三氯氢硅简介

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1、10000t/a三氯氢硅项目介绍一、市场需求预测三氯氢硅（HSiCl3）是一种重要的高附加值原料，主要用作半3导体工业中制造超纯多晶硅和高纯硅烷的原料及外延生长的硅 源。1.1产品的性质及用途三氯氢硅是生产有机硅烷偶联剂的重要原料。有机硅产品是 一类性能优异而独特的新型化工材料，应用范围遍及国防、国民 经济乃至人们日常生活的各个领域，已发展成为技术密集、资金 密集、附加值高、在国民经济中占有一定地位的新型工业体系， 并使相关行业获得了巨大的经济效益。有机硅产品人致分为硅 油、硅橡胶、硅树脂、硅烷偶联剂等4人类产品。将三氯氢硅与氯乙烯或氯丙烯进行合成反应，再经精馏提 纯，得到乙烯基或丙烯基系列硅

2、炕偶联剂产品。硅烷偶联剂几乎 可与任何一种材料交联，包括热固性材料、热塑性材料、密封剂、 橡胶、亲水性聚合物以及无机材料等，在太阳能电池、玻璃纤维、 增强树脂、精密陶瓷纤维和光纤保护膜等方面扮演着重要角色， 并在这些行业中发挥着不可或缺的重要作用。四氯化硅是三氯氢 硅生产中极为重要的原辅料，同样具有广阔的市场需求空间。三氯氢硅还是制造多晶硅的主要原料，将三氯氢硅还原可以 得到高纯度的多晶硅。当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石 品格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒， 则形成多晶硅。多晶硅按纯度分类可以分为冶金级(金属硅)、太 阳能级、电子级。多晶硅产品的主要用途：(1) 可做

3、成太阳能电池，将辐射能转变为电能；(2) 高纯的晶体硅是重要的半导体材料；(3) 金属陶瓷、宇宙航行的重要材料；(4) 光导纤维通信，最新的现代通信手段；(5) 性能优异的硅有机化合物。生产三氯氢硅的主要副产品四氯化硅也是制造有机硅的主 要原料，它的制成品有硅酸酯、有机硅油、高温绝缘漆、有机硅 树脂、硅橡胶和耐热垫衬材料等。咼纯的四氯化硅还是制造咼纯 二氧化硅、无机硅化合物、石英纤维以及光导纤维的重要原料。12三氯氢硅发展现状我国有机硅工业的发展起始于20世纪50年代初，到80年代以 后，尤其是进入90年代，有机硅产品生产厂家迅猛涌现，遍及全国 各地。当前世界上只有美国、日本、德国、俄罗斯等少

4、数国家能够以大 工业规模生产高纯三氯氢硅，最大的生产商是德国的Wacher公司和 美国的Dow Corning公司。中国在20世纪90年代初已建成一定规模 的三氯氢硅生产装置。然而，目前中国三氯氢硅产品的纯度只能满足 中低端应用，高纯度级别三氯氢硅仍需依赖进口。因此，应加紧开发 高纯度级别的电子产品，并发展具有自主知识产权的技术，缩短与国 外先进水平的差距。1.3三氯氢硅市场分析国内三氯氢硅这几年发展速度，增长较快。随着我国经济的飞速 发展，尤其是精细化工、有机硅产业、电子产品、光纤通讯等行业的 快速发展，为三氯氢硅的生产和下游产品的开发提供了巨大的市场空 间和机遇。随着我国有机硅产业的增长，

5、随着太阳能电池行业的飞速 发展，对三氯氢硅的需求量迅速增加。各地纷纷扩建三氯氢硅项目。中国太阳能学会秘书长孟宪淦介绍，国外对光伏产业的扶持体现 在政策支持上，德国、美国、日本的政策指引最为有效，通过立法、 购电补偿、税收抵扣、投资补贴等方面帮助光伏产业的发展。而我国 目前尚未启动光伏产业政策，因此“两头在外”的中国光伏产业必须 在国外的供需不平衡中寻找生存空间。5年以后，实际可以利用的材 料将为行业提供100GW的电池产能，所以到了 2012年，多晶硅产 能提高达到高峰。如果能够改进和开发新的三氯氢硅生产技术，将取 得原本依赖进口的巨大的国内市场。1.4原辅材料供应分析本项目生产所用的原辅材料

6、为金属级硅、氯气、氢气、以及铜催 化剂等化工产品，除氯气和氢气自给外，其他的原料目前在国内市场 均可购得，供货有保证。公司原有离子膜烧碱和PVC装置，有富余的氯气和氢气，并有 氯化氢合成设施，并且设施符合且有富裕，加上PVC装置开工率较 低，PVC目前效益不佳，烧碱又要扩建，氯化氢的供给有保障。1.5产品价格分析本项目根据成本、产品性能、市场容量和我国现有三氯氢硅市场 价格定位等综合因素，初步定价为：三氯氢硅：10000元/吨；四氯化硅：（暂不计价）付产盐酸：少量，价值较低，暂不计价。二、产品方案及生产规模2.1产品方案本项目产品方案为：三氯氢硅、四氯化硅、盐酸。表2.1 拟建工程产品方案序号

7、产品名称规格标准依据产量t/a1三氯氢硅SiHC坚99%100002四氯化硅SiClQ99%26503盐酸HCl30%2.2生产规模生产规模为：三氯氢硅工程规模为10000t/a三氯氢硅。年操作时间：8000小时。三、工艺技术方案三氯氢硅又称三氯硅烷、硅氯仿，是一种易挥发、易潮解的 无色液体。同时也是一种应用广泛的有机硅单体，广泛用于有 机硅烷和烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷的合成是有机硅 烷偶联剂中最基本的单体，也是生产多晶硅的主要原料。目前，三氯氢硅的合成方法主要有2种，一种是传统的合 成方法即沸腾氯化法；另一种是通过四氯化硅的氢化技术来实 现。后一种方法需要在高温压下完成，且能耗高、对设

8、备腐蚀 严重、资金投入也大。目前，三氯氢硅的生产主要以沸腾氯化法 为主。3.1生产原理三氯氢硅是通过高纯氯化氢气体与冶金级单体硅(质量分数 98.0%99.0%)在一定温度、压力条件下反应制备的。反应方 程式如下:Si+3HCl-SiHCly+H2(1)S144HCl-SiCM2H2(2)Si-h2HCl-5iH2Cl2(3)反应(1)为主反应，反应(2)、(3)为副反应。反应(1)在动 力学上属于零级反应，热力学上属于放热反应，反应热为141.8 kJ/mol。升高反应温度虽可加快反应速度，但不利于主产物的 生成。在优化温度和压力的条件下，可大大提高三氯氢硅的选择 性。例如在温度为300-4

9、25C、压力为25 kPa条件下，硅和 氯化氢发生反应，产物 以6001000 kg/h的流速连续输出， 三氯氢硅选择性高达80%88%,副产物中约有1.0%2.0% 的二氯二氢硅和l%4%的缩聚物，其余为四氯氢硅。该合成 反应中，温度、压力、硅粉粒度、氯化氢气体的流速、氯化氢中 O和H0含量都会对三氯氢硅的收率产生很大影响。2 2氯化氢与硅的催化反应机理可以用吸附原理来解释。即在多相催化反应中。反应过程可分为5个阶段：（1）气体反应物扩散到催化剂表面；（2）反应物分子吸附于表面；（3）表面反应；（4）形成的分子从表面解吸；（5）产物扩散到气相反应过程中。在用单质铜做催化剂时，氯化氢被吸附在触

10、体表面，并离解成氢离子和氯离子，2个被吸附的氢原子再结合成1个分子而被解吸，2个被吸附的氯原子与1个硅原子结合生成SiC1：型的表面化合物，它又与另一个氯化氢分子结合成三氯氢硅。Si+2HCJ-（SiCI2）+H2产工艺技术鎏比较卿3.2生产工艺技术用硅作原料合成三氯氢硅的工艺经历了从固定床、搅拌床到流化床的发展过程。固定床反应器中三氯氢硅的收率只有60%80% 流化床反应器中三氯氢硅的收率则可达80%90%。沸腾氯化法采用流化床反应器其生产过程主要包括氯化氢的制备、三氯氢硅合成、气固分离、合成气冷凝、精馏提纯等工序,生产流程如图4.2.1。煥HCI气怵热HC1代体SiCHq硅粉JSiHCLS

11、iHUjJt：. 古合成 直邑工艇凤丛离1图3.2.1三氯氢硅生产流程框图3.2.1氯化氢的制备目前氯化氢的制备主要有合成法和解吸法。合成法技术成 熟，生产稳定，是目前国内大型氯化氢生产装置采用的主要生产 工艺。合成法主要是通过氯气和氢气在氯化氢合成炉内燃烧生成 的（H2： C12=l. 05： 1. 001. 10： 1.00），合成后的氯化氢经 空气冷却器自然冷却，再经除铁器进入石墨冷却器冷却后进人酸 雾分离器，最后将得到的氯化氢气体送入缓冲罐。3.2.2 三氯氢硅合成该工序是整个三氯氢硅生产中最重要的部分。将研磨过的冶 金级硅粉颗粒在氮气的吹送下送至硅粉干燥器，将干燥后的硅粉 在硅粉计量

12、罐中精确计量后，从流化床反应器的原料入口处送入 反应器。同时，将处理过的铜粉从流化床反应器的催化剂人口处 加入，固体颗粒混合均匀后，通过外部加热器加热到预定温度， 然后将氯化氢气体从反应器底部以一定速度吹入，开始反应。在流化床反应器中，温度、压力、硅粉粒度、氯化氢气体的 流速以及纯度（尤其是含水量和含氧量）对三氯氢硅的收率影响 很大。由于该反应为剧烈放热反应，对温度的控制要求很高， 温度太低，氯化氢与硅粉不能发生反应；温度太高，三氯氢硅的 选择性将大大降低。反应器内温度升高到350C以上时，合成气 中四氯化硅的含量逐渐增加，三氯氢硅的选择性大大降低。因此， 反应开始前，由于流化床反应器内温度比

13、较低，达不到反应需要 的温度，通常需要外部条件加热以诱发反应进行。随着反应的进 行，大量反应热被释放出来，不仅需要停止外加热器，并且需 要通过循环冷凝水及时移走反应器中的热量以保持反应器温度 恒定反应器内最佳温度一般恒定在325C左右。该合成反应属于低压反应，压力一般控制在0.15MPa（表压） 下。合成反应所用原料金属级硅粉颗粒细度为80120目。在该 反应中，氯化氢的气流速度是影响操作稳定性的一个重要因素， 气速过大，流化床反应器内部温度难以控制，而且气固不能很好 接触，合成气夹带多；气速过小，会降低反应器的处理能力，降 低产量。氯化氢的含水量对三氯氢硅的收率影响极大，当氯化氢 气体中水的

14、质量分数小于0.1 %时，三氯氢硅的收率高达88%； 当氯化氢气体中水的质量分数达到0.4%时，三氯氢硅的收率锐 降至65%，并且水能溶解部分的氯化氢气体形成盐酸，腐蚀设 备大大缩短设备的使用寿命，并能与系统中的三氯氢硅发生反 应生成二氧化硅固体，堵塞设备和管道，影响生产进行。三氯氢硅是一种很强的还原剂极其容易与氧作用生 成7 sion，大大降低了三氯氢硅的收率；三氯氢硅和氧气的混 合物是高度易燃、易爆混合气体，在遇到明火的情况下，剧烈反 应，甚至发生爆炸。SiHCh+Qj-Si Oi+HCl+Clj在流化床反应器的反应是三氯氢硅生产过程的核心，也是技 术含量最高、操作最复杂的工序。在该工序中

15、，影响反应的因素 很多，很多参数的确定需要在实践中进一步探索。3.2.3气固分离该工序主要是将合成气中的固体颗粒分离出去，一方面提纯 合成气；另一方面防止固体颗粒的存在度赛管道、损坏设备而使 反应无法继续进行。从流化床反应器出来的合成气（以三氯氢硅 和四氯化硅为主），经过缓冲罐首先进入旋风分离器，经过两级 旋风分离器分离除部分硅粉后，气体进入箱式过滤器，进一步滤 出细粉及高氯硅烷，提纯后的气体再进入冷凝工序。该工序可以 较为彻底地将合成气与固体颗粒分离，被分离出来的硅粉颗粒经 过处理后重新进入循环，分离后的气体则进入下一工序。3.2.4合成气冷凝该工序主要是将混合气体冷凝液化，便于将三氯氢硅和

16、四 氯化硅混合液送入精镏塔中进行精镏操作。经过气固分离后的合成气体首先进入工艺水预冷器，用循环 水对其进行预冷，再将预冷后的气体通入盐水冷凝器进一步冷 却，最后气体进入深度冷凝器。深度冷凝器中冷媒的温度一般为 40一30C左右，在冷凝器中，三氯氢硅的冷凝效率也只有 85%，仍有15%的三氯氢硅未冷凝。3.2.5精镏提纯该工序是通过精镏装置将混合液体中的杂质除去，并且将 三氯氢硅和四氯化硅分开，得到高纯度的三氯氢硅液体。精镏主要是利用不同物质的沸点不同而进行分离。由于三氯 氢硅和四氯化硅的沸点相差25C，并且不形成共沸物，比较容 易采用精镏方法进行分离。操作中，冷凝工序来的三氯氢硅和四 氯化硅混

17、合料（三氯氢硅的质量分数为80%85% ）进入精镏 塔，采用两塔连续提纯分离，通过控制一定的回流比，最终得到 三氯氢硅质量分数99%以上的产品和四氯化硅质量分数95%以 上的副产品。在精镏工序中，目前国内主要采用常压分离提纯工艺。常压 分离提纯工艺在运行时，塔顶冷却介质需要采用低温盐水；有人 提出加压精镏技术，该方法是利用三氯氢硅和四氯化硅的沸点随 压力的升高，二者的相对挥发度与沸点差成正比的原理实现的， 可以用普通循环水代替低温盐水，降低生产成本。3.2.6 工艺方案确定氯化氢的合成法工艺技术成熟，生产稳定，也是目前国内大 型氯化氢生产装置采用的主要生产工艺；三氯氢硅合成采用常规 工艺，低压

18、（0.15Mpa表压），320C反应，控制氯化氢中水和氧 含量，提高反应收率；采用两级旋风分离器分离反应气固混合物； 合成气采用预冷+深冷的两级冷凝工艺；由于公司已有现成的低 温盐水系统（负荷有富裕），为降低设备制造成本和操作危险性 （减少泄漏风险），采用常压精镏工艺。3.3工艺流程10000 t/a三氯氢硅生产工艺过程主要包括氯化氢合成、三氯氢硅合成、氯硅烷分离提纯、尾气处理工序等四个工序。（4一硅梯干燥护江印一珪粉计就簞；（琦一三氯氢硅合战反座誓$ （门一-旋凤分禹蹲匸丽）-箱或过砂器：怕）一箭冷語； 门一烬逆换器；一冷捉器江一菇愉塔3.3.1氯化氢合成从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成

19、气干法分离工序 返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。出氢 气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。从液氯汽化工 序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧 枪。氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生 成氯化氢气体。出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却 器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收 器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统， 可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。该 系统保持连续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。为保证环保达标，尾

20、气送入尾气淋洗，以保证可以随时接收 并处理含氯、氯化氢气体。3.3.2 三氯氢硅合成将硅粉卸至转动圆盘，通过管道用气体输送至硅粉仓，再加 入硅粉干燥器，经计量后加入三氯氢硅合成炉。在三氯氢硅合成 炉内，温度控制在80320，硅粉和氯化氢发生反应，生成三 氯氢硅和四氯化硅。生成的三氯氢硅和四氯化硅气体经沉降器、 旋风分离器和袋式过滤器除去粉尘及高氯硅烷，经水冷后，再用 -30C冷媒冷凝为液体。不凝性气体通过液封罐进入尾气淋洗塔， 经酸碱淋洗达标后排放。3.3.3氯硅烷分离提纯在三氯氢硅合成工序生成的三氯氢硅和四氯化硅，经合成气 干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入粗三氯氢硅贮槽，粗三 氯氢硅用泵

21、抽出，经过计量罐计量后送入氯硅烷分离的精馏塔 中。顶部汽相冷凝后进入精品计量罐计量后，用泵送入精三氯氢 硅贮槽；塔底蒸馏残余物（四氯化硅）用泵送入四氯氢硅贮槽。3.3.4 尾气处理工序氯化氢、氢气和少量的未冷凝的氯硅烷送尾气淋洗塔，用大 量水进行喷淋吸收，氯化氢溶解于水中，三氯氢硅等氯硅烷水解 生成二氧化硅和溶于水的氯化氢。该方法工艺简单，技术成熟，投资少，通过控制喷淋系统的 水量和中和池的氢氧化钠的投入量，也可以很好地实现合格排 放。缺点是没有对氯化氢和氢气进行二次利用，使消耗增高。另 外尾气中的氯硅烷与水反应生成不溶于水的二氧化硅和盐酸，同 时氯化氢溶于水形成盐酸。335主要原材料消耗定额

22、（以每吨产品计）表331消耗定额序号名称规格单位消耗定额-一-原料和辅助材料1硅粉t/t0.282液氯t/t1. 00或氯化氢1.028t3氢气Nm3/12903.4物料平衡主要物料平衡情况见表3.4.1。表3.4.1 装置物料平衡物料名称纯度（m%）kg/ht/dt/a入方硅粉983508.42800液氯或氯化氢1.2530.010000氢气320.776256水875217000合计出方三氯氢硅9912503010000四氯化硅98331.257.952650盐酸30合计3.5工艺指标三氯氢硅合成工艺指标需要在生产中进一步优化，才能提高 三氯氢硅合成收率，其主要影响因素是：合成炉的温度、压

23、力， 冷却水的温度和压力，硅粉的加入量等。控制主要技术条件：上、中、下温度：280320C炉顶压力:100140mmHg压差:110 170mmHg分布板压：1921（分布板上的阻上差约等于）HCL 压力：300400 mmHg除尘器温度：150C左右硅粉粒度:80120目。3.6主要设备选型主要设备规格见表4.6.1。表461主要设备规格一览表序号设备编号设备名称型号规格单位数量材质备注-氯化氢（甲类）1V101氯气缓冲罐DN1000X2500台116MnR三类2V102氢气缓冲罐DN1000x2500台116MnR一类3V103盐酸贮槽DN1600x4500台1FRP4V104除雾器DN1

24、200X1400台3Q2355V105气液分离器DN800X1500台3Q2356R101氯化氢合成炉DN1400X6300台3Q2357X101氢气阻火器DN500x850台3Q235一类8E101氯化氢冷凝器40m2台3石墨9E102氯化氢深冷器40m2台3石墨10E103氯化氢预热器60m2台3石墨11P101水流喷射泵台2PVC12P102盐酸泵Q=20m3/h H=20m台2衬四氟防爆二三氯氢硅（甲类）13V106真空缓冲罐DN800X1200台1Q23514V107真空分离器DN800X1200台1Q23515V108硅粉干燥器DN450X3150台6Q23516V109硅粉干燥器

25、DN450X3150台6Q23517V110硅粉过滤器DN1000台1Q23518V111网袋过滤器台6Q23519V112空冷器台6Q235一类20V113硅粉缓冲罐DN1000X3400台1Q23521V114A粗品计量槽DN1600X4000台3Q23522V114B粗品计量槽DN1600X4000台3Q23523V115粗品高位槽DN1600X3500台3Q23524V116热水槽DN2800X4000台1Q23525V117A精品计量槽DN1600X4000台3Q23526V117B精品计量槽DN1600X4000台3Q23527V118DN1600X4000台1Q23528V119

26、粗三氯氢硅贮 槽DN3000x8000台2Q23529V120精三氯氢硅贮 槽DN3000x80002Q23530V121四氯化硅贮槽DN3000x8000台1Q23531V122尾气除雾器DN1600台3Q23532E104塔釜加热器DN1600x3600台3Q23533E10565m2台3Q23534E10665m2台3Q23535E107尾气冷凝器DN1000x2000台3Q23536E108粗品冷冻水冷 器DN1000x2000台3Q23537E109粗品冷冻水冷 器DN1000x2000台3Q23538T101精镏塔DN800x16500台3Q23539R102三氯氢硅合成炉台6Q2

27、3540T102硅尘水洗塔DN800x1500台3PVC41T103尾气洗涤塔DN600x3000台3PVC42T104尾气淋洗塔DN600x3000台3PVC43T105尾气淋洗塔DN600x3000台3PVC44P103磁力泵CQ204 12/28台2防爆45P104热水泵Q=80m3/h H=30m台2防爆46P105热水泵Q=80m3/h H=30m台2防爆47P106SiCl4磁力泵Q=20m3/h H=20m台2防爆48P107SiHCl3磁力泵Q=50m3/h H=20m台2防爆49P108磁力泵Q=50m3/h H=20m台1防爆50P109水流喷射泵台1PVC3.7自控技术方

28、案3.7.1自动化水平和主要控制方案本设计为10000t/a三氯氢硅工程中的过程检测和控制系统方案,内容包括：氯化氢合成、三氯氢硅合成、氯硅烷分离提纯、尾气处理根据本项目的具体情况,控制系统要求本着安全可靠、经济实用， 操作维护方便的原则，采用集中检测和分散控制的方式，主要工艺参 数均引至操作室的仪表屏上，集中显示。生产过程由操作工完成基本 过程、操作、监视和管理。372仪表类型的确定仪表选型拟采用国产仪表，使其运行可靠、技术先进、经济合理。 同时仪表选型尽量厂家集中，以便于维护。对处于具有爆炸危险环境中场所的仪表设计，根据爆炸和火灾 危险环境电力装置设计规范的规定，选用本安型和隔爆型，以符合

29、 该区域防爆等级的要求。与腐蚀性介质接触的仪表，在设计选型和安装中均考虑相应的防 腐和隔离措施，以保证仪表的正常测量。A、温度仪表就地温度检测仪表选用双金属温度计。集中温度检测一般选用 Ptl00铂热电阻。在防爆区内选用隔爆型，在防爆区外选用防水型。B、压力仪表就地压力检测一般选用不锈钢压力表，有脉动的场合选用耐震压 力表，有腐蚀、固体的场所选用隔膜压力表或隔膜耐震压力表。要求 集中的压力点选用智能压力变送器。就地压力调节选用自力式压力调 节阀。C、流量仪表流量就地检测，一般选用玻璃转子流量计；只要累积的场合可选 用水表。集中流量检测水、蒸汽、氢气、氯气流量选用孔板和智能差压变 送器；测盐水、

30、盐酸、烧碱流量采用电磁流量计。D、物位仪表就地液位计一般采用玻璃管、玻璃板液位计；集中的液位点一般采用智能液位变送器和法兰远传式差压变送 器；超声波液位计；浮筒液位开关;非防爆区液位开关选用电接点液 位开关。E、执行器调节阀采用气动执行机构，配电/气阀门定位器和空气过滤减压 阀。根据介质的特性分别选用隔膜阀、耐酸调节阀、蝶阀和球阀；二 位阀选用气动执行机构,采用隔膜阀或蝶阀;ON/OFF阀配有电磁阀、 空气过滤减压阀和限位开关等。就地选用自力式压力调节阀。调节阀和二位阀的型式及阀体、阀芯、隔膜、填料材质等按介质 的特性来选择。373仪表用电仪表和控制系统电源电压等级为220V 50Hn控制系统

31、（DCS） 和现场仪表由不间断电源（UPS）供电。在外部电源故障期间，UPS 提供后备电源（电池组），其容量是能使控制系统和仪表正常工作至 少30分钟时间。UPS电源质量要求如下：交流输出：220V士 2%；频率：50 士 0.2HZ；波形失真率：5%；纹波电压：0.2%；切换时间：510ms3. 7.4仪表气源仪表气源应备置备用贮罐，容量为：从700kPaG降到500kPaG20分钟。气源质量要求如下：压力：500700kPa(G)；温度：常温；露点：在操作压力下低于工作环境历史上年(季)极端温度至少l0C；含尘料直径：3Mm油份含量：v8ppm (w)四、原料、辅助材料及动力供应4.1主要

32、原材料、辅助材料供应表4.1 主要原材料、辅助材料供应序号材料名称规格年用量来源运输条件-一原料和辅助材料1金属级硅粉2800 t外购汽车2液氯10000 t本公司或氯化氢10280t3氢2900 KNnt本公司4.2动力供应表4.2 动力供应序号材料名称规格年用量来源动力供应1新鲜水20 C40300m32冷冻水35C4 X106 m33电1300 XlOskwh4蒸汽10000 t液氯、氢气（或氯化氢）由烧碱分厂提供；硅粉可以在市场购买；公用工程需求量不大，可依托现有的公用工程设施。五、占地面积1520 亩。六、人员定员全厂总人数26人。其中管理人员2人，工程技术人员2人, 生产及辅助人员

33、23人。七、投资估算和资金筹措71投资估算包括新建10000t/a三氯氢硅工程项目的主要生产项目、辅助生产 项目、公用工程、消防工程、工业卫生及安全、与生产项目相配套的 其他工程费用以及常规预备费。项目建设投资：约3010万元。其中：设备购置费1815万元；安装工程费350万元;建筑工程费370万元；其他475万元。流动资金估算本项目，需流动资金600万元（其中铺底流动资金200万元）。项目总投资该项目总投资为铺底流动资金加建设投资。项目总投资3210万元；项目总资金为流动资金加建设投资。项目总资金3610万元。7.2资金筹措7.2.1建设投资项目建设投资3010万元，自筹或部分贷款。7.2.2流动资金流动资金600万元，自筹或部分贷款。八、产品销售收入分析全年销售收入（含税）为：10000万元/年。其中：三氯氢硅：10000元/吨X 10000吨= 10000万元；四氯化硅：万元（暂不计价）。成本分析：冶金级硅粉，每吨15500元，液氯：价格为1750元/吨，氢气:1.3 元/M3。成本约为：6550元/吨（不含税）。利税：约2000万元/年。2011年3月