VLSI总复习12

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1、VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 总总 复复 习习2015年年VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 章节要求章节要求:第一、三章：理解并能够阐述相关基本概念第一、三章：理解并能够阐述相关基本概念 第二、四、五章：全部内容。能够阐述概念，第二、四、五章：全部内容。能够阐述概念，理解工艺，分析问题，设计电路，计算宽长比，理解工艺，分析问题，设计电路，计算宽长比，阅读版图并分析逻辑。阅读版图并分析逻辑。第六章第第六章第12节：能够根据要求采用不同的技节：能够根据要求采用不同的技术设计电路。术设计电

2、路。第八章第第八章第14节：能够分析电路构成、特点，节：能够分析电路构成、特点，推导电路增益并根据参数计算增益大小。推导电路增益并根据参数计算增益大小。总体要求：认真读书，能够独立完成作业。总体要求：认真读书，能够独立完成作业。VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第2章）章）oxtTNGSVVnLW（5 5）定性解释直流导通电阻随）定性解释直流导通电阻随、的增加而减小，的增加而减小，的增加而增加的原理。的增加而增加的原理。随随VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解

3、（第作业讲解（第2章）章）A=8A=8F=8F=8G=8G=8D=8D=8B=3B=3E=8E=8C=8C=8PMOS=47PMOS=47VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第2章）章）VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第2章）章）VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第2章）章）4、（、（9）假设）假设NMOS管的管的VTN=1V，对于一个，对于一个NMOS传输门，如果传输

4、门，如果VG=5.5V，Vi=5V，在，在输出端传输得到的电压输出端传输得到的电压Vo将是多少？将是多少？解：解：4.5伏。伏。VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第4章）章）1、（、（2）分析并解释下图的）分析并解释下图的ROM结构，将结构，将ROM中的数中的数据填入表中：据填入表中：VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第4章）章）2、（、（3）将题）将题1电路改成动态电路改成动态ROM结构并画出电路。结构并画出电路。注：每个支路（与非门）接一注

5、：每个支路（与非门）接一个个NMOS管也可以，这样最下管也可以，这样最下面将有面将有8个晶体管接个晶体管接1。VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第4章）章）3 3、（、（4 4）分析下图所示电路，提取电路的功能。）分析下图所示电路，提取电路的功能。VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第4章）章）4、（、（7）下图为一个开关逻辑的电路，请根据电路）下图为一个开关逻辑的电路，请根据电路写出对应的逻辑函数。写出对应的逻辑函数。BSBSAASSSSAY1

6、10220答案：答案：VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第4章）章）5、（、（8）读版图并写出电路的逻辑表达式。假设图中）读版图并写出电路的逻辑表达式。假设图中PMOS管的宽管的宽长比为长比为10，NMOS管宽长比为管宽长比为4，计算最长的上升时间与最长的下，计算最长的上升时间与最长的下降时间的比值。（空穴迁移率与电子迁移率比为降时间的比值。（空穴迁移率与电子迁移率比为1：2.5）答案：答案：NMOS管最长路径宽长比为管最长路径宽长比为4/3，PMOS管最长路径宽长比管最长路径宽长比为为10/2，代入迁移率比值，代入迁

7、移率比值，PMOS可比拟可比拟NMOS宽长比为宽长比为2，最，最长的上升时间与最长的下降时间的比值为长的上升时间与最长的下降时间的比值为1/2：3/4=2：3VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第5章）章）1、（、（2）试读下面）试读下面4个版图，提取对应的电路，并对个版图，提取对应的电路，并对电路的功能进行分析。电路的功能进行分析。三态门三态门VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第5章）章）2 22 2与或门与或门VLSIVLSI设计基础设计基础

8、 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第5章）章）2To1MUX2To1MUXVLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第5章）章）三态门三态门VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第5章）章）2、读版图，分析电路的功能。、读版图，分析电路的功能。C=0，NMOS截止，截止，PMOS开漏输出；开漏输出；C=1，PMOS截止，截止，NMOS开漏输出。开漏输出。VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院

9、东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第6章）章）1、（、（5）以二到一）以二到一MUX为基本结构，设计一个实现为基本结构，设计一个实现X函函数的电路结构并请详细给出设计过程。数的电路结构并请详细给出设计过程。000201102201012012012S SS SB BS SB BS SS SS SA AA AS SB BS SS SB BS SS SS SA AA AB BS SS SS SB BS SS SS SA AA AX XVLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第6章）章）2、（、（8）假设倒相器的延

10、迟时间为，与非门的延迟时间为）假设倒相器的延迟时间为，与非门的延迟时间为2，请画出请画出A和和B的波形，并加以说明。如果要求高电平不重叠，在此的波形，并加以说明。如果要求高电平不重叠，在此电路基础上进行改进。电路基础上进行改进。VLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第6章）章）3、（、（9）对于图示寄存器电路，如果希望在）对于图示寄存器电路，如果希望在Read和时和时钟信号作用下，在钟信号作用下，在D信号线上读出寄存器的内容，下信号线上读出寄存器的内容，下图的电路应该如何改进。图的电路应该如何改进。VLSIVLSI设计基础

11、设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第8章）章）参考参考8.3.1段，分析当以段，分析当以PMOS管为工作管管为工作管时，推导基本放大器在时，推导基本放大器在6种负载情况下的电种负载情况下的电压增益表达式。压增益表达式。121210201121/L LW WC CV VV VV VV VI Ir rr rg gA Aoxoxp pA AA AA AA ASDSDm mV VVLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第8章）章）参考参考8.3.1段，分析当以段，分析当以PMOS管

12、为工作管管为工作管时，推导基本放大器在时，推导基本放大器在6种负载情况下的电种负载情况下的电压增益表达式。压增益表达式。2121L LW WL LW Wg gg gA An np pm mm mV VVLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第8章）章）参考参考8.3.1段，分析当以段，分析当以PMOS管为工作管管为工作管时，推导基本放大器在时，推导基本放大器在6种负载情况下的电种负载情况下的电压增益表达式。压增益表达式。121210201121/L LW WC CV VV VV VV VI Ir rr rg gA Aoxox

13、p pA AA AA AA ASDSDm mV VVLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第8章）章）参考参考8.3.1段，分析当以段，分析当以PMOS管为工作管管为工作管时，推导基本放大器在时，推导基本放大器在6种负载情况下的电种负载情况下的电压增益表达式。压增益表达式。2122111L LW WL LW Wg gg gg gA AB BmBmBm mm mVEVEVLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 作业讲解（第作业讲解（第8章）章）推导以推导以PMOS管为工作管，管为工作管，NMOS基本电流基本电流镜为负载的差分放大器的电压增益表达式。镜为负载的差分放大器的电压增益表达式。242420201121/L LW WC CV VV VV VV VI Ir rr rg gA Ao ox xp pA AA AA AA AS SD Dm mV VVLSIVLSI设计基础设计基础 东南大学电子科学与工程学院东南大学电子科学与工程学院 考试考试:考试覆盖所有授课内容考试覆盖所有授课内容,闭卷闭卷 考试时间考试时间:答疑时间答疑时间:6月月14日日(周六周六)下午下午6:00-8:00,2014-06-16 14:00(星期一)教三-202 2小时