半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工考点模拟考试

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1、半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点模拟测试测试时间：120分钟测试总分：100分题号四五总分分数遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,保证测试结果公正.1、问做题简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？此题答案：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除此题解封析：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除去并得到所需I图形的工艺.I2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何I图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中央，I为后面的刻蚀和离子注入做准备.决定了芯片的性能,成品率,可靠性.I2、填空题铝丝与铝

2、金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接,甚至根本无法实现焊接的原因是铝的外表在空气中极易生成一层，它们阻挡了铝原子之间的紧密接触,达不到原子之间引力范围的间距.此题答案：氧化物此题解析：氧化物3、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成.底盘、管帽和引线的材料常常是1A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐此题解析：暂无解析4、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛限制、温度限制和密封腔体内J控制.此题答案：湿度此题解析：湿度5、单项选择题双极晶体管的1.c7r噪声与有关.A.基区宽度B.外延层厚度C.外表界面状态此题答案：

3、C此题解析：暂无解析6、问做题什么叫晶体缺陷？此题答案：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺此题解析：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺陷.7、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是和.此题答案：平均投影射程；平均投影标准差此题解析：平均投影射程；平均投影标准差8、填空题禁带宽度的大小决定着的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化.此题答案：电子从价带跳到导带此题解析：电子从价带跳到导带9、单项选择题变容二极管的电容量随变化A.正偏电流B.反偏电压C结温此题答案：

4、B此题解析：暂无解析10、填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有隔离等三种基本方法.此题答案：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合此题解析：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合11、问做题洁净区工作人员应注意些什么？此题答案：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来此题解析：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝,禁止用手表,首饰,指甲油，吸烟,化妆,工作只能在洁净面上进行.12、单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有J、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间A.准备工具B.准备模塑料C.模塑料预热此题

5、答案：C此题解析：暂无解析13、问做题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？此题答案：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低此题解析：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低欧姆接触电阻；3、在半导体和金属之间有很好的附着水平；4、抗电迁水平强；5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；6、抗侵蚀和抗氧化性好.7、具有高的导电率和纯度.8、与下层存底通常是二氧化硅或氮化硅具有良好的粘附性.9、与半导体材料连接时接触电阻低.10、能够淀积出均匀而且没有空洞的薄膜,易于填充通孔.I1.v易于光刻和刻蚀,容易制备出精细图形.12、很好的耐腐蚀性.13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性.14、单

6、项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2%（质量比的硝化纤维素溶解于98%（质量比的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20%的运载剂与J的玻璃料均匀混合,配成印刷浆料.A.80%90%B.10%20%C.40%-50%此题答案：A此题解析：暂无解析15、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请,经党支部委员会同意,可以少交或免交.此题答案：对此题解析：暂无解析16、单项选择题溅射法是由轰击靶材外表,使靶原子从靶外表飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜A.电子B.中性粒子C.带能离子此题答案：C此题解析：暂无解析17、填空题延生长方法比拟多,其中主要的有J外延、外延、金属有机化学气相外

7、延、外延、原子束外延、固相外延等.此题答案：化学气相；液相；分子束此题解析：化学气相；液相；分子束18、单项选择题恒定外表源扩散的杂质分布在数学上称为分布.A.高斯B.余误差C指数此题答案：B此题解析：暂无解析19、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素.A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形此题答案：B此题解析：暂无解析20、填空题最常用的金属膜制备方法有J加热蒸发、蒸发、C.此题答案：电阻；电子束；溅射此题解析：电阻；电子束；溅射21、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属

8、作封装底盘、管帽和引线，做绝缘和密封.A.塑料B.玻璃C金属此题答案：B此题解析：暂无解析22、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为（A.小于0.1mmB.0.52.0mm匚大于2.0mm此题解析：暂无解析23、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价J的重要标志.A.扩散层质量B.设计C.光刻此题答案：A此题解析：暂无解析24、填空题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液.碑化像片用J系、氢氧化氨系蚀腐蚀液.此题答案：硫酸此题解析：硫酸25、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类.半导体器件

9、的粘封工艺一般选用A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂此题答案：B此题解析：暂无解析26、单项选择题双极晶体管的高频参数是.A.hFEVcesB.BVceC.ftfm此题答案：C此题解析：暂无解析27、填空题二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温、J淀积、PECVD淀积.此题答案：氧化；气相此题解析：氧化；气相28、填空题等.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为、此题答案：导电胶粘接；银浆烧结此题解析：导电胶粘接；银浆烧结29、填空题如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大于3.。倍,其长度小于15倍或大于6O倍,判引线键合此题答案：不合格此题解析：不合格30、问做题粘封工艺中，常

10、用的材料有哪几类？此题答案：常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类此题解析：常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类.31、填空题厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，氮化铝(A1.N陶瓷.此题答案：氧化镀陶瓷此题解析：氧化被陶瓷32、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和J两项试验.此题答案：剪切强度此题解析：剪切强度33、问做题引线焊接有哪些质量要求？此题答案：可靠性好,易保持一定形状,化学稳定性好.尽量少形成金属此题解析：可靠性好,易保持一定形状,化学稳定性好.尽量少形成金属间化合物,键合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触.平整度倾斜度,平行度

11、焊接时间焊接界面的清润.34、填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比拟复杂,但主要可分为扩散和扩散两种.此题答案：替位；间隙此题解析：替位；间隙35、单项选择题厚膜元件烧结时,浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由外表的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能C，从而使系统转变为热力学中更稳定的状态.A.降低B.升高C.保持不变此题答案：A此题解析：暂无解析36、单项选择题禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子外界因素如高温和辐射等的干扰而产生变化.A.越不容易受B.越容易受C.根本不受此题答案：A此题解析：暂无解析37、

12、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的J性、率,并影响其电学性能和性,所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行.此题答案：完整；成品；可靠性此题解析：完整；成品；可靠性38、问做题简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？此题答案：外延要求：1.集电极击穿电压要求2.集电此题解析：外延要求：1.集电极击穿电压要求2 .集电极串联电阻要小.3 .高频大功率小型化.4 蚀要求：1.图形转换的保真度高5 .选择比高.6 .刻蚀速率高.7 .刻蚀剖面.8 .刻蚀偏差.9 .刻蚀因子大.10 均匀性.39、填空题外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三局部,而J设计也包含在这三局部中间

13、.此题答案：可靠性此题解析：可靠性40、单项选择题器件的横向尺寸限制几乎全由来实现A.掩膜版B扩散C.光刻此题答案：C此题解析：暂无解析41、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度；反响室漏气；外延层的晶体;系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜.此题答案：不够；质量差此题解析：不够；质量差42、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用化合物,经过热分解反响,在基片外表淀积二氧化硅.此题答案：含有硅的化合物此题解析：含有硅的化合物43、问做题单晶片切割的质量要求有哪些？此题答案：晶向偏离度总厚度误差,平衡度,翘曲度等此题解析：晶向偏离度总厚度误差,平衡度,翘曲度等44、

14、问做题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？此题答案：常压化学气相淀积APCVD.,低压化学气此题解析：常压化学气相淀积APCVD.,低压化学气相淀积（1.PCVD.,等离子体辅助CVD.45、单项选择题平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角.焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的.压力太大,电阻值下降,对形成焊点不利,焊轮压力太小,那么造成接触不良,不但形不成良好点.A.电流值11 电阻值C.电压值此题答案：B此题解析：暂无解析46、单项选择题反响离子腐蚀是A.化学刻蚀机理12 物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反响刻蚀相结合此题答案：C此题解析：暂无解析47、单项选择题在突缘电阻焊工艺中,要获得良好的焊接质量,必须确定的根本标准包括）A.焊接电流、焊接电压和电极压力13 焊接电流、焊接时间和电极压力C.焊接电流、焊接电压和焊接时间此题答案：B此题解析：暂无解析48、填空题金丝球I此题答案：A此题解析：暂无解析51、单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能.外壳应有小的，使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作.A热阻B.阻抗C.结构参数此题答案：A此题解析：暂无解析