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1、微波，低噪音，微波，低噪音，SiGeSiGeSiGeSiGe 异质结双极晶体管特色异质结双极晶体管特色工作电压：2V 或 3V工作温度：-55至+85低噪声系数及高增益 NF=1.2dB，Ga=17dB(典型)VCE=2V，IC=25mA，f=2GHz非常高的功率增益 Gmax=20dB(Typ)VCE=2V，IC=25mA，f=2GHz高特征频率低成本，双发射极，4 引脚 SOT143 封装应用应用射频前端宽带应用：例如手机，无线电话雷达监测器呼叫器卫星电视调谐器高频振荡器产品介绍产品介绍2SC5455 是 SiGe 双多晶硅 NPN HBT（异质结双极晶体管）。具有低噪声系数，高功率增益，
2、高电压，宽广动态范围及良好线性特征等特性。采用双发射极，4 引脚 SOT143 的封装，主要设计于高频低噪音的应用。封装形式封装形式电气规格电气规格绝对最大额定值符号参数最大值单位IC集电极电流30mAPtot总功耗135mWTJ工作结温150备注:超过上述的绝对最大额定值将造成本产品永久性的损坏。以上仅提供应力额定值，不包括功能操作部分。器件长时间在绝对最大额定值下工作，其稳定性有可能会受到影响。引脚描述1集电极2发射极3基极4发射极2SC5455电气属性电气属性符号参数条件最小值典型值最大值单位BVCBO集电极-基极击穿电压IC=2.5uA，IE=09-VBVCEO集电极-发射极击穿电压I
3、C=1mA，IB=04.5-VBVEBO发射极-基极击穿电压IE=2.5uA，IC=01-VICBO集电极-基极泄漏电流IE=0，VCB=4.5V-100nAHFE直流电流增益VCE=2V，IC=25mA50100150-fT特征频率VCE=2V，IC=25mA，f=2GHz-25-GHzGmax最大功率增益VCE=2V，IC=25mA，f=2GHz-20-dB|S21|2插入功率增益VCE=2V，IC=25mA，f=2GHz-17-dBNF噪声系数VCE=2V，f=900MHz，S=opt-0.8-dBVCE=2V，f=2GHz，S=opt-1.2-dBP1dB输出功率增益压缩为 1dBIO=25mA，VCE=2V，f=2GHz，ZS=ZSopt，ZL=ZLopt-12-dBm订购信息订购信息产品名称产品名称标准包装标准包装FCFCFCFC5455A5455A5455A5455A3K/3K/3K/3K/盘盘典型属性典型属性图 1：S11（VCE=2V，IC=25mV）图 2：S21（VCE=2V，IC=25mV）图 3：S12（VCE=2V，IC=25mV）图 3：S22（VCE=2V，IC=25mV）4 4 4 4-引脚引脚SOTSOTSOTSOT143143143143封装图封装图
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