《MOS管的好坏判断》由会员分享，可在线阅读，更多相关《MOS管的好坏判断（1页珍藏版）》请在装配图网上搜索。
1、MOS管的好坏判断。主板上基本上都是N沟道的MOS管，一般我们的测量方法如下：黑表笔接D红表笔接S有500欧姆左右的电阻。然后红黑对调：红笔接D黑笔接S万用表显示1，一般这样我们就可以认为管子是好的。更保险的说：红黑表笔对调测量G与D、S除了黑笔接D红笔接S有阻值以外其他的接法都没有阻值！如果测量到某种接法阻值为0这时使用用镊子或表笔短接两脚放电然后再测量！电子元件之场管结型场效应管一：场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）二：场效应管工做原理是一种电压控制器件（晶体管是电流控制器件）,具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,场效应管是一
2、种单极型晶体管,它只有一个P-N结，在零偏压的状态下，它是导通的，如果在其栅极（G）和源极（S）之间加上一个反向偏压（称栅极偏压）在反向电场作用下P-N变厚（称耗尽区）沟道变窄，其漏极电流将变小，反向偏压达到一定时，耗尽区将完全沟道夹断，此时,场效应管进入截止状态，此时的反向偏压我们称之为夹断电压，用Vp表示，它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo二Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的绝对值.见输入输出特性。三：结型场效应管结场型场直流输入电阻可达10飞109欧姆，工做原理栅源电压Ugs控制漏极电源iD。此图为N道沟，结场型场效应管。S源极、D漏极、G栅极（控制极）从
3、结型场效应管的结构可看出，我们在D、S间加上电压UDS，则在源极和漏极之间形成电流ID。我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，则可以改变两个PN结阻档层（耗尽层）的宽度。由于栅极区是高掺杂区，所以阻挡层主要降在沟道区。故|UGS|的改变，会引起沟道宽度的变化，其沟道电阻也随之而变，从而改变了漏极电流ID。MUGS丨上升，则沟道变窄，电阻增加，ID下降。反之亦然。所以改变UGS的大小，可以控制漏极电流。这是场效应管工作的基本原理。结型场应管的特点（1）是结型栅型效应管，它只能工作在反向偏置状态（2）结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管，但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代。
MOS管的好坏判断
