《计算机组成原理RAM实验报告》由会员分享，可在线阅读，更多相关《计算机组成原理RAM实验报告（6页珍藏版）》请在装配图网上搜索。
1、山东大学软件学院组成原理实验报告（实验）课程名称 计算机组织与结构实验报告学生姓名:学号:指导教师：陈志勇实验地点：硬件实验室实验时间：2014年12月11日一、实验项目名称：RAM实验 二、实验目的:1. 了解半导体静态随机读写存储器RAM的工作原理及其使用方法。2 .掌握半导体存储器的字、位扩展技术。三、实验内容:RAM实验结构图INTEL2114静态存储器：弓脚图&鸟&A 皂 cs GND118217316415514613712g11910&10 I/Q I/QWEIntel2114RAM存储器芯片为双列直插式集成电路芯片，共有18个引脚，各 引脚的功能如下：A 0 -A 9 : 10
2、根地址信号输入引脚。砸：读/写控制信号输入引脚，当豌为低电平时，使输入三态门导通，信 息由数据总线通过输入数据控制电路写入被选中的存储单元；反之从所选中的存 储单元读出信息送到数据总线。I/O 1 I/O 4 : 4根数据输入/输出信号引脚。CS:片选信号，低电平有效，通常接地址译码器的输出端。第一部分：采用1K x 4的芯片，构成1K x 8的存储器。-VCC -Ar - -A8 - -An-I0i -IG203 -10-1 -WR-| RAMVCC-9658 75 4 3 2 10 L 1 1 I 1 11-A片-As- Lrq -A；?-A&-Ai-CS-（；ND-vcc t -Az r
3、, -As - Ab 、-IOl ，-102 -IOh 1、l：0d =、WERAMTntel2114711.SL2h-102 -6 -T04 -WE .IL8 q-217-31 g415S14-Gi 3 -71 21 191014 RAMK4K5Ku2A- 2Y- GND74I.S125四、实验要求：采用1K x 4的芯片，构成1K x 8的存储器。选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的 读/写操作实验。采用1K x 4的芯片，构成2K x 4的存储器。必须使用译码器进行扩展（三输入都用，接开关）。选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的
4、读/写操作实验。选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。分别设计实验步骤。使用开关进行数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报 告。给出字扩展试验中每片RAM芯片的地址范围。五、参考器件:RAM 采用两片MM2114隔离部件采用74LS125译码器采用74LS138备注：为简化试验，地址可只用低4位（其余地址可接地）。六、实验数据记录及结果分析：字扩展的实验操作：1. 初始化：将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关输入。将k13（RAM片选信号）推至低电平，选中RAM。将k14（读写控制）推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据
5、进行修改。2. 写入数据：将k0k3的四个开关调至想要输入的地址。将k4k11调整至想要的二进制输入值。将k15（74LS125的C信号）推至低电平，连接开关输入。将k14 （读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。3. 读取数据：将k14 （读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM的写入。将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关对扽灯泡的影响，读取数据。位扩展的实验操作：1. 初始化：将k15 （74LS125的C信号）推至高电平，断开开关输入。将k13 （第一块RAM片选信号）推至低电平，选中RAM，同时确保将k12 （第二块RAM片选信号）推至高电平，使RAM失效。将k14（读写控制）推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。2. 写入数据：将k0k3的四个开关调至想要输入的地址。将k4k7调整至想要的二进制输入值。将k15（74LS125的C信号）推至低电平，连接开关输入。将k14 （读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。3. 读取数据：将k14 （读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM的写入。将k15 （74LS125的C信号）推至高电平，断开开关对灯泡的影响，读取数据。
计算机组成原理RAM实验报告
