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1、加快国产化第三代半导体产品应用推广一、 发展现状（一）从国际看随着全球贸易摩擦持续，半导体作为信息产业的基石，一直是各国贸易战的焦点。近年来，美、欧、日等加速抢占全球第三代半导体市场，已形成三足鼎立之势。美国在碳化硅（SiC）领域全球独大，其SiC衬底及外延较为发达，拥有科锐（Cree）、贰陆（II-VI）等知名企业。欧洲在SiC电力电子市场具有强大话语权，具备完善的第三代半导体产业链，其强势领域集中在器件环节，拥有德国英飞凌、爱思强、瑞士意法半导体、ABB等知名半导体制造商。日本是模块和半导体制造设备开发的绝对领先者，其氮化镓（GaN）衬底产业较为发达，主要有罗姆、三菱电机、新日铁、东芝等国
2、际一流企业。韩国通过SK集团收购美国杜邦公司的SiC晶圆业务，完善其国内第三代半导体产业链，追赶美、欧、日发展步伐。（二）从国内看目前国内5G、人工智能、新能源、智能制造等发展提速，对半导体需求猛增，产业的关注度日益增高，成为发展趋势，迎来了第三代半导体产业的发展机遇，近几年持续保持迅速扩张的势头，国内第三代半导体在器件开发、产能建设、制备技术、应用推广等领域取得了一定的进展，初步形成了技术和产业体系。区域布局方面，我国第三代半导体产业初步在京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等区域实现聚集。国家大力发展新基建也为第三代半导体产业的发展带来了新的机遇。2020年，新时期促进集成电路产业和软
3、件产业高质量发展若干政策的通知（国发20208号）强调了构建全链条覆盖的关键核心技术研发布局，我国第三代半导体产业将迎来蓬勃发展期。（三）从省内看经过多年发展，山东省第三代半导体产业形成了一定的产业基础，极具发展潜力，拥有第三代半导体企业20余家，2020年实现主营业务收入387亿元，主要呈现以下特点。创新能力稳步提升，以山东大学为代表的高校和研究院所承担了973、863等重大工程，科技支撑计划、核高基等国家重大项目，拥有第三代半导体材料和器件等多项高水平原创性成果积累，成功制备了世界首枚硅基GaN垂直结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）及单片集成功率模块，掌握了最新一代垂直结构功率器件
4、及模块制备的核心技术，填补了国内在第三代半导体垂直结构功率器件及模块方面的空白。山东天岳已经全面攻克SiC晶体生产、衬底加工核心技术，SiC衬底产品性能达到国际先进水平。我省建有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、新一代半导体材料集成攻关平台、晶体材料国家重点实验室、半导体发光材料与器件国家地方联合工程实验室、国家企业技术中心等国家级科研平台，山东大学、青岛科技大学等高校微电子学院的半导体相关专业积极推动教学创新和校企合作，为我省开展第三代半导体研发工作提供了良好的人才储备和条件保障。产业链条逐步完善，山东在第三代半导体领域已经逐步形成了衬底材料、外延材料、芯片设计、器件制造与封
5、测等较为完整的产业链，山东天岳是我国最大的SiC单晶材料供应商，浪潮华光在外延材料生长、芯片制备及器件封装具有完备的产业基础，为我省发展第三代半导体产业奠定了坚实基础。融合应用日益深入，我省在轨道交通牵引变流器、变频逆变、家用电器、新能源汽车、光伏发电等领域拥有一定实力的企业，在汽车电子和家用电器方面，产业融合度不断加深。虽然我省第三代半导体产业取得一定成绩，但从长远看，还存在一些亟待解决的问题。一是缺乏顶层设计。当前我省缺乏统筹规划和强有力的政策支持体系引领，产业布局分散，难以形成规模优势。二是产业生态尚未健全。我省SiC、GaN等外延及芯片生产线正处于起步阶段，相关公共技术支撑平台缺乏。三
6、是投资渠道匮乏。我省现有产业基金无法满足产业长期发展的融资需求，难以实现对第三代半导体产业发展的有效投资支持。四是高端人才不足。高端人才缺乏制约了产业链延伸和全产业链布局，高水平专业技能人才培养明显滞后。二、 加快国产化第三代半导体产品应用推广围绕半导体照明、激光器、电力电子器件、高频宽带等具有市场潜力的领域，组织开展第三代半导体产品应用试点示范，加快市场渗透，提升国产化率，推动上中游产品在下游应用的快速验证，形成以用兴业的良性循环。三、 坚持全产业链协同发展，提升产业整体竞争能力以技术和产品发展相对成熟的SiC、GaN材料为切入点，迅速做大第三代半导体产业规模。聚焦材料、外延、芯片、器件、封
7、装、设备和应用等第三代半导体产业链重点环节，加强产学研联合，以合资、合作方式培育和吸引高水平企业，促进产业集聚和产业链协同，推动第三代半导体在电力电子、微波电子和半导体照明等领域的应用，打造第三代半导体产业发展高地。1、提升材料制备和产业化能力加速推进大尺寸SiC、GaN等单晶体材料生长及量产技术，突破SiC、GaN材料大直径、低应力和低位错缺陷等关键技术，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC衬底单晶材料产业化能力。突破超硬晶体材料切割和抛光等关键核心技术，提升4-8英寸SiC、GaN衬底材料精密加工能力。加大对薄膜材料外延生长技术的支持力度，补足第三代半导体外延材料生长环节。推动Ga2O3等
8、新一代超宽禁带半导体材料的研发与产业化。2、提升器件设计和制造能力搭建第三代半导体研发、仿真设计平台，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半导体材料的功率、射频、以及微型发光器件及芯片设计产业，围绕SiC功率器件的新能源汽车应用和GaN功率器件的消费类快充及工业类电源市场，促进产学研合作以及成果转化，引导器件设计企业上规模、上水平。推进基于GaN、SiC的垂直型肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、大功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微型发光二极管（Micro-LED）、高端传感器、以及激光器等器件和模块的研发制造，支持科研院所微
9、纳加工平台建设。大力推动晶圆生产线建设项目，优先发展特色工艺制程器件制造，在关键电力电子器件方面形成系列产品，综合性能达到国际先进水平。3、提升封测技术和供给能力重点开发基于第三代半导体的功率和电源管理芯片的封装材料，解决高功率、高密度大芯片的封装可靠性技术问题，积极引进先进封测生产线和技术研发中心，推动高端封装测试工艺技术装备的研制和生产效率的提升，提高产业链配套能力。4、提升关键装备支撑能力布局生长、切片、抛光、外延等核心技术装备，突破核心共性关键技术，通过关键设备牵引，实现分段工艺局部成套。突破SiC晶体可控生长环境精准检测与控制技术、基于大数据分析的数字孪生及人工智能模拟技术，研制Si
10、C单晶智能化生长装备并实现产业化。提升清洗、研磨、切割等设备的生产能力以及设备的精度和稳定性。四、 保障措施（一）完善工作机制省工业和信息化厅会同相关部门做好规划的组织实施和监测评估等工作，强化统筹协调，在要素保障、市场需求、政策帮扶等领域精准发力，形成稳定、发展、提升的长效机制。采取切实有效的政策措施，抓好重点任务落实。各市要结合本地实际，落实相关配套政策。相关行业组织要充分发挥桥梁和纽带作用，协同推动规划的贯彻落实。有关部门、各地方、相关行业组织要加强第三代半导体产业推进工作的经验模式总结和宣传推广。要督促企业建立健全生产经营全过程安全生产管理制度，守住安全底线。（二）加大资金支持充分发挥
11、财税政策的激励作用，精准扶植产业发展。重点支持一批应用市场广、产业基础好、易于快速产业化的第三代半导体项目，加强产融合作，鼓励社会资本通过多种方式进入第三代半导体产业领域。引导第三代半导体产业与金融资本深度合作，在银行信贷、股权融资等方面为产业发展提供资本支持，形成财政资金、金融资本、社会资金多方投入的新格局。（三）打造产业生态做好与国家有关部门的沟通协调，加强对第三代半导体产业重大项目建设的服务和指导，有序引导和规范产业发展，降低重大项目投资风险。组建第三代半导体专家委员会，为产业发展提供决策性服务。成立第三代半导体产业联盟，充分发挥社会组织作用，推动产业链上下游交流合作。积极争取工信部等国家部委支持，承接国际级和国家级重大论坛、展会、赛事等活动，提升行业影响力。（四）建设多层次人才体系依托省内山东大学等高校、科研院所、国家和省级重点实验室、重点工程中心、创新中心等机构，打造第三代半导体技术高端人才引进平台，吸引全球第三代半导体领域高端人才。支持高校、科研院所联合企业设立人才培养基地，不断增加人才培养数量、提高人才培养质量。建立健全人才培养、培训体系，有针对性地培养符合产业需求的专业人才。共同开展技术研发、科技成果转移转化，形成科研薪酬激励和成果转化激励机制，完善配套措施及待遇，激发人才创新创业的动力和活力。资料整理来源：山东省第三代半导体产业发展十四五规划
加快国产化第三代半导体产品应用推广
