超大规模集成电路芯片生产线项目环境影响报告书

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1、 中芯国际XXXX集成电路制造（北京）有限公司超大规模集成电路芯片生产线项目环境影响报告书总论1.1项目背景现代社会已进入以微电子技术为核心的信息时代，信息产业已经成为现代经济的重要支柱产业。微电子技术和微电子工业是信息产业的核心和基础，又是一个国家科技水平、工业水平和综合国力的体现。微电子技术和微电子工业的代表是集成电路产业，该产业属于技术、人才与資本密集型产业。.隨着信息产业的迅速发展，通讯設备、网络设备和个人計算机需求持续增长，大大促進了集成电路市场的扩大。为此，預期20002010年全世界集成电路的年平均增长率可达2025%，近年來，国际上集成电路的加工生产重心己转移到亚太地区。我国拥

2、有发展集成电路产业最重要的人力和智力资源，在面对世界经济激烈竞争的时刻，加快发展集成电路产业是一项紧迫而长期的任务，意义十分重大。中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司超大规模集成电路芯片生产线项目是国内建设深亚微米集成电路的重大工程。深亚微米工艺技术已是国际上的主流生产技术，本项目的实施可以推广在国内微电子技术的升级发展，提高电子产品开发、生产能力，并促进我国集成电路产业走向国际。目前，我国的超大规模集成电路芯片设计大部分采用国内设计、境外加工的流程，一些设计在真正转化成芯片时，会出现转换受阻和模块兼容性等问题，需要花费相当长的时间进行整改。本项目的建设可以加强设计与加工的交流与合

3、作，这是缩短投片时间、提高芯片质量的重要环节。本项目建设单位是中芯国际XXXX集成电路制造有限公司，它是一家在开曼群岛注册的股份有限公司，从事包括芯片代理加工在内的各种经营项目，包括：各类半导体（硅片及各类化合物半导体）集成电路芯片制造及测试，与集成电路有关的开发设计服务、技术服务、光掩膜制造、测试封装，销售自产产品等。公司计划以北京XX投资为主，有计划地在北京XX建立芯片的加工生产线，并实现量产。本项目建于北京XX经济技术开发区内。拟建设80.350.18m，预计量产时，月投片30000片；12先进制程线，0.130.09m，月投产3000片。集成电路产业是电子信息产业的核心，随着科技的发展

4、，电子信息产业将以更快的速度发展。微电子技术的发展目标是不断提高集成电路的性能和性价比，不断缩小半导体器件的特征尺寸。本项目建设期确定为8年，建设期2年（20022003年，实际1.25年），建设投产期2年，达产期4年。总投资为12.5亿美元，所需的资金由投资方以注册资本投入6亿美元，5000万美元由投资方自筹，6亿美元通过境内外银行贷款解决。本项目预计5.78年后即可收回全部投资，达产年平均创利税19469.88万美元，说明该项目有较好的盈利能力。“中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司超大规模集成电路芯片生产线项目”是北京XX经济技术开发区的建设项目之一，也进一步加速推动了国外集

5、成电路产业向我国转移，使我国尽快成为世界集成电路生产制造基地之一。 2003年6月5日国家发展和改革委员会颁发了发改高技2003604号文“印发国家发展改革委员会关于审批中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司建设超大规模集成电路芯片生产线项目建议书的请示的通知”，2003年6月30日北京XX市发展计划委员会颁发了京计高技文20031059号文“关于转发国家发展改革委关于中芯国际XXXX集成电路芯片生产线项目建议书的请示的通知”。根据中华人民共和国环境保护法、建设项目环境保护管理条例（国务院令253号）和国家环境总局的有关规定，该项目属国家环保总局审批项目。受中芯国际XXXX集成电路制

6、造（北京XX）有限公司的委托，北京XX市环境保护科学研究院承担本项目的环境影响报告书的编制工作。1.2 编制依据1.2.1环保政策、法规1中华人民共和国环境保护法，1989年12月；2中华人民共和国环境影响评价法，2003年9月1日起实施；3中华人民共和国大气污染防治法，2000年4月；4中华人民共和国水污染防治法，1996年5月；5中华人民共和国环境噪声污染防治条例，1996年10月；6中华人民共和国固体废物污染环境防治法，1995年10月；7建设项目环境保护管理条例，国务院令第253号，1998年11月；8关于加强工业节水工作的意见国经贸资源20001015号；9关于推行清洁生产的若干意见

7、，国家环保局环控19970232号，1997年4月；10GB18597-2001危险废物贮存污染控制标准；11关于危险废物转移联单管理办法；12北京XX市环境保护局“关于执行危险废物转移联单管理办法的通知”；13中华人民共和国清洁生产促进法，2002年6月；14北京XX市环境空气质量功能区划；15北京XX市水环境功能区划；17北京XX市国民经济和社会发展第十五个计划纲要18亦庄卫星城总体规划(2001-2020年)。1.2.2立项文件 国家发展和改革委员会文件发改高技2003604号文“印发国家发展改革委员会关于审批中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司建设超大规模集成电路芯片生产线

8、项目建议书的请示的通知”。1.2.3批复文件 1国家发展和改革委员会文件发改高技2003483号文“国家发展改革委关于审批中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司建设超大规模集成电路芯片生产线项目建议书的请示”；2北京XX市发展计划委员会的京计高技文20031059号文“关于转发国家发展改革委关于中芯国际XXXX集成电路芯片生产线项目建议书的请示的通知”；3北京XX经济技术开发区管委会文件京技管2002233号关于外商独资北京XX中芯环球半导体有限公司微电子厂房可行性研究报告的批复；4中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司建设超大规模集成电路芯片生产线项目环境影响评价大纲，2

9、003年6月；5关于中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司建设超大规模集成电路芯片生产线项目环境影响评价大纲的评估意见，国环评估纲2003143号。 1.2.4技术导则 1HJ/T2.12.393环境影响评价技术导则；2HJ/T2.41995环境影响评价技术导则声环境；1.2.5技术文件 1信息产业电子第十一设计研究院承担编制的北京XX中芯环球半导体有限公司超大规模集成电路芯片生产线项目初步设计；2国家危险废物名录；3中芯国际XXXX集成电路制造（上海）有限公司的一期工程“三同时”竣工验收环境保护设施监测报告；4中芯国际XXXX集成电路制造（上海）有限公司提供的各种监测和测试报告。1

10、.2.6任务委托书 中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司环境影响评价任务委托书。1.3评价工作总体设计本评价核心问题是在北京XX经济技术开发区内，中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司建设超大规模集成电路芯片生产线项目，从环保角度分析是否可行。围绕这一核心问题，评价工作将从以下几个方面侧重加以讨论： 评价区环境质量现状；结合北京XX市经济技术开发区总体规划（亦庄卫星城总体规划），论证厂址选择的环境可行性；从水资源的供给和利用等方面论证项目选址的可行性，进一步分析并提出节水途径和措施；拟建项目的清洁生产水平；对有毒危险品的储运及使用进行风险分析；污染治理措施；污染物达标排放

11、分析等七个方面进行全面阐述。以实现北京XX市经济技术开发区的经济效益、社会效益和环境效益协调发展为最终目的。 1.4评价目的和工作原则1.4.1评价目的 通过对项目拟建地周围地区环境现状调查，以及对拟建项目生产工艺、工程污染源的调查与分析，预测项目投产后对环境可能造成的影响程度、范围以及当地环境可能发生的变化状况，并在此基础上，对拟建项目建设的可行性从环境角度做出结论。同时提出相应的环保治理措施与建议，为领导的决策、设计部门的设计和建设单位的管理提供依据。本次评价最终目的就是结合芯片生产项目的特点和环境敏感问题，及早发现该项目可能发生的环境问题，提出解决这些环境问题的途径，给出环境监管和治理措

12、施方案。做到既对环境保护管理的法律、法规、制度和技术保障负责，也要对建设单位负责。 1.4.2评价原则 在工程项目的评价中，要认真贯彻执行国家、北京XX市和北京XX经济技术开发区的有关法律和法规，在贯彻执行“一控双达标”和清洁生产的前提下，以确保拟建项目实施后的环境污染问题得到有效解决，做到既要发展生产，又要保护环境的宗旨，实现可持续发展的战略。具体评价方法如下：1根据（86）国环字第117号文件精神，在保证报告书质量的前提下，尽量收集利用已有的资料和数据，并结合必要的调查和监测，适应建设项目的需要。2结合北京XX市经济技术开发区发展总体规划、环境功能区划，论证厂址选择的环境可行性。3本工程所

13、需用水全部来自城市自来水，对水量的需求相当大。北京XX是水资源紧缺地区，为了地区的持续发展，必须节约用水。本评价重点是节水问题，扩大废水回用率，确保节水、减污方针得以落实。 4本工程属于新建项目，环境影响评价工作需要算清楚项目按计划实施后公司各种污染物的实际排放量。根据上海同类产品实测资料，结合本项目的产量和工艺特点进行污染源强的核算。5按照清洁生产、总量控制、达标排放的原则，项目建成后，公司污染物排放浓度和总量报请主管环保管理部门，作为本公司核定总量控制指标的依据。1.5评价等级1.5.1环境空气质量等级 根据环境影响评价技术导则大气环境（HJ/T2.293）的有关要求，评价工作的分级参照主

14、要大气污染物的等标排放量和地形条件来确定，见下式： 式中：Pi等标排放量（m3/h）； Qi单位时间排放量（t/h）； Coi大气环境质量标准（mg/m3）。本项目处于平原地区，大气污染源中主要污染物为HF、HCl、NH3和NOX等，其等标排放量（Pi）见表1-1。表1-1 拟建工程主要污染物等标排放量（Pi）序号污染物Pi1HF0.441072HCl0.301073NH30.031074NOX0.001107由表1-1可知，HF等标排放量最大，Pi为0.44107，远小于2.5108，据此，将大气环境影响评价工作等级定为三级。1.5.2水环境影响评价等级 本项目建成后生产废水和生活污水将纳入

15、市政污水管网，建设项目污水水质复杂程度为中等，污水排放量约3666m3/d。因此，本项目将分析该工程废污水经处理后是否符合市政污水管网排放标准。据此，按照环境影响评价技术导则地面水环境（HJ/T2.393）的有关规定，可以将本项目的水环境影响评价工作等级定为三级。1.5.3噪声评价工作等级 本项目建设地点位于工业区，离居民生活区较远，预计本工程项目建成投产后，噪声对居民不会有很大影响。根据声环评导则，本项目噪声评价工作定为三级。1. 6评价工作重点 根据拟建项目的工程性质和当地的自然和社会环境特点，确定本评价的重点为：1工程分析、工程所排大气污染物、水污染物、固体废弃物及噪声的污染防治措施及其

16、对周围环境的影响。2清洁生产中节水措施分析，从水资源角度论述本项目的可行性。1.7评价范围1.7.1大气评价范围 以工程拟建地为中心，东-西方向边长4km，北-南方向边长4km，评价面积约为16km2。1.7.2水环境影响评价范围 拟建工程排水口至受纳市政下水道有关管段。1.7.3噪声评价范围 厂界外1m（厂界围墙）处。1. 8环境保护目标从本项目所处的地理位置及周边环境分析，项目开发区内没有重要文物古迹和珍稀动植物，因此把在评价范围内的居民区、学校和医院等受影响人群作为本次评价的环境保护敏感点。主要有：旭东房地产、卡尔生活馆、大雄房地产等本项目以西和西北侧的一片居民区和学校，还有北京XX职教

17、园和北工大实验学院等 。主要环境保护目标见表1-2。表1-2 主要环境保护目标序号主要环境保护目标距离（m）方位（相对与本项目）开发区内的地块号1多伦多国际医院1750北侧2亦庄卫生院1875西北侧3贵园北里五区2000西北侧4贵北一区1900西北侧5贵园南里五区1850西北侧6贵园南里一区1750西北侧7贵南四区1725西北侧8贵南二区1650西北侧9富园南里三区1500西北侧10亦鸣春晓1600西北侧11新康家园1700北侧112昕涛雅园 1500北侧13东晶国际公寓1525北侧14大雄城市花园1650北侧215一栋洋房1225北侧1116鹿鸣苑1375北侧1217长新别墅1350北侧12

18、18金地四季翠园950北侧1819狮城百骊1000北侧1720卡尔生活馆750北侧2421旭东房地产650北侧2522大雄房地产800北侧2623星岛三四期2275西北侧24青年公寓1500南侧X1225北工大实验学院800西南侧X426北京XX职教园1075东南侧X527亦庄中学1725西北侧28亦庄小学1930西北侧29开发区实验学校1325西北侧830社区体育中心1325西北侧831双语幼儿园1250西北侧932同仁医院1175东南侧6233三海子公园1825西侧1. 9评价因子的确定根据项目所在地区的环境特征和保护目标敏感程度，并参照筛选结果，选定下列因子作为评价因子：1.9.1大气评

19、价因子 1环境质量现状评价因子TSP、 PM10、SO2、 NO2、氟化物、HCl、Cl2、NH3、硫酸雾、非甲烷总烃和恶臭共11项。2环境影响预测因子HF、HCl、硫酸雾、Cl2、NH3、非甲烷总烃和NOX共7项。1.9.2水评价因子 1排水评价因子PH、CODcr、BOD5、SS、F、NH3-N、TOC和AOX 共8项。2地下水水质现状评价因子除常规外，主要为钨、硼2项。 1.9.3声环境评价因子 1环境质量现状评价因子环境背景值（厂界噪声（Leq）2环境影响预测因子厂界噪声（Leq）1.9.4固体废物评价因子 水处理污泥、生产过程中产生的废溶剂、废酸、废异丙醇等物质以及生活垃圾等。1.9

20、.5土壤评价因子 砷（As）、硼（B）、氟（F）和钨（W） 共4项。1.9.6施工期环境影响分析因子 施工扬尘和噪声1.9.7总量控制因子 1大气污染物总量控制因子HF。2水污染物总量控制因子CODcr 、NH-N。3固体废物总量控制因子各类工业固体废物和生活垃圾。1.10评价标准1.10.1大气评价标准1.10.1.1大气污染物排放标准新建生产线大气排放标准（部分污染物）执行GB16297-1996大气污染物综合排放标准中（表2）新污染源二级标准，氨执行GB14554-93恶臭污染物排放标准中氨的限值，PH3、H3PO4和SiH4等采用荷兰排放导则中的标准，具体指标见表1-3。表1-3 大气

21、污染物综合排放标准污染物最高允许排放浓度(mg/m3)最高允许排放速率 (kg/h)20m30m40m50m60mH2SO4雾452.68.8152333NOx2401.34.47.51216氟化物90.170.591.01.52.2HCl1000.431.42.63.85.4Cl265-0.872.95.07.7非甲烷总烃1201753100-氨*1-8.72035-75H3PO45.0*20.05*2SiH45.0*20.05*2PH31.0*20.01*2*1取自GB14554-93中氨的限值*2菏荷兰排放导则本项目建有天然气锅炉房和VOC使用天然气，其污染物排放标准，执行北京XX市地方

22、标准锅炉污染物综合排放标准（DB11/139-2002）中燃气锅炉的规定，见表1-4。表1-4 锅炉大气污染物排放限值污染物名称最高允许排放浓度(mg/Nm3)标准来源(DB11/139-2002)烟尘10全部区域、全部段SO220NOx2001.10.1.2环境空气质量标准环境空气质量执行GB3095-1996环境空气质量标准（2000年修改本）中的二级标准和TJ36-79工业企业设计卫生标准居住区大气中有害物质的最高允许浓度，大气环境质量标准限值见表1-5。 表1-5 各项污染物的浓度限值 单位：mg/m3污染物取值时间浓度限值（二级）标准来源SO2年平均0.06环境空气质量标准（GB30

23、95-1996）日平均0.151小时平均0.50TSP年平均0.20日平均0.30NO2年平均0.08日平均0.121小时平均0.24PM10年平均0.10日平均0.15氟化物（F-）日平均7(g/Nm3)1小时平均20(g/Nm3)NH3最高允许浓度一次0.20工业企业设计卫生标准（TJ36-79）居住区大气中有害物质的最高允许浓度HCl一次0.05日平均0.015硫酸雾一次0.30日平均0.10Cl2一次0.10日平均0.03总烃*日平均2.0以色列国家标准1小时平均5.0*作为非甲烷总烃标准的参考值恶臭厂界标准值执行国家GB1454-93中氨的标准，见表1-6。表1-6 恶臭污染物厂界标

24、准值控制项目 单位 厂界二级恶臭浓度无量纲201.10.2废水排放评价标准1.10.2.1废水排放标准本项目污水按规划排入开发区污水处理厂，最终汇入凉水河。目前，开发区污水处理厂已建成，排水水质按照北京XX市水污染物排放标准(试行)中“排入城市下水道的水污染物排放标准”中的B标准和污水综合排放标准（GB8978-1996）中的三级标准中的严格标准限值执行。本项目污染物最高允许排放浓度见表1-7。表1-7 本项目水污染物最高允许排放浓度 （单位：mg/L，除PH外）项目CODcrPHF-SSBOD5AOXTOC氨氮最高允许排放浓度 5006-9104003008.0-采用标准名称北京XX市水污染

25、物排放标准排入市政下水道标准中的B标准污水综合排放标准中的三级标准1.10.2.2 地表水环境质量标准凉水河水质评价采用GB3838-2002地表水环境质量标准中的类标准，见表1-8。 表 1-8 地表水类标准项目NH3-NCODBOD高锰酸盐指数石油类溶解氧阴离子表面活性剂标准值2.04010151.020.31.10.3固体废物标准执行中华人民共和国固体废物污染环境防治法、关于危险废物转移联单管理办法、危险废物贮存污染控制标准以及北京XX市环境保护局“关于执行危险废物转移联单管理办法的通知”中的有关规定。1.10.4噪声标准根据北京XX市噪声功能区的划分，该地区属于噪声环境功能区的3类区。

26、因此，拟建地周围的环境噪声执行国家城市区域噪声标准(GB3096-93)中3类标准，标准限值见表1-89，厂界噪声执行工业企业厂界噪声标准(GB1234890)中“III类”地区的规定，见表1-910。表1-8 9 城市区域环境噪声标准单位：dB(A)适用标准昼间夜间适用范围城市区域环境噪声标准3类6555工业区表1-9 10 工业企业厂界噪声标准 等效声级：dB(A) 类别昼夜III65551.10.5施工期噪声施工期噪声应执行建筑施工场界噪声限值标准(GB12523-90)的有关规定，具体数值详见表表1-1011。 表1-10 11 施工期噪声执行标准施工阶段主要噪声源噪声限值dB(A)昼

27、间夜间土石方推土机、挖掘机、装载机等7555打桩各种打桩机等85禁止施工结构混凝土搅拌机、振捣棒、电锯等7055装修吊车、升降机等65551.10.6土壤环境本项目所在区域的砷（As）采用土壤环境质量标准（GB15618-1995）中的二级标准进行评价，其标准值见表1-1112。表1-1112 土壤环境质量标准值 mg/Kg指标PH7.5砷(旱地)4030251.10.7绿化标准执行北京XX市城市绿化管理条例中的有关规定，即“新建住宅区和其它成片建设地区的绿化，要与建设工程同时规划，同时设计，在郊区其绿化面积不得少于百分之三十”的规定。”11 中芯国际XXXX集成电路制造（北京）有限公司超大规

28、模集成电路芯片生产线项目环境影响报告书2工程概况2.1项目投资方情况2.1.1项目投资方及法定代表人 投资方名称：中芯国际XXXX集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际XXXX）Semiconductor Manufacturing International Corporation（以下简称SMIC） 公司注册地址：PO Box 309，Grand Cyman 法定代表人：Richard R.Chang（(张汝京)2.1.2经营范围 包括各类半导体（硅片及各类化合物半导体）集成电路芯片制造、针测及测试，与集成电路有关的开发服务、技术服务、光掩摸制造、测试封装，销售自产产品。 2.2拟建项目基

29、本情况 2.2.1项目性质、投资及建设地点项目名称：中芯国际XXXX集成电路制造（北京XX）有限公司超大规模集成电路芯片生产线项目项目注册地址：北京XX市北京XX经济技术开发区文昌大道18号建设性质：新建项目企业性质：外企独资 建设地点：北京XX经济技术开发区文昌大道18号，北京XX经济技术开发区41和47地块上，拟建项目在开发区位置见图2-1，开发区地理位置见图2-2。 项目总规划用地：240030m2，其中一期工程占地136753 m2项目一期建设面积：180422.43 m2项目一期投资：12.5亿美元2.2.2项目实施方案和进度l 实施方案总项目分两期规划建设4个Fab（生产厂房），环

30、评按一期2个Fab进行评价。l 项目进度本项目实施计划见表2-1。表2-1 项目实施计划时间进度要点2003年06月立项审批2003年08月可行性报告批准、编写环境影响评价报告书2004年02月土建（结构）完成 2004年03月动力设备、净化安装完成 2004年04月工艺设备安装完成2004年06月Fab4月产2000片2005年01月Fab4月产16000片2005年07月Fab4月产28000片2004年11月Fab5土建完成2005年03月Fab5净化间安装完成2005年05月Fab5工艺设备安装完成2005年06月Fab5月产2000片2005年08月Fab5月产3000片2.2.3人

31、员编制及生产制度l 人员编制本项目员工预计2500人，其中生产及辅助人员1700人，技术人员800人。l 生产班次采用4班2运转，每天2班，每班12小时，2天上班2天休息的工作制度，每年除7天动力检修外连续工作。2.2.4投资估算和资金筹备 公司总投资为12.5亿美元，所需的资金由投资方以注册资本投入6亿美元，5000万美元由投资方自筹，6亿美元由投资方通过境内外银行代款解决。 总投资中建设投资113967.00万美元，流动资金11033.00万美元。环保投资约为1亿美元，约占项目总投资的8%。2.3建设规模和产品方案项目一期生产规模和产品：1建设80.350.18m IC Foundry 生

32、产线，月投片30000片，实现芯片制造的规模化生产；2建设12先导线，0.130.09m，月投片3000片。2.4项目组成和主要设备2.4.1项目组成本项目由生产设施、动力设施、化学品设施、气体设施、环保设施、安全卫生设施、消防设施、管理服务设施以及相应的建筑物组成。芯片项目组成见表2-2。 表2-2 芯片项目组成表序号设施名称内容1生产设施生产厂房（FAB4、FAB5）、支持厂房（FAB6C）包括：集成电路芯片生产设施、集成电路测试设施、实验设施、各种库房、生产管理设施。2动力设施动力厂房（CUB2），包括：水泵房、纯水站、空压站、冷冻站、锅炉房、真空站、净化、通风和排风系统、消防等；变电站

33、（PS2）、柴油发电机房（备用）、大宗气体供应站（空分装置）。3辅助设施化学品库（CW2）、硅烷站（SiH4）、天然气调压站（NG）、特殊气体供应系统、大宗气体供应系统，空分主装置(PL-2E)， 包括： 主空气压缩机, 氮气压缩机。工厂空气装置（CDA），包括：空气压缩机。4环保设施工业废水处理系统、生活污水处理系统、废气处理系统、废液、废渣收集系统、绿化、雨水回收处理系统。5服务设施办公楼（OS2），包括：办公、会议、餐厅等用房；停车场6厂外设施排水管线、蒸汽管线、天然气管线、工艺物料外管线、高压输电线注：本项目新鲜水、电、蒸汽、天然气的供给及生产、生活污水末端处理依托开发区2.4.2生产

34、线设备 生产线设备主要包括： 大圆片生产设备 探针测试（p/w）设备 组装、可靠性测试及成品测试设备 计算机辅助设计（CAD）设备 工艺设备主要包括氧化扩散炉、低压化学气相沉积（LPCVD）、常态化学气相沉积（APCVD）、高压气相沉积PECVD、步进光刻机、涂胶显影系统、刻蚀系统、湿法腐蚀清洗系统、离子注入机、金属化溅射系统、电子束光刻系统等。本项目主要设备的数量和供货方见表2-3和表2-4。表2-3 8英寸生产线引进设备清单序号设备名称厂家数量1Dishing & Errosion检测设备KLA-Tencor/USA12Dielectric thickness measurement介质厚

35、度测量THERMAWAVE (USA)/Rudolph (USA)33Metal Thickness Measurement金属厚度测量Rudolph (USA)/Nanometrics (USA)14High Resolution Profiler 高清晰度靠模机KLA-TENCOR (UAS)15Overlay measurement 覆盖度量测机ACCENT (USA)/KLA-Tencor (USA)96StarLight Mask Inspection System星光罩检查系统KLA-TENCOR (USA)17Field Patterened Wafers 面图案晶圆KLA-TE

36、NCOR (USA)38Defect Review 缺陷复查器KLA-TENCOR (USA)/AMAT (USA)19Review Station 检查站Leica (GER)/SONY (JAP)410Sheet Resistance 薄膜电阻检查机KLA-TENCOR (USA)/KE (USA)311Stress Gauge 压力标准检查器KLA-TENCOR (USA)/KE (USA)212TXRF X射线光谱分析设备Philips Technos (HOLLAND)213In-line WAT Tester 测试机Keithley (USA)/Agilent (USA)314In

37、-line WAT Prober 探查机TEL (JAP)/TSK (JAP)315Defect Inspection 缺陷检查机AMAT (USA)/KLA-Tencor (USA)716Auto Macro Defect Inspection自动宏观缺陷检查机Nikon (JAP)/Nidek (JAP)317Dose Measurement 剂量检测机THERMAWAVE (USA)118Optistation-(AEI、ADI)光学台Nikon (JAP)/Nidek (JAP)719Profiler靠模工具机KLA-TENCOR (USA)220Particle Counter 微粒

38、计数器KLA-TENCOR (USA)/AMAT (USA)821FTIR傅立叶变换红外光谱仪ACCENT (USA)122Backside Thickness Measurement晶背厚度检测器Philips Technos (HOLLAND) /KLA-TENCOR (USA)123Reticle Charger /Macro Check Station宏观检测器HOGAN-SMIC (CN)124Microscope/Wafer Loader显微镜Nikon (JAP)/Nidek (JAP)825Surface Charge Analyzer表面电荷分析KLA-TENCOR (USA

39、)/SDI (USA)126Ammonia Detector氨检测仪MOLECULAR (USA)/Yokogawa (JAP)127SEM扫描电镜HITACHI (JAP)/KLA-TENCOR (USA)2228Film Thickness膜厚测量仪THERMAWAVE (USA)/AMAT (USA)629WAT IV Tester 测试仪Keithley (USA)/Agilent (USA)130XRF X射线荧光光谱仪RIGAKU (JAP)131Backside grinder 倒角机DISCO (JAP)132Cu CMP铜化学机械抛光AMAT (USA)/LAM (USA)6

40、33Ash 去灰设备Mattson (USA)/Axcelis (USA)134Al Etch 铝刻蚀设备Lam (USA)/AMAT (USA)135Oxide Etcher 氧化物刻蚀TEL (JAP)/SCCM (USA)1036Alloy furnace 合金炉管设备TEL (JAP)/KE (JAP)137Polyimide cure聚酰亚胺复原设备TEL (JAP)/KE (JAP)438BARC coater BARC覆膜设备TEL (JAP)/KE (JAP)139Polyimide coat-4C聚酰亚胺4C覆膜设备FSI (USA)/TEL (JAP)140Polyimid

41、e develop聚酰亚胺显影设备FSI (USA)/TEL (JAP)141CMP( Poly、STI、W、Oxide)化学机械抛光设备AMAT (USA)/LAM (USA)2142barrier & seed 光栅和种源AMAT (USA)/Novellus (USA)543ECD Cu 铜制程电导检测器;AMAT (USA)/Novellus (USA)344FSG dep第一石墨化阶段设备AMAT (USA)/Novellus (USA)245SiN and SiON 氮化硅和氮氧化硅生成设备AMAT (USA)/Novellus (USA)346Wafer Scrubber擦片机T

42、EL (JAP)/DNS (JAP)1847BPTEOS 硼磷有机硅涂层设备AMAT (USA)/Novellus (USA)448IMD_HDP/FSG 中电流_高密度电浆生成器AMAT (USA)/Novellus (USA)949Nitride PASS Dep 氮化物测试设备AMAT (USA)/Novellus (USA)250INORGANIC ARC & PEOxide_IMD 无机电弧&高密度电浆氧化机AMAT (USA)/Novellus (USA)751HDP_STI高密度电浆量测仪AMAT (USA)/Novellus (USA)352PETEOS Cap_ILD高密度电浆有机硅覆盖设备AMAT (USA)/Novellus (USA)553W CVD钨化学气相淀积AMAT (USA)/Novellus (USA