微波芯片电容器产业发展工作意见

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1、微波芯片电容器产业发展工作意见把握传统汽车向电动化、智能化、网联化的新能源汽车和智能网联汽车转型的市场机遇，重点推动车规级传感器、电容器（含超级电容器）、电阻器、频率元器件、连接器与线缆组件、微特电机、控制继电器、新型化学和物理电池等电子元器件应用。鼓励企业、高等院校及科研院所提升知识产权保护意识，完善知识产权管理制度并开展国内外知识产权布局。探索建立专利池，围绕电子元器件开展专利分析和预警。开展知识产权试点企业培育工作。一、 完善人才引育机制（一）加大人才培养力度深化产教融合，推动高等院校优化相关学科建设和专业布局。鼓励企业建立企业研究院、院士和博士后工作站等创新平台，建立校企结合的人才综合

2、培训和实践基地，支持企业开展员工国内外在职教育培训。（二）加强人才引进培育多渠道引进高端人才和青年人才，加快形成具有国际领先水平的专家队伍。发挥行业组织及大专、高等院校作用，鼓励企业培育和引进掌握关键技术的科技人才和团队，为产业发展提供智力支持。（三）引导人才合理流动引导企业通过合规途径招聘人才，保障人才在企业间的正常流动，加强职业道德宣传，降低人员流动损失，鼓励企业为人才创造有利的成长空间，提升福利待遇，完善人才职业晋升通道，提升电子元器件行业人才归属感。二、 加强公共平台建设（一）建设分析评价公共平台支持有能力、有资质的企事业单位建设国家级电子元器件分析评价公共服务平台，加强质量品质和技术

3、等级分类标准建设，围绕电子元器件各领域开展产品检测分析、评级、可靠性、应用验证等服务，为电子系统整机设计、物料选型提供依据。（二）建设科技服务平台支持地方、园区、企事业单位建设一批公共服务平台，开展知识产权培训与交易、科技成果评价、市场战略研究等服务。鼓励建设专用电子元器件生产线，为MEMS传感器、滤波器、光通信模块驱动芯片等提供流片服务。建设创新创业孵化平台。支持电子元器件领域众创、众包、众扶、众筹等创业支撑平台建设，推动建立一批基础电子元器件产业生态孵化器、加速器，鼓励为初创企业提供资金、技术、市场应用及推广等扶持。三、 加大政策支持力度围绕电子元器件产业，推动生产、应用、融资等合作衔接，

4、加快市场化推广应用。充分利用产业基础再造等渠道支持创新突破。鼓励制造业转型升级基金等加大投资力度，引导地方投资基金协同支持。发挥市场机制作用，鼓励社会资本参与，吸引风险投资、融资租赁等多元化资金支持产业发展。四、 电子元器件细分产品的行业发展概况行业细分产品包括微波芯片电容器、薄膜电路、薄膜无源集成器件、微波介质频率器件。其中微波芯片电容器包括微波瓷介芯片电容器和微波硅基芯片电容器，其中微波瓷介芯片电容器是微波高频领域的关键基础元器件，电子对抗、卫星通信等高端装备配套的T/R组件、功率模块等具体场景，在民用方面配套于5G通信、光通信等领域的5G基站射频模块、光通信TOSA/ROSA模块等具体场

5、景；微波硅基芯片电容器是一种新兴产品，除可以应用于以上微波毫米波领域外，还可以应用于汽车电子、5G通信、光通信领域和医疗电子等民用领域。薄膜电路是高频微波电路的载板，普遍应用于军、民用领域需要高频微波电路的场景。薄膜无源集成器件是5G基站射频模块的配套元器件，与微波芯片电容器一同应用于5G基站射频模块中。微波介质频率器件主要应用于武器装备的精确制导领域，该产品已经在相关型号导弹等国防重大装备或国家航空航天重点工程中应用。（一）微波瓷介芯片电容器行业发展概况微波瓷介芯片电容器是陶瓷电容器的主要类别之一，采用光刻、磁控溅射的半导体薄膜工艺制备而成，具有微波特性优良、尺寸小、厚度薄、等效串联电阻低、

6、损耗低等优点，应用频率可高达100GHz，而且适应微组装的键合工艺，成为雷达、微波模块和光电器件等和民用微波设备不可或缺的电子元件。1、全球微波瓷介芯片电容器市场近年来，移动通信技术从4G时代逐渐发展到5G时代，频段越来越高，支持的应用越来越丰富。5G时代的到来将搭建大量的宏基站和微基站，基站数量的快速增长将拉动微波瓷介芯片电容器的市场需求。同时，雷达、电子对抗设备等新型武器装备以及光通信器件等对微波瓷介芯片电容器的需求也呈现大幅增长态势。据统计，微波瓷介芯片电容器2021年全球市场规模约为3972亿元，同比增长1510%，预计到2025年将达到7031亿元，2021年-2025年的平均增长率

7、约为1555%。全球微波瓷介芯片电容器生产企业主要集中在日本、美国、中国大陆以及欧洲，行业集中度较高。自从京瓷收购美国AVX后，日本以5860%的市场份额在单层瓷介电容器行业占据霸主之位。美国排名第二，占比约为1950%，欧洲在全球微波瓷介芯片电容器行业也占有一席之地。我国从事微波瓷介芯片电容器研发和生产的供应商主要有宏明电子、天极科技、宏达电子、振华云科等数家，相对于国际知名厂商生产规模均不大，其中宏明电子和天极科技，分别以310%和220%的市占率在全球市场取得一席之地。2、中国微波瓷介芯片电容器市场近两年，在国内5G通信行业快速发展以及武器装备更新换代的双重拉动下，微波瓷介芯片电容器国内

8、市场规模增长形势较好。据统计，微波瓷介芯片电容器2021年达到1242亿元，到2025年将达到2427亿元，2021年至2025年的平均增长率约为1873%。在现有产业规模下，我国本土微波瓷介芯片电容器生产企业仍有很大的空间。在中国市场微波瓷介芯片电容器品牌厂商中，美日厂商占有率超过70%，主要是部分国内本土企业尚未突破上游晶界层型3类瓷的研发制备技术，而且量产技术积累不足。但国内微波瓷介芯片电容器骨干企业不断加大研发投入并积极扩产，本土企业不断通过技术创新，已在微波瓷介芯片电容器的关键材料晶界层陶瓷材料的研发生产上取得重大技术突破，所制备的晶界层陶瓷材料的各项性能指标已可跟国外领先厂商相媲美

9、，逐步抢占市场份额。（二）薄膜电路行业发展概况混合集成电路是集成电路的重要门类，按照制作工艺不同，可分为厚膜混合集成电路、薄膜混合集成电路。薄膜混合集成电路更适合于要求精度高、稳定性能好的微波电路，主要应用于光通信、微波通信等领域。1、全球薄膜集成电路市场薄膜混合集成电路以其高精度及良好的稳定性用于微波电路，主要面向高端领域。近几年移动通信技术从4G时代逐渐发展到5G时代，频段越来越高。5G通信需要搭建大量的宏基站、微基站，基站数量的快速增长拉动光通信模块行业、工业互联网、安防监控领域等领域的发展，进而拉动这些领域对薄膜混合集成电路的需求。此外，随着自动驾驶商业化加速，将会极大拉动汽车对薄膜混

10、合集成电路的需求。据估算，薄膜混合集成电路2021年全球市场规模约为17883亿元，同比增长1040%，约占全球混合集成电路市场规模的1496%。预计到2025年，全球薄膜混合集成电路市场规模可达到23763亿元，2021-2025年复合增长率约为740%。2、国内薄膜集成电路市场国内薄膜混合集成电路发展较晚，相对厚膜混合集成电路生产的企业较少，主要为一些科研院所，2018年之前中国薄膜混合集成电路市场长期依赖进口，欧美品牌的薄膜混合集成电路产品占据中国市场绝大部分份额。2018年受中美贸易关系影响，国内下游企业认识到产品自主可控的重要性，开始积极寻求国内混合集成电路供应商，逐渐认可国内薄膜混

11、合集成电路企业的品牌和技术实力。薄膜混合集成电路2021年国内市场规模为3596亿元，约占国内混合集成电路市场规模的1273%，同比增长1180%。随着国产化高速推进及国内下游微波市场的高速增长，预计到2025年国内市场规模可达到5010亿元，2021-2025年复合增长率为862%。（三）薄膜阻容网络随着电子设备不断向小型化、轻量化等方向发展，薄膜阻容网络是一种基于无源集成技术逐渐兴起的新型元器件。目前在全球范围内，只有AVX等少数企业提供同类产品，国内仅有振华科技、中电科03等少数科研单位和企业研制生产。发挥行业在介质材料、基片制造、薄膜制备、金属化工艺、高精度光刻等优势，成功研发该产品，

12、目前主要应用于5G通讯设备的射频模块。该产品目前尚无公开披露的行业市场规模情况。根据其下游应用场景来看，未来5年是5G基站射频器件更新换代的高峰，5G时代基站射频器件的市场空间将超过500亿，未来三年内我国5G基站新建总数为1627万，2025年总数将达3627万，未来建设总量仍有较大空间，将进一步带动薄膜阻容网络的市场需求。行业薄膜阻容网络作为射频模块关键基础元器件，随着5G基站快速发展内呈现爆发式增长，销售金额分别为053万元、95604万元、1，85098万元和1，40888万元，2019年至2021年的复合增长率高达5810%。（四）微波硅基芯片电容器IPD（IntegratedPas

13、siveDevices集成无源器件）是一种基于薄膜的集成无源器件技术，其本质是基于硅或玻璃的无源器件集成技术，是为了迎合无源系统小型化而产生的技术，具有布线密度高、体积小、重量轻、集成度高，可集成多种器件实现不同功能、高频特性好及可用于微波及毫米波领域等优点。随着半导体制造能力的提升，从亚微米进入到纳米阶段，主动式电子元件的集成度随之大幅提升，相应的搭配主动式元件的无源集成元件需求量也迅速增加。据统计，随着通信系统使用的无源元件越来越多，目前电子元件基本采用表面贴装方式，占据着90%多的系统元件、80%多的系统电路板面积。其中硅基集成无源器件是在硅基板上利用晶圆代工厂的工艺，采用光刻技术蚀刻出

14、不同图形，形成不同的器件，从而实现各种无源元件如电阻、电容、电感、滤波器、耦合器等的高密度集成，这种方式可以节省电路板空间，实现电性能更好、成本更低、IP保护、产品链供应和可靠性更好。一方面，通信设备的小型化、高性能、低成本等要求将推动硅基集无源器件市场呈现出巨大商机；另一方面，对于无线通信的下一代技术，需要支持更高的频段，以推动对其他微型组件的需求，而IPD可以为小型化提供了经济高效的解决方案，将增加IPD技术在电路中的采用；此外，硅基集成无源器件的集成将有助于减少电信基础设施产品的尺寸和功耗，因此在开发与5G兼容的滤波器和双工器等射频模块产品过程中运用硅基集成无源器件和IPD技术至关重要。

15、集成无源器件（IPD）市场预计将在2031年达到约40亿美元，预计年复合增长率为10%。处理器的嵌入式去耦电容（即硅基电容器）是采用IPD技术、通过先进3D集成实现的一类元器件。中国电子元器件十四五发展规划提出加快硅电容器等采用半导体工艺的尖端电容器技术的研发和产业化进度。硅电容器作为尖端电容器，具有更小的介质损耗、更好的温度稳定性、更高的使用频率（最高可达100GHz以上）等优点。预计2031年全球硅电容器的销售额将达到2650亿美元。五、 总体目标到2023年，优势产品竞争力进一步增强，产业链安全供应水平显著提升，面向智能终端、5G、工业互联网等重要行业，推动基础电子元器件实现突破，增强关

16、键材料、设备仪器等供应链保障能力，提升产业链供应链现代化水平。（一）产业规模不断壮大电子元器件销售总额达到21000亿元，进一步巩固我国作为全球电子元器件生产大国的地位，充分满足信息技术市场规模需求。（二）技术创新取得突破突破一批电子元器件关键技术，行业总体创新投入进一步提升，射频滤波器、高速连接器、片式多层陶瓷电容器、光通信器件等重点产品专利布局更加完善。（三）企业发展成效明显形成一批具有国际竞争优势的电子元器件企业，力争15家企业营收规模突破100亿元，龙头企业营收规模和综合实力有效提升，抗风险和再投入能力明显增强。六、 电子元器件行业的发展机遇和挑战（一）电子元器件行业的发展机遇电子元器

17、件是电子系统的基础部件，是能够完成预定功能且不能再分割的电路基本单元。由于电子元器件的数量、品种众多，因此其性能、可靠性等参数对电子产品的系统性能、可靠性、寿命周期等技术指标的影响极大。行动计划在重点产品高端提升行动中提出电路类元器件。重点发展微型化、片式化阻容感元件，高频率、高精度频率元器件，耐高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块，高性能、多功能、高密度混合集成电路。在关键材料技术方面提出支持电子元器件上游电子陶瓷材料研发和生产，提升配套能力，推动关键环节电子专用材料研发与产业化。（二）电子元器件行业所面临的挑战我国微波电子元器件起步较晚，相比于国外知名企业长期的积累，国内企业在

18、市场占有率、技术水平、管理水平、技术储备上仍存在一定的劣势，尤其是在国际市场上的认可度相对较低。在国内市场上，得益于近年来的政策扶持和国产化的需求，国内微波无源元器件企业数量不断增加，使得市场竞争进一步加剧。七、 健全产业配套体系鼓励和引导化工、有色金属、轻工机械、设备仪器等企业进入电子元器件领域，开展关键材料、设备的研发和生产，推进产学研用协同创新，实现全产业链协同发展，增强试验验证能力，提升关键环节配套水平。（一）引导产业转型升级提升智能化水平。引导企业搭建数字化设计平台、全环境仿真平台和材料、工艺、失效分析数据库，基于机器学习与人工智能技术，推进关键工序数字化、网络化改造，优化生产工艺及质量管控系统，开展智能工厂建设，提升智能制造水平。八、 优化产业发展环境加强对电子元器件行业垄断、倾销、价格保护、侵犯知识产权等不正当竞争行为的预警和防范，维护公平竞争、健康有序的市场发展环境。促进行业诚信经营、依法纳税、节能环保、和谐用工。引导电子元器件行业信用体系建设，推行企业产品标准、质量、安全自我声明和监督制度。