ESD与TCADSilvaco仿真浙江大学课件

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1、ESD与TCAD仿真报告人：浙大微电子 崔强Email:1共163页Welcome!热烈欢迎各位参加本次讲座的学员。由于本人水平有限，在座的各位如果有什么问题，请立刻打断我。2共163页Welcome!本次讲座分3个小节，中途有两次休息，欢迎大家和我探讨。1.单元1：TCAD简介2.单元2：ESD的TCAD仿真简介3.单元3：ESD的仿真评价体系3共163页单元11.1：TCAD总体简介1.2：Tsuprem4/Medici1.3：Athena/Atlas1.4：Dios/Dessis（ISE-TCAD）4共163页1.1：TCAD总体简介TCADTechnology Computer Aid

2、ed DesignTsuprem/Medici（Avanti，被Synopsys收购）Athena/Atlas（Silvaco公司）Dios/Dessis（Ise公司，被Synopsys 收购）5共163页1.2：Tsuprem4/MediciTsuprem4/Medici是Avanti公司的二维工艺、器件仿真集成软件包。Tsuprem4是对应的工艺仿真软件，Medici是器件仿真软件。在实践中，可以将Tsuprem4的工艺仿真的结果导入到Medici中，从而进行较为精确的仿真。6共163页1.2.1：Tsuprem4CAPABILITIESTSUPREM-4 simulates silico

3、n IC process fabrication1.Ion Implantation2.Epitaxial growth3.Diffusion4.Oxidation of silicon and polysilicon5.Etching and deposition6.Silicidation of silicon and polysilicon7共163页SPECIFICATIONS1.Two-dimensional2.Supports up to 40,000 nodes3.Written in C8共163页COMMAND INPUT LANGUAGE The input languag

4、e is made up of commands and corresponding parameters1.There is only one command per line2.The line can be up to 80 characters long.If it s longer,we can continue in the next line,but the last character in the previous line must be a“+”character.9共163页TYPES OF COMMANDSThere are two types of commands

5、1.Declaration(used to set parameters)2.Action(execution used to perform a process step)10共163页PARAMETERS There are three types of parameters1.Numerical(e.g.temp=1000)2.Logical(e.g.clear)3.Character(e.g.“NMOS3A”)11共163页FILES ASSOCIATED WITH RUNNING TSUPREM-4 SIMULATIONS1.Input file(*.inp)2.Output fil

6、e(*.out appended automatically by program)3.TSUPREM-4 structure file(*.str)4.MEDICI/DAVINCI file(*.dev)5.Universal(TIF)format file(*.tif)12共163页CREATE A SIMULATION1.Setting up the initial grid2.Models and coefficients(method)3.Process statements(deposition,expose,develop,etch,implant,diffusion,epita

7、xy)4.Electrical calculations in TSUPREM-45.Extracting results(Non-electrical)from TSUPREM-413共163页1.2.2：Medici Features：1.Medici solves Poissons equation and the current continuity of electrons and holes in two dimensions2.These equations can be extended to include the heat equation and the energy-b

8、alance equations3.The following modes of analysis can be considered:DC,AC,Transient14共163页Doping and structure information can either be input from a process simulator e.g.TSUPREM4 or generated within MEDICIA wide range of mobility and recombination/generation models availableOutput to parameter ext

9、raction programs such as Aurora possible15共163页Full post processing capabilities including plotting internal quantities,terminal characteristicsExtract capability makes calculations with a wide range of parameters possible for pre and post processing solutions.A target parameter can be identified fo

10、r optimization16共163页Advanced Application Modules1.Lattice temperature AAM solves the heat equation2.Optical Device AAM enhanced radiation effects,ray tracing3.Heterojunction device AAM conduction across a material boundary with discontinuous energy gap17共163页4.Programmable device AAM allows a charg

11、e boundary condition on a floating electrode5.Circuit Analysis AAM allows devices to be treated as circuit elements in a SPICE type circuit6.Anisotropic device AAM allows anisotropic material parameters useful in the treatment of SiC type applications18共163页MESHInitiates a mesh and must appear first

12、 when defining a structure.X.MESHY.MESHELIMINATEUsed to specify exact locations of mesh lines produces a rectangular grid which can be reduced in density by using ELIMINATE to remove excess nodes away from area of interestCREATE A SIMULATION19共163页SPREADBOUNDARYOlder statements whose function is no

13、longer so necessary.SPREAD allows the creation of a LOCOS shaped structure on a rectangular mesh and BOUNDARY allows a set of coordinates to be input to define a regions topography.20共163页TSUPREM4Used to transfer surface features and doping profiles from TSUPREM4 onto an existing MEDICI meshSTITCHNe

14、w command to allow multiple TSUPREM4 files to be usedREGIONUsed to define regional properties where no material data already exists21共163页ELECTRODEAdds location of electrodes to structureRENAMERenames electrodes or regionsPROFILEAllows addition of doping information either by creating simple profile

15、s or inputting from a process simulatorREGRIDAllows regridding of mesh based on some internalquantities22共163页 Some StatementsRegrid statement The regrid statement can be used to refine a grid for greater accuracy.1.Specify quantity to be used e.g potential,electric field,min.carr2.Refinement criter

16、ium e.g ratio=2 “Regrid doping log ratio=2 in.+smooth=1”23共163页RENAME ELECTRODES When electrodes are transferred from TSUPREM-4 to MEDICI,they will be numbered sequentially.It is often convenient to rename them with names easier to remember.“Rename electrode oldname=1 newname=source Rename electrode

17、 oldname=2 newname=drain”24共163页MODELS The physics is selected on the model statement.This is supported by a mobility statement and a material statement which allow default parameters for the mobility and other models to be altered within specified regions or materials.25共163页 The models that can be

18、 selected can broadly be divided into the following categories:1.recombination and generation models2.Mobility modeling3.Models affecting relation between carrier density and electric field.i.e bandgap narrowing,Fermi-Dirac or Boltzmann statistics,quantum mechanical4.Energy balance modeling26共163页Mo

19、delDesciptionSRHShockley Read HallCONSRHSRH+concentration dependant lifetimesAUGERAuger recombinationR.TUNNELSRH including tunnelling in presence of strong electric filedsIMPACT.IClassic Chynoweth expressionII.TEMPInvokes a temperature based version of the impact ionization model for use with the en

20、ergy balance modelRECOMBINATION AND GENERATION MODELS27共163页ModelLow fieldTransverse fieldParallel fieldCommentsCCSMOBcarrier-carrier scatteringCONMOBconcentration dependence from tables 300KANALYTICAnalytic alternative to CONMOB with Temp dependencePHUMOBcarrier-carrier scattering,different donor a

21、nd accetor scattering,screening,useful for bipolarsMOBILITY MODELS28共163页ModelLow fieldTransverse fieldParallel fieldCommentsLSMMOSTreats surface scattering and bulk effectsGMCMOBModified LSMMOB to include screened and unscreened impurity scatteringMOBILITY MODELS29共163页ModelLow fieldTransverse fiel

22、dParallel fieldCommentsSRFMOBBasic and enhanced model for surface scattering.Requires vertical grid spacing inversion layerSRFMOB2UNIMOBNeeds rectangular grid in inversion layer models surface scatteringPRPMOBGeneral model for degradation of mobility with transverse electric field MOBILITY MODELS30共

23、163页ModelLow fieldTransverse fieldParallel fieldCommentsTFLDMOBUniv Texas mobility modelFLDMOBCarrier heating and velocity saturation effectsHPMOBAccounts for both parallel and perpendicular field dependenceMOBILITY MODELS31共163页ModelDescriptionFERMIDIRFermi Dirac statistics instead of Boltzmann.INC

24、OMPLEIncomplete ionization of impuritiesBGNBandgap narrowing modeling especially important for bipolarsQM.PHILIAccounts for quantum mechanical effects in MOSFET inversion layers using Van Dorts bandgap widening model.OTHER MODELS32共163页 BOUNDARY CONDITIONS The standard boundary conditions are that t

25、he normal component of the electric field and the current densities disappear at the boundaries(Neumann boundary conditions)except at the electrodes where fixed conditions can be ascribed(Dirichlet conditions).Variations in those conditions can be applied using the contact statement and the interfac

26、e statement can be used to input discontinuities at material boundaries.33共163页 Contact statement The default conditions are that Ohmic conditions applied and the electrostatic potential equals the applied voltage.The carrier densities are then calculated from the space charge neutrality relation.“C

27、ontact name=gate workfunction=4.35 Comment(defaul unit:eV)Contact name=base current”34共163页 SOLUTION TECHNIQUE In order to obtain the solution we essentially have to decide on two things.1.Select equations to be solved2.Decide how to bias our structure Statements which fall into this group are symbo

28、lic,method,solve.35共163页Symbolic statement1.Poissons equation2.Electron current-continuity equation3.Hole current continuity equation4.Lattice temperature(heat)equation5.Electron energy-balance equation6.Hole energy-balance equation36共163页37共163页 What to do when the folloing message appears on the s

29、creen?“Error number 166 detected in line number xx.More than 4 solutions failed to converge.Execution terminated!”38共163页 The primary causes of non convergence are:1.Poor initial guess bias step too large2.Lack of necessary physical models3.Poor simulation grid4.Depletion layer touching the electrod

30、e39共163页1.3：Athena/AtlasTsuprem4/Medici是Avanti公司的二维工艺、器件仿真集成软件包。Tsuprem4是对应的工艺仿真软件，Medici是器件仿真软件。在实践中，可以将Tsuprem4的工艺仿真的结果导入到Medici中，从而进行较为精确的仿真。40共163页1.3.1：Athenan登录界面41共163页nGUI 方式设定网格42共163页n编程方式设定网格43共163页n定义初始衬底44共163页n栅极氧化45共163页46共163页n离子注入47共163页n多晶硅栅的淀积48共163页49共163页n几何刻蚀50共163页51共163页 n多晶硅

31、氧化 “method fermi compress”52共163页53共163页#Polysilicon Dopingimplant phosphor dose=3e13 energy=20 crystaln多晶硅掺杂54共163页55共163页n氧化层淀积和侧墙氧化隔离56共163页“#Source/Drain Implantimplant arsenic dose=5e15 energy=50 crytal#Source/Drain Annealingmethod Fermidiffus time=1 temp=900 nitro press=1.00”n源/漏极注入和退火57共163页5

32、8共163页“#Open Contact Window etch oxide left p1.x=0.2”n氧化物的刻蚀和金属的淀积刻蚀59共163页60共163页“#Aluminum Deposition deposit aluminum thick=0.03 divisions=2；”61共163页62共163页“#Etch Aluminum etch aluminum right p1.x=0.18”63共163页64共163页n半个NMOS结构的镜像65共163页n电极的确定 和保存ATHENA结构文件66共163页 “electrode name=source x=0.1 elect

33、rode name=drain x=1.1 electrode name=gate x=0.6”67共163页1.3.2：Atlas68共163页 n登录界面69共163页n导入Athena结构70共163页n模型命令组71共163页nCategory栏中选择Recombination选项 72共163页n数字求解方法命令组73共163页n解决方案命令74共163页nTONYPLOT绘出IdVds特性曲线族 75共163页1.4：Dios/Dessis 工艺及器件仿真工具ISE-TCAD（TCAD：Technology Computer Aided Design）是瑞士 ISE(Integra

34、ted Systems Engineering)公司开发的DFM（Design For Manufacturing）软件，是一种建立在物理基础上的数值仿真工具，它既可以进行工艺流程的仿真、器件的描述，也可以进行器件仿真、电路性能仿真以及电缺陷仿真等。76共163页1.4.1：DiosDIOS简介简介 DIOS输入文件是由一系列连续执行的命令构成。DIOS输入文件的后缀及扩展名为：“_dio.cmd”。DIOS的输入语言并不区分字母的大小写。不过，文件名和电极触点名是区分大小写的。77共163页一个典型的DIOS文件一般以初始化的命令开始，并且初始化命令不可以省略。例如：Title(.)Grid

35、(.)Substrate(.)78共163页之后，可以根据需要选择性地添加仿真命令语句，如：Mask(.)Implant(.)Diffusion(.)Deposit(.)Etching(.)79共163页在完成了这些仿真语句之后，可以用：1D(.)Save(.)命令对仿真结果进行保存。用“End”命令作为整个文件的结束。80共163页Title(.)”命令命令该命令总是出现在DIOS输入文件的最开始的地方，用来对仿真进行初始化。例如：Title(simple nmos example)这条指令对仿真进行了初始化，并且把图形窗口命名为“simple nmos example”。Title(tes

36、t,SiDiff=Off,NewDiff=1)该命令同样也是对仿真进行初始化，并把图形窗口命名为“test”，同时，SiDiff=Off表示仅在除硅以外的层次扩散，比如氧化层和多晶硅，以节约仿真时间。NewDiff=1表示所有层次都定义网格和掺杂，n各种命令说明81共163页Grid(.)”命令命令网格命令一般跟在“Title”命令之后，它是用来定义器件结构初始化网格的，同时也包括了器件的横向和纵向范围。在默认的情况下，DIOS在每一步仿真之后都会对网格进行重新编制，这样可以解决在制做工艺中几何尺寸和掺杂浓度改变而引起的问题。如果说没有明确指定网格调整参数，那么DIOS将会通过自己默认的调整标

37、准对网格进行调整。例如：GRID(X(0.0,0.4),Y(-10.0,0.0),Nx=2)在该命令中没有对网格的调整标准。它对器件横向范围从0um到0.4um，纵向范围从-10.0um到0um的网格进行了初始化的指定。参数Nx=2定义了所包含三角形为2,即网格X方向是由2个三角形构成。82共163页“Substrate(.)”命令命令定义硅衬底的晶向和掺杂。例如：Substrate(Element=B,Concentration=5.0e15,Orientation=100)该命令定义了硅衬底的晶向是（100），掺杂浓度为5.0*1015 atoms/cm3的硼。83共163页“Mask(.

38、)”命令命令在DIOS中，这条命令是用来对仿真中所要用到的掩膜板进行仿真，以及完成掩膜板形成图案的沉积。例如：Mask(Material=Resist,Thickness=800nm,X(0.1,0.3)该命令定义了一块厚度为800nm的光刻胶（Resist表示photoresist的意思，即光刻胶），其覆盖的范围是横向位置从0.1um到0.3umMask(Material=Po,Element=P,Concentration=3e19,Thickness=180nm,XLeft=0.2,XRight=0.4)该命令沉积了一层厚度为180nm的掺入杂质磷的多晶硅层，其范围为从0.2um到0.4

39、um。84共163页“Implant(.)”命令命令这条命令是用来对离子注入进行仿真的。其中的“Function”参数允许用户选择使用“分析注入”还是“Monte Carlo注入”。如果用户选择前一种，则注入参数来自于默认图表。如果需要使用其它注入参数，可以另外创建注入图表，并在仿真中使用。例如：Implant(Element=BF2,Dose=5.0e12,Energy=25kev,Tilt=7)该命令以倾斜角度为7，能量为25keV，注入剂量为5.0*1012 atoms/cm2的BF2离子。Implant(Element=As,Dose=1.0e14,Energy=300kev,Tilt

40、=0,Rotation=-90,Function=CrystalTrim)该命令用Monte Carlo方式仿真，用CrystalTrim函数注入砷离子。85共163页“Diffusion(.)”命令命令在DIOS中，“Diffusion”是用来对器件制做工艺中所有高温步骤进行仿真的命令。包括：热退火、氧化、外延层的生长和硅化物的生长。可以选择的扩散模型中既有简单的常量扩散模型，也有将杂质和点缺陷配对等都包括的复杂完整模型。平衡态和瞬态聚集模型允许考虑杂质激活效应的精确仿真。另外，还支持杂质和点缺陷等参数的自定义。例如：Diffusion(Temperature=1050,Time=10s)该

41、命令仿真了温度为1050度，时间为10秒的高温环境。Diffusion(Temperature=1000,Time=20min,Atmosphere=O2)该命令仿真了干氧氧化，温度为1000度，时间为20分钟，气体为O2。Diffusion(Atmosphere=Epitaxy,Time=1.0s,Temperature=1050,GrowthRate=1000 nm/s,Element=Ge,Concentration=1.0e20）该命令仿真了一个SiGE外延层的生长,在生长外延的环境中，加入Ge，浓度为1.0e20，就形成了SiGe的外延层，时间为1.0秒，温度为1050度，生长速率为

42、1000 nm/s。86共163页“Deposit(.)”命令命令在DIOS中，该命令是用来沉积物质层的。用于各向同性或异性沉积、表面平整化、选择性沉积以及化学机械抛光。例如：Deposit(Material=Po,Thickness=0.2um,Element=P,Conc=3.0e19)该命令进行多晶硅层的沉积仿真，厚度为0.2um，掺杂浓度为3.0*1019 atoms/cm3的磷原子。Deposit(Material=OX,DType=Fill，YFill=2.0um)该命令用以仿真化学机械抛光。“Fill”表示平整化，YFill=2.0um表示机械抛光的纵向距离。87共163页“Ec

43、thing(.)”命令命令该命令用来仿真刻蚀。该命令包含多个选项，可以在仿真中灵活的定义刻蚀形状。例如：Etching(Material=Ox,Time=5.0min,Rate(Iso=100nm/min)该命令仿真了一个刻蚀时间为5 分钟，刻蚀速率为100 nm/min的各向同性的氧化物的刻蚀。88共163页“1D(.)”命令命令这是一个保存命令，进行过仿真的器件，任何X-Y分布的DIOS变量都可以通过该命令来保存。例如：1D(,XSection(0.0),Species(BTotal,PTotal),Fac=-1.0,Append=Off)这是对在X=0.0处的，硼和磷的总浓度作为深度的函

44、数进行保存。Fac=-1.0为坐标比例缩小因子89共163页“Save(.)”命令命令这条命令用来保存器件的最终结构，并且文件可以载入重新进行仿真。在“Save”命令执行之后，文件可以由DESSIS载入进行器件仿真。例如：Save(File=tst)把器件保存为文件“tst.dmp.gz”。Save（File=nmos,Type=MDRAW）保存为MDRAW格式，提供DESSIS作为器件仿真文件90共163页DessisnISE-TCAD的仿真结构流程91共163页File*输入文件：Grid=nmos_mdr.grdDoping=nmos_mdr.dat*输出文件Plot=n3_des.da

45、tCurrent=n3_des.pltOutput=n3_des.log 92共163页1.“File”部分主要定义器件结构的输入文件和输出文件的名称；2.“*”引导注释行；3.“Grid”和“Doping”语句分别指定器件结构的网格文件和掺杂文件；4.“Plot”语句定义仿真时计算的变量，扩展名为“_des.dat”；5.“Current”语句定义最后输出的电学数据（比如电流、电压、电极上电荷），扩展名为“_des.plt”；6.“Output”语句定义输出日志文件，记录DESSIS运行情况，扩展名为“_des.log”。93共163页Electrode Name=source Voltag

46、e=0.0 Name=drain Voltage=0.1 Name=gate Voltage=0.0 Barrier=-0.55 Name=substrate Voltage=0.0 94共163页1.“Electrode”部分定义器件的电极相关信息。2.值得注意的是，在多晶硅“gate”上，接触定义必须是欧姆接触。3.“Name=”语句定义每个电极，这个电极名称必须和grid文件定义一致；4.“Voltage=0.0”语句定义电极的电压初始值；5.“Barrier=-0.55”语句定义金属半导体功函数差，这样多晶硅电极才能把它当成金属。95共163页Physics Mobility(Dopi

47、ngDep HighFieldSat Enormal)EffectiveIntrinsicDensity(BandGapNarrowing(OldSlotboom)96共163页1.“Physics”部分定义器件仿真过程中使用的物理模型。2.“Mobility(DopingDep HighFieldSat Enormal)”语句定义三个模型：掺杂依赖（doping dependence）模型、高电场饱和模型、横向电场依赖（transverse field dependence）模型；3.“EffectiveIntrinsicDensity(BandGapNarrowing(OldSlotboo

48、m)”语句定义硅能隙窄化模型，它决定载流子的浓度。97共163页Plot eDensity hDensity eCurrent hCurrentPotential SpaceCharge ElectricFieldeMobility hMobility eVelocity hVelocityDoping DonorConcentration AcceptorConcentration1.Plot”部分定义所有的计算变量，DESSIS要仿真的变量都将被存入plot文件。98共163页Math ExtrapolateRelErrControl1.“Math”部分定义DESSIS仿真时算法的设置，包

49、括仿真器类型、仿真误差标准的设置。2.“Extrapolate”语句定义仿真时采用外推法定义迭代下一步的数值；3.“RelErrControl”语句定义迭代反复计算时加入误差控制。99共163页Solve#初始解决方案：PoissonCoupled Poisson Electron Quasistationary(MaxStep=0.05Goal Name=gate Voltage=2 )Coupled Poisson Electron 100共163页1.“Solve”部分定义一系列的仿真，包括仿真所需要的一些参数。2.“Poisson”语句定义初始化采用非线性泊松方程；3.“Coupled

50、 Poisson Electron”语句定义在初始偏置下电子的连续性方程；4.这条语句定义仿真的一些设定，包括最大步长0.05，栅压仿真到2V，采用泊松方程仿真。101共163页nMOS的输出特性102共163页互动时间Any Question?103共163页休息时间104共163页单元2本单元讲述了几个用Tsuprem4/Medici仿真ESD的几个例子：105共163页单元22.1：直流仿真2.2：混合电路仿真2.3：温度仿真2.4：极值功率密度2.5：功率分布仿真106共163页2.1：直流仿真n直流仿真ggNMOS结构图107共163页n直流仿真ggNMOS的I-V图108共163页

51、n直流仿真ggNMOS结构图109共163页n直流仿真SCR的I-V图110共163页2.2：混合电路仿真nHBM放电模式的等效电路图111共163页n混合电路仿真的器件112共163页n5kV的ESD情况下的I-t，V-t图。113共163页n5kV的ESD情况下的I-t，V-t放大图。114共163页2.3：温度仿真n温度仿真的器件115共163页n2.5E-3A/um电流下温度分布116共163页2.4：极值功率密度n5kV的ESD情况下放电等效电原理图117共163页n极值功率密度仿真的ESD防护器件图118共163页nTsuprem4对该器件的仿真图119共163页n5kV的ESD情

52、况下器件的I-t图120共163页n5kV的ESD情况下器件的V-t图121共163页n5kV的ESD情况下器件的Pmax-t图122共163页2.5：功率分布仿真n功率分布仿真的器件1123共163页n器件1的功率分布仿真图124共163页n器件2功率分布的ESD等效电路图125共163页n功率分布仿真的器件2126共163页n器件2极值功率密度的时域图127共163页n器件2在Pmax1时刻的功率分布图128共163页n器件2在Pmax2时刻的功率分布图129共163页互动时间Any Question?130共163页休息时间131共163页单元3本节将讲述一种用瞬态仿真的手段来评估ESD

53、防护器件的方法论。132共163页3.1：传统的评价方法3.2：瞬态评估的原理3.3：Effectiveness3.4：Speed3.5：Robustness3.6：Transparency3.7：Overall3.8：瞬态评估各模式下的Vt1133共163页3.1：传统的评价方法n传统的TLP实测Vt1和It2134共163页3.2：瞬态评估的原理传统的TCAD仿真比较困难，总会遇到收敛性问题，这是由于I-V曲线的斜率在触发点附近改变比较迅速。在实际的仿真实践中，不收敛是常态，收敛是偶然。并且由于没有考率不同模式，不同ESD电压值下放电情况下器件触发状况。135共163页3.2：瞬态评估的原

54、理针对现有的仿真困境，笔者提出了通过瞬态仿真评估ESD防护器件的性能的方法论，下文以常被人忽视的CDM放电模式为例介绍这个仿真评价方法论。136共163页n用来评价ESD防护器件性能的CDM放电模型137共163页n有待评估性能的ESD防护器件138共163页n该ESD防护器件的Tsuprem4仿真结构图139共163页3.3：Effectivenessn该ESD防护器件的I-t图140共163页3.4：Speedn该ESD防护器件的V-t图141共163页3.5：Robustnessn该ESD防护器件的Pmax-t图142共163页n该ESD防护器件的热源143共163页n热源放大图144共

55、163页注入功率和极值温度的经验模型145共163页二次热电击穿的经验判决公式146共163页1.SCR防护器件的正向电流达到最大时刻的功率分布图T12.SCR防护器件的负向电流达到最大时刻的功率分布图T23.SCR防护器件正向电压达到峰值时T3，SCR器件内部的极值功率密度达到最大值时T5时的功率分布图（T3T5）4.SCR防护器件负向电压达到最大值时候的功率分布图T45.SCR器件内部的极值功率密度达到次最大值时的功率分布图T66.SCR器件内部的极值功率密度达到第三个峰值时的功率分布图T7 147共163页nT1时刻的功率分布148共163页nT2时刻的功率分布149共163页nT3和T

56、5时刻的功率分布150共163页nT4时刻的功率分布151共163页nT6时刻的功率分布152共163页nT7时刻的功率分布153共163页3.6：TransparencynDC透明性评估154共163页n100K频率信号下的透明性评估155共163页3.7：Overalln动态I(t)-V(t)的评价图156共163页3.8：瞬态评估各模式下的Vt1n瞬态评估Vt1的等效电原理图157共163页n5V应力，1.81E-09S内的I(t)-V(t)图158共163页n5V应力，25ns内I-t图159共163页n5V应力，25ns内V-t图160共163页n5V应力，25ns内I(t)-V(t)图161共163页 Thanks!162共163页163共163页