465.1223949.2729936.5929936.5929936.593流动资金万元6479.733563.855183.786479

62、.736479.736479.734铺底流动资金万元2159.891187.951727.932159.892159.892159.89三、总投资构成分析总投资为21152.78万元，其中：固定资产投资14673.05万元，占总投资的69.37%；流动资金6479.73万元，占总投资的30.63%。总投资构成估算表序号项目单位指标占建设投资比例占固定投资比例占总投资比例1总投资万元21152.78144.16%144.16%100.00%2建设投资万元14673.05100.00%100.00%69.37%2.1工程费用万元12937.0888.17%88.17%61.16%2.1.1建筑工程费万元6506.9444.35%44.35%30.76%2.1.2设备购置及安装费万元6430.1443.82%43.82%30.40%2.2工程建设其他费用万元863.475.88%5.88%4.08%