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1、上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础例例1 在图示电路中在图示电路中:Ouiuo3p pO2p pp pw w t3p p2p pp pw w t(a)(b)练练 习习 题题RG2T+VDDRSRGRLC2uo+ui+C1CS+RG1RD+-(1)如果如果电路输入、输出电压的波形分别如图电路输入、输出电压的波形分别如图(a)、(b)所所示。试问该电路的静态工作点可能处于或靠近哪个区？示。试问该电路的静态工作点可能处于或靠近哪个区？上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础 (2)已知已知T工作于放大区及工作于放大区及IDQ，RG1和和RG2，求，求RS；(3)
2、在线性放大条件下，写出电路的在线性放大条件下，写出电路的Au、Ri及及Ro的的 表达式。表达式。Ouiuo3p pO2p pp pw w t3p p2p pp pw w t(a)(b)RG2T+VDDRSRGRLC2uo+ui+C1CS+RG1RD+-上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础 解解 由图可知，该电路是一由由图可知，该电路是一由N型沟道增强型型沟道增强型MOS场效应管组成的共源极放大电路。场效应管组成的共源极放大电路。Ouiuo3p pO2p pp pw w t3p p2p pp pw w t(a)(b)RG2T+VDDRSRGRLC2uo+ui+C1CS+RG1
3、RD+-上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础(1)由于电路的输出波形负半周出现了失真，故该电由于电路的输出波形负半周出现了失真，故该电路的静态工作点路的静态工作点Q靠近可变电阻。靠近可变电阻。Ouiuo3p pO2p pp pw w t3p p2p pp pw w t(a)(b)RG2T+VDDRSRGRLC2uo+ui+C1CS+RG1RD+-上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础将以上两式联立求解得将以上两式联立求解得(2)已知已知T工作于放大区工作于放大区IDQ=K(UGSQUGS(th)2故故而而SDQDDG2G1G2GSQRIVRRRU-+)(1
4、GS(th)DQDDG2G1G2DQSUKIVRRRIR-+RG2T+VDDRSRGRLC2uo+ui+C1CS+RG1RD+-上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础(3)G2G1Gi/RRRR+DoRR 微变等效电路微变等效电路LDm/RRgAu-RG2T+VDDRSRGRLC2uo+ui+C1CS+RG1RD+-+-gsdgsugsmugou+-iuGRiiDRLRG1RG2RiRoR由微变等效电路可得由微变等效电路可得上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础例例2 电路如图所示，已知电路如图所示，已知T1的的gm 和和T2的的、rbe。试。试写出电压放大
5、倍数写出电压放大倍数Au 的表达式。的表达式。解解 该电路是由场效应管和晶体管组成的放大器。该电路是由场效应管和晶体管组成的放大器。画出电路的微变等效电路画出电路的微变等效电路T1+VCCRGuo+ui+C1RCT2C2+-上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础微变等效电路微变等效电路T1+VCCRGuo+ui+C1RCT2C2+-RCRGuouiugsgmugssgdrbe ibib+上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础由图可知由图可知故电压放大倍数故电压放大倍数begsmgsirUgUU+gsmbUgI CgsmCboRUgRIU -bemCmio1rgRgUUAu+-RCRGuouiugsgmugssgdrbe ibib+
例1在图示电路中
