模拟电子技术基础胡宴如自测题答案

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1、模拟电子技术根底 胡宴如 自测题答案 - 模 拟 电 子 技 术 胡宴如第3版自测题 第1章 半导体二极管及其根本应用 11 填空题 1半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。 2本征半导体中，假设掺入微量的五价元素，那么形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；假设掺入微量的三价元素，那么形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。 3PN结在 正偏 时导通 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。 4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。 5整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特

2、性实现稳压的。 6发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。 7光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。 8测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 ，交流电阻等于 26 。 12 单项选择题 1杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A温度 B掺杂工艺 C掺杂浓度 D晶格缺陷 2PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A价电子 B自由电子 C空穴 D杂质离子 3硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A减小 B根本不变 C增大 4流过二极管的正向电流增大，其直流

3、电阻将( C )。 A增大 B根本不变 C减小 5变容二极管在电路中主要用作( D )。 、 A整流 B稳压 C发光 D可变电容器 13 是非题 1在N型半导体中假如掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) 2因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) 3二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。( ) 4只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ) 14 分析p 计算题 1电路如图T11所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0(60.7)V5.3 V。 (b)令二极管断开，可得U

4、P6 V、UN10 V，UPUpUN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U00.7 V。 2电路如图T12所示，二极管具有理想特性，ui(sint)V，试对应画出ui、u0、iD的波形。 解：输入电压ui为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u00，而流过二极管的电流iDuiR，为半波正弦波，其最大值IDm10 V1 k10 mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD0，u0ui为半波正弦波。因此可画出电压u0电流iD的波形如图(b)所示。 3稳压二极管电路如图T13所示，UZ5 V，IZ5 mA，电压表中V和电流表A1、A2读流过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和

5、闭合时，电压表数分别为多大? 解：当开关S断开，R2支路不通，IA20，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得 IA1?U1?U2R1?(18?5)V2K-6.5mA?IZ 可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V。 当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为 UR2?R2R1?R2U1?0.52?0.5?18?3.6?UZ 故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数一样，即 IA1?IA2?U1R1?R218V-7.2mA2?0.5K? 而电压表的读数，即R2两端压降为3.6 V。 第2章 半导体三极管及其根本

6、应用 21 填空题 1晶体管从构造上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。 2晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。 3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。 4当温度升高时，晶体管的参数 增大 ，ICBO 增大 ，导通电压UBE 减小 。 5某晶体管工作在放大区，假如基极电流从10A变化到20A时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，那么交流电流放大系数约为 99 。 6某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电

7、流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V。 7场效应管从构造上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N沟道 、 P沟道 两类；对于MOSFET，根据栅电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。 8UGS(off)表示 夹断 电压，IDSS表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。 22 单项选择题 1某NPN型管电路中，测得UBE=0 V，UBC= 5 V，那么可知管子工作于( C )状态。 A放大 B饱和 C截止 D不能确定 2根据国产半导

8、体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。 ANPN型低频小功率硅晶体管 BNPN型高频小功率硅晶体管 CPNP型低频小功率锗晶体管 DNPN型低频大功率硅晶体管 3输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进展交流分析p 。 A正弦小信号 B低频大信号 C低频小信号 D高频小信号 4( D )具有不同的低频小信号电路模型。 ANPN型管和PNP型管 B增强型场效应管和耗尽型场效应管 CN沟道场效应管和P沟道场效应管 D晶体管和场效应管 5当UGS0时，( B )管不可能工作在恒流区。 AJFET B增强型MOS管 C耗尽型MOS管 DNMOS管 6以下场效应管中，无原始导电

9、沟道的为( B )。 AN沟道JFET B增强AI PMOS管 C耗尽型NMOS管 D耗尽型PMOS管 23 是非题 1可以采用小信号电路模型进展静态工作点的分析p 。( ) 2MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。( ) 3EMOS管存在导电沟道时，栅之间的电压必定大于零。( ) 4结型场效应管外加的栅电压应使栅间的PN结反偏。( ) 5场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。( ) 24 分析p 计算题 1图T21所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。 解：(a)UBE=UBUE0.700.7V，发射结正偏； UBC=UBUC0.732.3 V，集电结反偏 因此晶

10、体管工作在放大状态。 (b) UBE=UBUE231V，发射结反偏； UBC=UBUC253 V，集电结反偏 因此晶体管工作在截止状态。 (c) UBE=UBUE32.30.7V，发射结正偏； UBC=UBUC32.60.4V，集电结正偏 因此晶体管工作在饱和状态。 (d)该管为PNP型晶体管 UEB=UEUB(2)(2.7)0.7V，发射结正偏； UCB=UCUB(5)(2.7)2.3V，集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。 2图T22所示电路中，晶体管均为硅管，=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的IB、IC、UCE。 解：(a)方法一： IB?(6?0.7)V100K-0.053mA 设晶体管工作在放大状态，那么有 ICIB1000.0535.3mA UCE125.333.9 VIBS，所以晶体管处于饱和状态，因此有 IB0.053 mA、ICICS3.9 mA、UCEUCE(Sat)0.3 V (b) IB?(6?0.7)V510K-0.0084mA?8.4?A 设晶体管工作在放大状态，那么有 IC1000.008 4 mA0.84 mA UCE5 V0.8432.48 V UCE(Sat) 第 8 页 共 8 页