碳纳米管场发射电子源的限流保护结构及其制备方法
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文档编号:198897591
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(19 )中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请fr(10)申请公布号盈CN110875166A(43 )申请公布日2020.03.10(21 )申请号 CN201811023394.7(22 )申请日 2018.09.03(71 )申请人姚智伟地址加拿大安大略省密西沙加市(72 )发明人姚智伟;孙泳海(74 )专利代理机构北京冠和权律师事务所代理人朱健(51) Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54 )发明名称碳纳米管场发射电子源的限流保护结构及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种碳纳米管场发射电子源 的限流保护结构,包括竖直方向上间隔一预设距 离设置的阳极以及阴极基板,所述阳极位于阴极 基板的上部;所述阴极基板的上表面由下至上依 次连接有柱状半导体限流结构、顶层电极以及垂 直排列独立碳纳米管发射体,所述柱状半导体限 流结构和顶层电极的截面积相同。本发明的主要 目的是通过使用半导体限流技术提高碳纳米管场 发射阴极的使用寿命和可靠性。使得碳纳米管场
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