第二讲芯片贴装与芯片互连高级课堂

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1、硅片减薄芯片互连硅片切割芯片帖装成型技术打码去飞边毛刺上焊锡切筋成型芯片封装技术（一级）单晶硅棒封装流程前段操作后段操作前段操作：1000净化级别净化级别：尘埃最允许数/立方米塑料封装2.1 芯片制备2.2 芯片贴装2.3 芯片互连矽？晶圆？1961，菲尔查德在硅晶片上制造的第一个集成电路晶圆制备硅的提纯晶圆制备硅的提纯晶圆制备晶棒制备晶体生长技术：区熔法；布里曼生长法；CZ直拉法优点：工艺成熟，投量量；适于生长大直径单晶；缺点：不可避免来自坩埚及 加热棒的污染.晶棒制备晶圆制备晶棒制备晶圆制备硅棒制备晶圆制备硅棒制备晶圆制备晶圆切片多线切割机晶圆制备晶圆尺寸 据国外媒体报道，三大巨头 英特尔

2、、三星和台积电本周宣布，他们将于2012年合作开发450mm晶圆的试生产；但是要研发450mm晶圆所需的设备，投资可能高达1000亿美元。8英寸（200mm）13英寸（300mm）18英寸（450mm）使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心。光刻与刻蚀工艺 临时性地涂覆光刻胶到硅片上；把设计图形最终转移到硅片上；IC制造中最重要的工艺；占用40-50%的芯片制造时间；决定着芯片的最终尺寸.光刻与刻蚀工艺涂胶六甲基乙硅氮烷光刻与刻蚀工艺曝光光刻与刻蚀工艺显影后烘显影光刻与刻蚀工艺湿法刻蚀干法刻蚀光刻与刻蚀工艺

3、刻蚀多晶硅光刻与刻蚀工艺离子注入光刻与刻蚀工艺芯片切割DBG法（先划片后减薄）芯片切割芯片切割芯片贴装（die mount/bonding/attachment)目的：实现芯片与底座（chip carrier）的连接.要求：机械强度化学性能稳定导电、导热热匹配可操作性2.2.1 共晶粘贴法2.2.2 焊接粘贴法2.2.3 导电胶粘贴法2.2.4 玻璃胶粘贴法2.2.1 共晶粘贴法2.2.1 共晶粘贴法润湿性的重要性；预型片的使用（Au-2%Si合金）；优点：金-硅共晶焊接机械强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高,高温性能好，不脆化。缺点：生产效率低，不适应高速自动化生产。2.2.2 焊接粘贴法

4、所用气氛：热氮气 工艺优点：热传导性好所用材料 硬质焊料：金-硅、金-锡、金锗；（塑变应力高，抗疲劳抗潜变特性好）软质焊料：铅-锡、铅-锡-铟.2.2.3 导电胶粘贴法 三种导电胶：（1）各向同性材料；（2）导电硅橡胶；（3）各向异性导电聚合物。共同点：表面形成化学结合和导电功能。2.2.3 导电胶粘贴法2.2.3 导电胶粘贴法芯片粘结剂：环氧树脂；聚酰亚胺；硅氧烷聚酰亚胺。填充料：银颗粒或者银薄片（75-80%）使用考虑因素：流动性；粘着性；热传导性；电导性；玻璃化转变温度；吸水性.2.2.4 玻璃胶粘贴法 类似于银浆粘接技术，主要用于陶瓷封装需要严格控制烧结温度.优点：所得芯片封装无空隙、

5、热稳定性优良、低结合应力以及湿气含量低；缺点：有机成分与溶剂必须除去，否则危害可靠性。2.3.1 打线键合技术(WB)2.3.2 载带自动键合技术(TAB)2.3.3 倒装芯片键合技术(FCB/C4)芯片焊区芯片互连I/O引线 半导体失效约有1/4-1/3是由芯片互连所引起，因此芯片互连对器件可靠性意义重大！2.3.1 打线键合技术(WB)主要的打线键合技术：.楔形接点球形接点超声波键合；热压键合；热超声波键合2.3.1 打线键合技术(WB)频率：20-60kHz；振幅：20-200m；冷焊？2.3.1 打线键合技术(WB)2.3.1 打线键合技术(WB)2.3.1 打线键合技术(WB)打线键

6、合的线材铝线：铝-1%硅合金；0.5-1%镁的铝线；铝镁硅合金或铝铜合金.金线：含5-100ppm 铍 含30-100ppm 铜其他线材：银线，铜线PCB或封装不能加热的情况之下；间距小于60 micron.用量超过90%间距大于60micron。2.3.1 打线键合技术(WB)影响因素：金铝金属间化合物（AuAl2或Au5Al2)是主因；线材、键合点与金属间化合物之间的交互扩散产生的孔洞；其他，键合点金属化工艺与封装材料之间的反应，亦可生成金属间化合物。2.3.1 打线键合技术(WB)键合拉力测试键合剪切力测试 2.3.1 打线键合技术(WB)焊接方法 丝球焊 超声楔焊劈刀头部凹槽形状劈刀头

7、部凹槽形状2.3.2 载带自动键合技术2.3.2 载带自动键合技术2.3.2.1 TAB的关键技术2.3.2.2 TAB技术的关键材料2.3.2.3 TAB的特点2.3.2 载带自动键合技术2.3.2.1 TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术光刻胶做掩膜2.3.2 载带自动键合技术2.3.2.1 TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术2.3.2 载带自动键合技术2.3.2.1 TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术凸块转移技术2.3.2 载带自动键合技术2.3.2.1 TAB的关键技术（2）TAB载带制作技术单层带（Cu箔）-工艺简单；热稳定性好，价位低；不能做电性测试，容易变形。双层带（C

8、u-PI双层）；高温稳定性好，可作电性测试，电性能优良；价位高，亦弯曲，容易变形。三层带（Cu-粘贴剂-PI）-最为常用可作电性测试，适合大规模生产；价位高，不适用于高温键合。载带上载带上Cu箔引线的图形结构与制作工艺箔引线的图形结构与制作工艺2.3.2 载带自动键合技术2.3.2.1 TAB的关键技术（3）载带引线和芯片凸点的内引线焊接与外引线焊接技术2.3.2.2 TAB技术的关键材料基带材料要求高温性能与Cu箔的粘接性、热匹配性好尺寸稳定；化学稳定性好；机械强度高材料聚酰亚胺(PI)薄膜，早期最广泛使用的材料，价格稍高聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)薄膜苯丙环丁稀(BCB)薄膜导体材料Cu箔

9、与基带连接牢固；导热、导聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)薄膜苯丙环电性能好；易于电镀。厚度有18、35、70微米铝箔使用较少规格宽度以35mm最常用。另有70mm和158mm等规格。金属材料Au，Ni，Pb/Sn焊接材料芯片凸点金属材料Au，Cu/Au，Au/Sn，Pb/Sn2.3.2 载带自动键合技术2.3.2.3 TAB的优点结构轻、薄、短、小；电极尺寸、电极与焊区的间距比WB大为减小；可容纳更多引脚，提高安装密度；可对IC芯片进行电老化、筛选和测试；焊点键合拉力比WB高3-10倍。2.4.3 倒装芯片键合技术2.4.3 倒装芯片键合技术封装结构封装结构 2.4.3 倒装芯片键合技术 2.4.

10、3 倒装芯片键合技术 2.4.3 倒装芯片键合技术 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点结构凸点结构 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点形成工艺凸点形成工艺-蒸发沉积凸点蒸发沉积凸点 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点形成工艺凸点形成工艺-电镀法电镀法 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点形成工艺凸点形成工艺-植球法植球法 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点形成工艺凸点形成工艺-印刷凸点印刷凸点 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点形成工艺凸点形成工艺-钉头凸点钉头凸点 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点形成工艺凸点形成工艺-凸点转移法凸点转移法 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点形成工艺凸点形成工艺-微球法微球法

11、 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点形成工艺凸点形成工艺-微球法微球法 2.4.3 倒装芯片键合技术凸点形成工艺凸点形成工艺-Tachy dotsTM法法 2.4.3 倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊倒装焊互连基板的金属焊区要求：焊区与芯片凸点金属具有良好的浸润性；基板焊区：Ag/Pd、Au、Cu(厚膜）Au、Ni、Cu（薄膜）2.4.3 倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊热压焊倒装焊法 2.4.3 倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊再流焊倒装焊法 2.4.3 倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊环氧树脂光固化倒装焊法 2.4.3 倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊各向异性导电胶导电粒子含量：10%2.4.3 倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊 2.4.3 倒装芯片键合技术(3)底部填充 2.4.3 倒装芯片键合技术(3)底部填充 2.4.3 倒装芯片键合技术(3)底部填充-填料要求 2.4.3 倒装芯片键合技术(3)底部填充-填充工艺毛细作用！2.4.3 倒装芯片键合技术(4)无铅化凸点 2.5 互联工艺比较