半导体激光器实验

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1、实验 19 半导体激光器实验一、目的1理解半导体激光器的工作原理；2通过测量半导体激光器工作时的功率、电压、电流，利用这些参数画出 P-I、I-V 曲线，让学生了解半导体的工作特性曲线；3学会通过曲线计算半导体激光器的阈值，串联电阻，以及功率效率，外量子效应和 外微分效应，并对三者进行比较；4内置四套方波信号或者外加信号直接调制激光器，通过调整不同的静态工作点，和 输入信号强度大小不同，观察到截至区，线性区，限流区的信号不同响应（信号畸变，线性 无畸变），了解调制工作原理。二、原理半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产 生激光的具体过程比较特殊。常用材料有

2、砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、 硫化锌（ZnS）等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质 结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器具有体积小、效率高等优点，广泛应用于激光通信、印刷制版、光信息处 理等方面。1半导体激光器的结构与工作原理现以砷化镓（GaAs）激光器为例，介绍注入式同质结激光器的工作原理。半导体的能 带结构。半导体材料多是晶体结构。当大量原子规则而紧密地结合成晶体时，晶体中那些价 电子都处在晶体能带上。价电子所处的能带称价带（对应较

3、低能量）。与价带最近的高能带 称导带，能带之间的空域称为禁带。当加外电场时，价带中电子跃迁到导带中去，在导带中 可以自由运动而起导电作用。同时，价带中失掉一个电子，则相当于出现一个带正电的空穴， 这种空穴在外电场的作用下，也能起导电作用。因此，价带中空穴和导带中的电子都有导电 作用，统称为载流子。掺杂半导体与p-n结。没有杂质的纯净半导体，称为本征半导体。如 果在本征半导体中掺入杂质原子，则在导带之下和价带之上形成了杂质能级，分别称为施主 能级和受主能级有施主能级的半导体称为n型半导体;有受主能级的半导体称这p型半导体。在常温下， 热能使n型半导体的大部分施主原子被离化，其中电子被激发到导带上

4、，成为自由电子。而 p型半导体的大部分受主原子则俘获了价带中的电子，在价带中形成空穴。因此，n型半导 体主要由导带中的电子导电；p型半导体主要由价带中的空穴导电。半导体激光器中所用半导体材料，掺杂浓度较大,n型杂质原子数一般为25xl0i8cm-i； p 型为 13x1019cm-1。在一块半导体材料中，从p型区到n型区突然变化的区域称为p-n结。其交界面处将形 成一空间电荷区。n型半导体带中电子要向p区扩散，而p型半导体价带中的空穴要向n区 扩散。这样一来，结构附近的n型区由于是施主而带正电，结区附近的p型区由于是受主而 带负电。在交界面处形成一个由n区指向p区的电场，称为自建电场。此电场会

5、阻止电子和 空穴的继续扩散（见图19.1）。图19.1自建电场的示意图p-n结电注入激发机理。若在形成了 p-n结的半导体材料上加上正向偏压，p区接正极,n区接负极。显然，正向电压的电场与p-n结的自建电场方向相反，匕削弱了自建电场对晶 体中电子扩散运动的阻碍作用，使n区中的自由电子在正向电压的作用下，又源源不断地通 过p-n结向p区扩散，在结区内同时存在着大量导带中的电子和价带中的空穴时，它们将在 注入区产生复合，当导带中的电子跃迁到价带时，多余的能量就以光的形式发射出来。这就 是半导体场致发光的机理，这种自发复合的发光称为自发辐射。要使p-n结产生激光，必须在结构内形成粒子反转分布状态，需

6、使用重掺杂的半导体材 料，要求注入p-n结的电流足够大（如30000A/cm2）。这样在p-n结的局部区域内，就能形 成导带中的电子多于价带中空穴数的反转分布状态，从而产生受激复合辐射而发出激光。半导体激光器结构。如图 19.2 为结 构图，其外形及大小与小功率半导体三 极管差不多，仅在外壳上多一个激光输 出窗口。夹着结区的 p 区与 n 区做成层 状，结区厚为几十微米，面积约小于 1mm2。半导体激光器的光学谐振腔是利用 与 p-n 结平面相垂直的自然解理面（110 面）构成，它有35 的反射率，已足以引 起激光振荡。若需增加反射率可在晶面 上镀一层二氧化硅，再镀一层金属银膜， 可获得 95

7、以上的反射率。一旦半导体激光器上加上正向偏压时，图19.2半导体激光器的结构图在结区就发生粒子数反转而进行复合2半导体激光器的工作特性0 _=1 00510152025mA）图19.3半导体激光器的工作特性曲线压电作工8 4o.O.)率功出输图19.3中给出了典型的半导体激光器的工作特性示意图，其中实现是输出光功率和工 作电流的关系（实线）；图中的虚线是工作电压和工作电流的关系曲线（V-I曲线），它基本 是由两段斜率不同的直线构成，一般LD在极小的电流状态下，电压已经较大了，所以一般 测量时，只能看到第二段，第二段是LD的串联电阻（LD本身的电阻特性）的与通过LD 的电流的结果。（1）阈值电流

8、（Ith）当注入 p-n 结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值 电流时， p-n 结产生激光。影响阈值的几个因素： 晶体的掺杂浓度越大，阈值越小。 谐振腔的损耗小，如增大反射率，阈值就低。 与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结低得多。目前，室温下同质结的阈值电 流大于3 0000A/cm2 ；单异质结约为 8000A/cm2 ；双异质结约为1 600A/cm2 。现在已用双异质 结制成在室温下能连续输出几十毫瓦的半导体激光器。温度愈高，阈值越高。100K以上，阈值随T的三次方增加。因此，半导体激光器最好在 低温和室温下工作。图 19.4 中给出了典型的半导

9、体激光器的典型特性示意图，其中的曲线是输出光功率和 工作电流的关系(实线)，虚线是对功率和电流的关系一次求导的结果，划线是对功率和电 流的曲线的二次求导的结果。一般对阈值的描述常用的有下述几种过程：a,在P-I曲线的 快速上升断上取其中的线性部分延长线与横坐标的交点；b,把荧光部分和激光部分分别近 似看成两条直线，那么两条直线的交点就是阈值；c在dP-dI的曲线上，取上升延的中点 (10%和90%两点的中点)；d，d2P/dI2的顶点作为阈值点。(2)发散角由于半导体激光器的谐振腔短小，激光方向性较差，在结的垂直平面内，发散角最大， 可达20-30；在结的水平面内约为10左右。(由于实验中我们

10、使用的LD是已经准直后的 LD,所以没有安排这部分实验)(3) 截止电压与串联电阻根据半导体激光器的VI工作曲线，可以求出半导体激光器的另外两个重要的内参数： 截止电压和串联电阻。我们都知道，半导体激光器的工作电压是恒定的，而VI工作曲线 存在一定斜率，这是激光器固有的串联电阻决定的，它产生的功率主要以热形式释放。可见， 作为激光器的一个品质参数，串联电阻应该越小越好。反向延长VI曲线与坐标轴相交便 可得到激光器的截止电压(Vj),它与阈值电流(Ith)有关，Ith越低，性能越好。(4) 效率 外量子效率：激光器每秒钟发射的光子数 P / hv门 =exex 激光器每秒钟注入的电子-空穴对数I

11、 / e 0其中P为激光器输出光功率，h为普朗克常数，e0为电荷常数，I为工作电流。一般 ex77K时，GaAs激光器外量子效率达70%80%； 300K时，降到30%左右。 功率效率激光器辐射的光功率P叶 =ex-p 激光器消耗的电功率 VI由于hvu E二eV，所以功率效率可以近似为外量子效率。其中V为激光器工作电压。 g0本激光器的工作波长为670nm。 量子微分效率由于激光器是阈值器件，当I小于Ith，发射功率几乎为零，而大于阈值以后，输出功率 th随电流线性增加，所以用外量子效率和功率效率对激光器的描述都不够直接，所以定义了外 微分效率。(P -P )/hvP /hv门 =exth二

12、exD(I -Ith)/e0(I-Ith)/e0th0th0由于各种损耗，3040。目前的双异质结器件，室温时的nD最高1%，只有在低温下才能达到（5）光谱特性由于半导体材料的特殊电子结构，受激复合辐射发生在能带（导带与价带）之间，所以 激光线宽较宽，GaAs激光器，室温下谱线宽度约为几纳米，可见其单色性较差。输出激光 的峰值波长：77K时为840nm； 300K时为902nm。3半导体激光器的调制特性 激光具有极好的时间相干性和空间相干性，它与无线电波相似，易于调制，且光波的频 率极高，能传递信息的容量很大。加之激光束发散角小，光能高度集中，既能传输较远距离， 又易于保密。因而为光信息传递提

13、供了一种理想的光源。我们把欲传输的信息加载于激光副射的过程称为激光调制，把完成这一过程的装置称为 激光调制器，由已调制的激光辐射中还原出所加载信息的过程则称为解调。由于激光起到“携 带”信息的作用，所以称其为载波。通常将欲传递的信息称为调制信号。被调制的激光称为 已调波或调制光。激光调制与无线电波调制相类似，激光振荡的瞬时电场也可表示为：e（t）=Acos（wt+屮）式中A为激光振荡的复振幅，w为调制的角频率，屮为调制的相位角。模拟激光调制可分 为调幅、调频和调相等类型。按载波的振荡输出方式不同又可分为连续调制、脉冲调制和脉 冲编码调制等。脉冲调制主要分为脉冲调幅（PAM）、脉冲强度调制（PI

14、M）、脉冲调频（PFM）、 脉冲调位（PPM）及脉冲调宽（PWM）等类型。脉冲编码调制（PCM）是先将连续的模拟 信号通过抽样、量化和编码，转换成一组二进制脉冲代码，用幅度和宽度相等的矩形脉冲的 有、无来表示，再将这一系列反映数字信号规律的电脉冲加在一个调制器上以控制激光的输 出。这种调制形式也称为数字强度调制（PCM/IM）。激光调制分为内调制和外调制两类。间接调制是指加载调制信号在激光形成以后进行的，即调制器置于激光谐振腔外，在调 制器上加调制信号电压，使调制器的某些物理特性发生相的变化，当激光通过它时即得到调 制。所以外调制不是改变激光器参数，而是改变已经输出的激光的参数（强度、频率等）

15、。由于内调制在波长上引入啁啾，所以外调制是当前人们较重视的一种调制方法。激光间接调制的方法由调制器依据的原理不同常分为电光调制、声光调制、磁光调制、干涉调制等。Vc直接调制是指加载的调制信号在激光振荡的过程中进行，以调制信号的规律去改变振荡的参数，从而达到改变激光输出 特性实现调制的目的。例如通过直接控制激光泵浦源来调制输 出激光的强度。内调制也可在激光谐振腔内放置调制元件，用 信号控制调制元件，以改变谐振腔的参数，从而改变激光输出 特性实现调制。直接调制的基本机构如右图。由于直接调制技术具有简单、经济、容易实现等优点，是 低速光纤通信中最常采用的调制方式，但只适合用于半导体激光器和发光二极管

16、，这是因为 发光二极管和半导体激光器（对激光器来说，阈值以上部分）基本上与注入电流成正比，而 且电流的变化转换为光频调制也呈线性，所以可以通过改变注入电流来实现光强度调制。直 接调制会引入光源的啁啾，这在长途系统中会引入较大的色散，是传输质量变差，特别是在高速传输系统中，应尽量避免。直接调制的原理图如下，上图给出了直接光强度调制的原理示意图，其中纵坐标为半导体激光器输出功率，横坐 标为半导体激光器工作电流，每个图形下面的曲线是要调制的电流信号，右边是调制后输入 的光电流信号。（a）,是正常模拟信号传输时的工作状态，从图中可以看出输入信号和输出 信号失真度很小，注意这种状态下的工作点基本位于线性

17、工作区的中间点。（b）,是工作在 截至区的特性，由于工作电偏低，所以有一部分信号畸变很大，造成信号失真（c）工作在 饱和区（注：任何半导体激光都会有一个电流上限，从保护和激光器寿命的考虑，设计电路 时限流点都会小于这个电流上限的2040%左右）（d）,数字信号传输的工作状态，在a图 中，大家可以看到，输入电流的最小值的时候，仍然有光输出，但是在数字电路中，如果“0” 数据仍然有光输出，那么在判别“1”和“0”的时候，可能就会引入误判断（技术上称作误 码，详见选作部分一一下一页的黑体字部分）。所以数字电路的工作状态是“0”位于截至区 附近（主要考虑下面几个方面：阈值附近可以大大减小电光延迟时间，

18、同时使张驰振荡得到 一定程度的抑制；较小的调制电流可以得到足够的输出光脉冲，从而可以减小码型效应和结 发热效应；低的消光比可以得到小的误码率；等等）。直接调制的带宽：因为半导体激光器的结电容特性，并不能像上面图中画的那样理想工 作，激光器对于不同的输入频率，响应并不相同，一般频率越高，输出的光强调制振幅越小。 半导体激光器的带宽定义为当输入信号的振幅相同的情况下，输出光强度调制是低频调制下 振幅的1/2时的频率，（现在最高速的调制是10GHz带宽，但我们实验中使用的PN结较大， 所以带宽为15KHz左右）三、仪器半导体激光器演示仪四、实验装置半导体激光器演示仪一套，结构原理图如下：功率计图19.6演示仪的结构原理图五、实验内容及步骤1将工作点旋钮逆时针旋转到头（将工作点调整旋钮顺时针、逆时针轻轻一下，通过手感 可以判断是否达到，注意不要大力硬行旋钮。）；5通过作图，得到激光器阈值功率Ith6利用 5 中得到的数据，计算串联电阻，功率效率和外量子微分效率（其中波长近似等于 670nm ）；7按光源选择按钮，选择另外一个LD,重复上述的47步；8按调制选择按键，将半导体激光器调整到内调工作状态；9按频率选择按键，选择不同的内调制信号，观察不同工作点下的输入信号和输出信号的 情况；10工作电旋钮逆时针旋转到最小，关机。