结构静动态实验技术第二章
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1、1234lAPEll5xyxy6217891011/R R/R R121314AlR15dAdAldlRdR2/4AD222ldlDdDAdA1617012(12)Kc 0K182.1.2 半导体材料的压阻效应半导体材料的压阻效应(210)式中式中K为半导体的灵敏系数,通常它比金属丝的灵敏系数高约为半导体的灵敏系数,通常它比金属丝的灵敏系数高约5080倍,其大小取决于半导体材料的种类、纯度和受力方向。倍,其大小取决于半导体材料的种类、纯度和受力方向。综上可知,当电阻应变计粘贴到构件表面后,构件受力而变综上可知,当电阻应变计粘贴到构件表面后,构件受力而变形时,应变计的敏感元件也随之变形,从而应变
2、计的电阻发生变化。形时,应变计的敏感元件也随之变形,从而应变计的电阻发生变化。然后,用测试仪器测得应变计的电阻相对变化),并事先标定得到然后,用测试仪器测得应变计的电阻相对变化),并事先标定得到应变计的灵敏系数,就可间接测得构件的应变)。即应变计的灵敏系数,就可间接测得构件的应变)。即但应变计的但应变计的K不完全等于其敏感元件材料本身的灵敏系数。因为不完全等于其敏感元件材料本身的灵敏系数。因为K的大小虽然主要取决于敏惑元件的材料性质,但还与应变计的构造的大小虽然主要取决于敏惑元件的材料性质,但还与应变计的构造型式、制造工艺和材料,以及粘贴使用技术有一定关系。型式、制造工艺和材料,以及粘贴使用技术有一定关系。(211)19202122232425262728 (212)2930JZ31lim32mRmRmR500MmRmRmRmaxImaxImaxImaxI3334oT C(/)iR R(214)35363738394041
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