阻容吸收器阻容参数的简单计算

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1、阻容吸收器阻容参数的简单计算 阻容吸收器是一个频敏元件,不同于压敏元件(如避雷器)。其可以看作一个典型的串联RC 保护电路, R、C、L 同时起作用。一、电容选值 操作过电压,其实质是开关断开时产生的电磁能量震荡过程。在回路中没有保护器存在时, 总电容值很小,导致震荡频率f很高。电容的引入,可以大大提高回路总电容值,降低震荡 频率。最佳的效果应是降低频率正好到工频(50Hz),基本计算公式如下:f=/2n ( 1)= (1/LC(R/2L) 2) 1/2 (2)由于每个电路的初始L和C都不同,最佳值是不可能得到的。只能依据真空断路器大致的 情况进行经验比较。根据多年运行经验,取电容0.1吓时,

2、一般可以将f限制在150Hz以下, 因此0.1就成为一个比较通用的值。理论上讲,若对具体电路可以做到精确测算,容量再大 些对保护效果会更好(这就是有些地方用0.2或0.15的原因),但若没有精确测算,导致f 太小将造成副作用。二、电阻选值R 是一个阻尼元件,一方面对震荡频率有影响,一方面对电容器保护有利。对震荡频率的影响可以参考上面的公式(2),R不应小于其临界值2 (L/C) 1/2,否则对降 低频率不利。所以存在电阻值不应小于100。的说法。R值高同样有利于保护电容本身安全, 防止电容过载烧毁。故一般高安全性的阻容吸收装置,都适当的增大了R的值(一般最高 做到4000)。但是R值如果太大,

3、将大大提高时间常数,导致暂态时间延长,不利于保护 的高效性。所以我们希望 R 能够是一个压敏元件,在低压下电阻尽可能大,以保护电容;在高压下达 到百欧姆级,以利于工作。自控式阻容吸收器的最主要改革就在于此。而且这样改革后,额 外的起到了限制正常电压下阻容吸收器接地电流的作用,不会造成以往出现的阻容吸收器接 地电流引发系统误判断的问题,简化了整体设计。为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道,晶闸管有一个重要特性参数一断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明 晶闸管在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管从断态转入通态

4、的最低电压上升率。若电压 上升率过大,超过了晶闸管的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时 加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是 由三个 PN 结组成。在晶闸管处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。 当晶闸管阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3结,这个电流起了门极 触发电流作用。如果晶闸管在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0的充电电流越大,就 有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管误导通现象,即常说的硬开通,这是不允 许的。因此,对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制

5、电路电压上升率过大,确保晶闸管安全运行,常在晶闸管两端并联 RC 阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电 感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、 C 电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时,避免电容器通 过晶闸管放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管。由于晶闸管过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)X10 的负 8 次方XlfIf=0.367IdId-直

6、流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算 C=(2.5-5)X10 的负 8 次方 X500=1.25-2.5mF选用2.5mF,1kv的电容器电阻的选择:R=(2-4) X535)l仁2.148.56选择10欧PR=(1.5X(pfvX2nfc)的平方 X10 的负 12 次方 XR)2Pfv=2u(1.5-2.0)u二三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中,RC的时间常数一般情况下取110毫秒。小功率负载通常取2毫秒左右,R=220欧姆1W, C=0.01微法400630V。大功率负载通常取10毫秒,R=10欧姆10W, C=1微法6301000V。R的选取:小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻;大功率选RX21线绕或水泥电阻。C的选取:CBB系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分:接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率 范畴;接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。友情提示:本资料代表个人观点,如有帮助请下载,谢谢您的浏览!

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