齐纳击穿与雪崩击穿的原理

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齐纳击穿与雪崩击穿的原理2009-10-30 12:421）雪崩击穿随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量 也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间 电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子一空穴对。这些新产生的 电子和空穴又会在电场的作用下,重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离， 再产生更多的电子一空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子 数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称 为雪崩击穿。雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂 浓度较低的PN结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。2）齐纳击穿齐纳击穿的物理过程与雪崩击穿不同。当反向电压增大到一定值时，势垒区内就 能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区 产生大量的电子一空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿。把这种在强电场作 用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结， 空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很 强的电场，发生齐纳击穿。一般说来，击穿电压小于6V时所发生的击穿为齐纳击穿，高于6V时所发生的击穿为雪崩 击穿。