半导体物理实验

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1、实验报告院别电子信息学院课程名称半导体物理实验班级实验名称椭圆仪测量薄膜厚度姓名实验时间2018.11.14学号指导教师成绩批改时间报告内容一、实验目的和任务1、结合传统的测试方法去理解自动椭圆偏振测厚仪的工作原理，并且熟悉其操作的软件平台，懂得在 出现误差的时候找出原因；2、用椭偏仪测量Si衬底上的SiO2薄膜的折射率和厚度。二、实验原理使一束自然光经起偏器变成线偏振光。再经1/4波片，使它变成椭圆偏振光入射在待测得膜上。反射时， 光的偏振状态将发生变化。通过检测这种变化，便可以推算出待测膜面的某些光学参数。其光路如图3.2所 示。MiL：光源；M1：棱镜1； M2：棱镜2； P：起偏器；C

2、： 1/4波片；S：样品；A：检偏器；D：接收器；1、入射光栅；2、接收光栅；3、调整光栏（调整光路时使用，平时摘下）三、实验设备本仪器分为光源、接收器、主机、电子及通讯四部分。1、光源：采用波长为632.8nm的氦氖激光光源，其特点是：光强大、光谱纯、波长稳定性好。2、接收器：采用光电倍增管，把光讯号变为电讯号，经放大后输出至微机，微机选择出消光位置的角度值。3、主机部分：除以上两项外，还有起偏组件，样品台，检偏组件。4、电子及通讯部分：采集光强及对应的角度值并传输到计算机，再接收由计算机发出的指令逐步靠近消光点。四、实验结论通过这次试验理解半自动椭圆偏振测厚仪的工作原理，了解了光在经过起偏器，玻片，再 经过检偏器怎样接受显示在屏幕上的过程。薄膜厚度与阈值电压有关，对一个半导体器件的性 能有极大影响。