多晶硅还原生产中变压器转档问题探讨

上传人:daj****de 文档编号:170304842 上传时间:2022-11-20 格式:DOCX 页数:4 大小:11.84KB
收藏 版权申诉 举报 下载
多晶硅还原生产中变压器转档问题探讨_第1页
第1页 / 共4页
多晶硅还原生产中变压器转档问题探讨_第2页
第2页 / 共4页
多晶硅还原生产中变压器转档问题探讨_第3页
第3页 / 共4页
资源描述:

《多晶硅还原生产中变压器转档问题探讨》由会员分享,可在线阅读,更多相关《多晶硅还原生产中变压器转档问题探讨(4页珍藏版)》请在装配图网上搜索。

1、多晶硅还原生产中变压器转档问题探讨 多晶硅还原生产中变压器转档问题探讨摘 要:多晶硅反应从载体硅芯到硅棒的这一生产过程中由于温 度和硅棒直径的变化,硅棒电阻率时刻在发生变化,使得还原电源变 压器在转档过程中出现诸多问题,如变压器温度升高、转档电流波动、 调功柜熔断器烧坏甚至无法顺利转档等,这些问题的出现严重影响了 多晶硅还原反应的正常进行,导致硅棒生长异常、产量降低、物料利 用率低等一系列问题。本文通过生产实际,通过工艺和设备的调整, 来有效控制多晶硅还原炉电气转档。关键词:调功柜 电阻率 摩尔比 沉积功率目前国际上多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷法,其中 70%以上采用改良西门子法。改

2、良西门子法能兼容电子级和太阳能级 多晶硅的生产,以技术成熟、适合产业化生产等特点,是目前多晶硅 生产普遍采用的首选工艺。一、多晶硅还原电源还原炉电源系统是采用变压器副边4 档电压输出,调功柜将相邻 2 个档位频率和初相角等但幅值不同的交流电源拼波构成。除在转档 过渡时只有一档位独立工作外,还原炉调压电源任意相邻2 档同时工 作。还原炉调功电源在转档时第2 档实际输出电流达到了保护设定值 900A 后,保护自动封锁第 2 档电流输出,保证其不过载,这时就只 有第 3 档在工作,但是第 3 档能够输出的电压不足以维持硅棒上原有 电流,导致硅棒电流下降。当硅棒电流低于给定值时,调功柜又自动 投入第

3、2 档与在工作的第 3 档拼波构成一个复合电压,以保证硅棒电 流达到给定电流值。第 2 档重新投入工作后又产生过载保护,自动封 锁其输出电流,就会出现了电流波动甚至整个电源停止工作的情况。二、变压器转档困难原因分析1. 转档的条件 从历来数据看,还原炉转档困难的问题基本都是发生在2 档转 3 档上。因此,只针对2 档转 3 档产生的问题进行讨论,还原炉电源要 实现正常转档,须具备以下2 个条件:1.1 调功柜第 2 档输出的电流低于额定电流。当其电流大于这一 值后调功柜将自动封锁其电流输出,处于保护状态。1.2 硅棒上的电压要低于调功柜第3 档实际能够输出的电压。如 果硅棒电流以接近额定值,但

4、硅棒电压仍高于调功柜第3 档实际能够 输出的电压值,则第 2 档不能退出,无法实现正常转档。总之,还原炉能够正常转档的条件就是在调功柜第2 档输出的电 流低于其额定保护电流之前,硅棒上的电压要低于调功柜第3 档独立 工作时实际能够输出的电压。2. 硅棒的电流电压关系2.1还原炉内总电功率的构成:P总电源系统向还原炉输送的总 功率,;P沉多晶硅沉积反应吸收的功率;P尾尾气吸收并带走的功 率; P 辐硅棒表面向炉筒内壁辐射的热功率, 2式中 炉筒内壁黑 度, Co 辐射系数, T1 硅棒表面温度, T2 炉筒内壁温度, A 硅棒表面 的有效面积。由其计算公式可以看出,要改变硅棒表面向炉壁辐射损 失

5、功率的大小,必须要从改变炉筒内壁黑度、炉筒内壁温度开始。2.2 硅棒电压、电流与其长度、直径的关系式中的U、I:硅棒上的电压、电流;D、L硅棒上的直径和长 度;:反应温度下的硅棒电阻率,可以视为一个恒定不变的常数;n: 圆周率。根据计算公式可以确定,硅棒两端的电压与硅棒长度成正比,与 硅棒直径的平方成反比。2.3 硅棒电流与硅棒直径的关系3式中的 D 为硅棒直径, I 为硅棒上通过的电流, K 是一个常数, 其值在0.270.34左右,如果上述参数基本保持恒定不变,在正常 生产情况下,则一定直径的硅棒必须流过一定数值的电流,两者是一 一对应的关系。综上所述,一定数值硅棒直径对应着一定的电流电压

6、,直径越大 电压越小。三、变压器转档控制和预防措施1. 工艺措施1.1 在保证炉内各工艺要求的前提下,硅棒直径在 40mm 以上时 候,合理提高进料曲线和电流电压曲线,以提高多晶硅的沉积速度。 在接近 2 档转 3 档时降低进料速度,减小电流增幅。这个方案的本质 是通过调整 H2 与 TCS 摩尔比,保证硅棒表面温度变化不大继而保证 硅棒生长正常,使沉积速度保持不变,从而缩短转档时间。1.2在保证安全的前提下,通过控制炉筒和基盘高温冷却水流量, 逐步试验性的提高炉筒内壁和基盘温度,降低硅棒表面与炉筒内壁之 间的温差,减少硅棒表面向炉内壁的热辐射。1.3 对还原炉钟罩内壁进行清洗、抛光,降低炉筒

7、内壁黑度,从 而同样减少硅棒表面向炉内壁的热辐射。2. 设备措施2.1 对还原炉调功电源进行改造,提高调功电源第2 档载流能力 并对相应保护设定值进行修改。延长调功柜第 2 档输出电流到达保护 设定值的时间,延长转档时间,防止电流电压波动。由于还原炉变压 器的容量及其它相关参数无法修改,这个方案会造成变压器第 2 档 过载,使其运行温度升高,需要给变压器增加强制风冷系统,保证变 压器运行温度在规定的安全温度以下。2.2将还原炉变压器高压侧接在9.5KV档位,变压器二次侧各档 输出电压都将升高 5%,直接改善转档困难的问题。由于变压器高压 侧接在9.5KV档位且实际施加的电压在10.310.5K

8、V之间,还原变 压器铁芯的饱和度会相应增加,加剧变压器铁芯发热,变压器运行温 度会随之升高,因此需要在运行过程中不断监视变压器运行温度。四、结束语多晶硅生产中的还原炉操作是一个非稳态过程,在这个生产过程 中硅棒的电阻率随硅棒直径和温度时刻都在发生着变化,因此生产中 要对整个还原炉系统从设备系统到工人操作调节均加以重视,尽量避 免还原炉内温度、压力、配比等一系列控制点的波动,使得还原系统 能够在安、稳、长、满、优下进行操作,实现企业的经济效益。参考文献1 梁骏吾.电子级多晶硅的生产工艺J.中国工程科学.2000, 2(12):36-38.2 杨世铭.陶文铨.传热学M.高等教育出版社.北京:2006.3 赵建新.硅棒直径与电流关系的探讨J.天津化工厂研究 院.1988,4: 56-57.作者简介:周兰林(1987 年)男,四川遂宁人,单位:成都 恒海化工技术服务有限公司,从事多晶硅生产技术服务,职称:工程 师,研究方向:通过工艺技改降低企业生产成本。最新【精品】范文

展开阅读全文
温馨提示:
1: 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
2: 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
3.本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

copyright@ 2023-2025  zhuangpeitu.com 装配图网版权所有   联系电话:18123376007

备案号:ICP2024067431-1 川公网安备51140202000466号


本站为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益归上传人(含作者)所有。装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。若文档所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知装配图网,我们立即给予删除!