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1、入射电子束入射电子束吸收电子吸收电子二次电子二次电子背散射电子背散射电子俄歇电子俄歇电子特征特征X射线射线透射电子透射电子透射电子透射电子（包含非弹性散射电子）（包含非弹性散射电子）（弹性散射电子）（弹性散射电子）样样 品品sin/sin=v2/v1电子显微镜光学显微镜照明源高压加速电子束可见光透镜电磁透镜（轴对称电磁场）玻璃透镜是否真空是否成像机理样品对可见光的反射与吸收样品对入射电子碰撞引起的散射Formation of electron diffraction and HRTEM image ElectronDiffractionPattern晶体多晶体非晶体v第四节 扫描电镜(Scan
2、ning Electronic Microscopy,SEM)。v 由于透射电镜是TE进行成像的，这就要求样品的厚度必须保证在电子束可穿透的尺寸范围内。为此需要通过各种较为繁琐的样品制备手段将大尺寸样品转变到透射电镜可以接受的程度。SEM用细聚焦的电子束轰击样品表面，通过电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等对样品表面或断口形貌进行观察和分析。扫描电镜成像示意图放大倍率高（放大倍率高（M=Ac/As）分辨率高（分辨率高（d0=dmin/M总总）景深大（景深大（F d0/）f=aDdM)2.0(式中式中D为工作距离，为工作距离，a为物镜光阑孔径，为物镜光阑孔径，M为为 放大倍率，放大倍率
3、，d为电子束直径。可以看出，长为电子束直径。可以看出，长工作距离、小物镜光阑、低放大倍率能得到大工作距离、小物镜光阑、低放大倍率能得到大景深图像。景深图像。q二次电子像二次电子像q背散射电子像背散射电子像结论结论二次电子信号在原序二次电子信号在原序数数Z20Z20后，其信号强后，其信号强度随度随Z Z变化很小。变化很小。用用背散射电子像可以观背散射电子像可以观察未腐蚀样品的抛光察未腐蚀样品的抛光面元素分布或相分布，面元素分布或相分布，并可确定元素定性、并可确定元素定性、定量分析点定量分析点。形貌衬度原理形貌衬度原理电子探针仪的构造和扫描电镜相似电子探针仪的构造和扫描电镜相似 图为图为 耐火材料玻璃界面元素的变化规律，图中直线耐火材料玻璃界面元素的变化规律，图中直线为分析线（电子束扫描线）。研究发现，玻璃中为分析线（电子束扫描线）。研究发现，玻璃中K,Na 等等元素在界面附近的变化规律不同，元素在界面附近的变化规律不同，K,Na离子非常容易扩散离子非常容易扩散到耐火材料内部，并进入耐火材料的玻璃相中，使耐火材到耐火材料内部，并进入耐火材料的玻璃相中，使耐火材料粘度大大下降，这是引起耐火材料解体的原因之一料粘度大大下降，这是引起耐火材料解体的原因之一
称二次电子课件
