《电力电子器件全控器》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电力电子器件全控器（45页珍藏版）》请在装配图网上搜索。
1、 RNPNPNPAGSKEGIGEAIKIc2Ic1IAV1V2P1AGKN1P2P2N1N2a)b)RNPNPNPAGSKEGIGEAIKIc2Ic1IAV1V2P1AGKN1P2P2N1N2a)b)Ot0t图1-14iGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6GTOGTO的开通和关断过程电流波形的开通和关断过程电流波形不包括尾部时间不包括尾部时间ttGMATOoffII bcii bce：截止区饱和区放大区OIcib3ib2ib1ib1ib2 b bb bb be ee ee ec cc cc cSOAOIcIcMPSBPcMUceUceM图图1-19
2、1-19 MOSFETMOSFET的结构和的结构和电气图形符号电气图形符号N+GSDP 沟道沟道b)b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道沟道a)a)GSDN 沟道沟道漏极漏极源极源极栅极栅极J J1 1 结结01020305040图1-202468a)10203050400b)10 20 305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/A01020305040图1-202468a)10203050400b)10 20 305040饱和区非饱和区截止区ID/AUTUGS/VUDS/VUGS=UT
3、=3VUGS=4VUGS=5VUGS=6VUGS=7VUGS=8VID/Aa）b)图1-21RsRGRFRLiDuGSupiD信号+UEiDOOOuptttuGSuGSPuTtd(on)trtd(off)tf进入非饱和区的栅压进入非饱和区的栅压 UGSP CGS、CGD CDS；CGS、CGD 和和 CDS EGCN+NPN+N+PN+N+P+J3J2J1+-+-+-IDRNICVJ1IDRonEGCN+NPN+N+PN+N+P+J3J2J1+-+-+-IDRNICVJ1IDRonRN 调制电阻调制电阻O有源区有源区正向阻断区正向阻断区饱饱和和区区反向阻断区反向阻断区a)b)ICUGE(th)
4、UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加增加转移特性转移特性输出特性输出特性。O有源区有源区正向阻断区正向阻断区饱饱和和区区反向阻断区反向阻断区a)b)ICUGE(th)UGEOICURMUFMUCEUGE(th)UGE增加增加转移特性转移特性输出特性输出特性ttt10%90%10%90%UCEIC000UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICMttt10%90%10%90%UCEIC000UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM GEC+-+-+-IDRNICIDRONVJ1 MCT（MOS Controlled Thyristor）
电力电子器件全控器
