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1、本文格式为 Word 版，下载可任意编辑，页眉双击删除即可。第 1 页 共 1 页 超薄异质结太阳能电池反面场的理论模拟优化 车 XX 摘 要：采纳 FORS-HET 软件对超薄异质结太阳能电池反面场的掺杂浓度、厚度、带隙等参数进行数值模拟和优化，结合实际具体分析了每个参数对超薄异质结电池性能的影响规律，得出了最正确的优化参数。模拟结果说明：对于衬底厚度仅为 80 m 的超薄异质结电池，综合考虑理论和实际，得出反面场最正确厚度是 20 nm。随着反面场掺杂浓度的增加，电池性能整体先提升后趋于恒定，反面场理论的最正确掺杂浓度范围为7E19。关键词：纳米晶硅;超薄异质结电池;模拟计算;反面场 在目
2、前光伏市场中主流的钝化发射极和反面电池Pssivted Emitter nd Rer Cell，PERC降本空间越来越小、转换效率越来越接近理论“天花板的背景下，异质结有望成为下一代商业化光伏生产的候选技术之一。和技术相比，理论上异质结拥有更高的转换效率，最高转换效率已经到达25.6%。目前，异质结电池尚不具备本钱优势，可降低的本钱主要是低温银浆和硅片的本钱，而行业使用的都是 150 m 左右的硅片，假如把硅片的厚度降到 100 m 以下，本钱会大幅度下降。所以，采纳超薄硅片的异质结电池必将是进展方向。三洋在 2022 年就研发了厚度只有 98 m、效率到达 22.8%的超薄异质结电池，给超薄
3、异质结电池的可行性提供了强有力的根据。因此，本讨论采纳 FORS-HET 数值模拟软件该软件具有更高的可靠性，选用厚度为 80 m 的 N 型硅片作为衬底，对超薄异质结电池的性能进行探究和分析，为后续超薄异质结电池的投产提供理论根据。1 物理模型 FORS-HET 是在半导体材料态密度Density of Sttes，DOS模式下对器件进行直流模拟。在这种模式下，半导体的能带电子态分为导带、价带扩展态，导帶、价带带尾定域态以及带隙定域态。在 FORS-HET 模拟中，主要对设计的电池结构求解以下 4 个半导体稳态方程3-4。本讨论模拟的超薄异质结电池结构如图 1 所示，衬底选择 80 m 厚的 N 型 Si 衬底。假设电池的外表反射率为 0.1、反面反射率为 0，电池无限光和背场效应，正、反面电极均为欧姆接触，各层的其他参数如表 1 所示，缺陷态的设置
超薄异质结太阳能电池反面场的理论模拟优化
