碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷烧结工艺

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1、碳化硅基本特性及碳化硅陶瓷烧结工艺2015月01月26日发布 分类:粉体应用技术 点击量:1116碳化硅陶瓷材料具有高温强度大、高温抗氧化性强、耐磨损性能好、热稳定性佳、热膨 胀系数小、热导率大、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,在汽车、机械化工、环境保 护、空间技术、信息电子、能源等领域有着日益广泛的应用,已经成为一种在很多工业领域 性能优异的其他材料不可替代的结构陶瓷。现代国防、核能和空间技术以及汽车工业、海洋工程的迅速发展,对火箭燃烧室内衬、飞 机涡轮发动机叶片、核反应堆结构部件、高速气动轴承和机械密封零件等材料的要求愈来愈 高,迫切需要开发各种新型高性能结构材料。SiC陶瓷在石油化

2、学工业中已被广泛地用作各种 耐腐蚀用容器及管道在机械工业中已被成功地用作各种轴承、切削刀具和机械密封部件在航天 和汽车工业中也被认为是未来制造燃气轮机、火箭喷嘴和发动机部件的最有希望的候选材料。1、碳化硅的基本特性化学属性抗化合性:碳化硅材料在氧气中反应温度达到1300C时,在其碳化硅晶体表层已经生成 二氧化硅保护层。随着保护层的加厚,抵制了里面碳化硅继续被化合,这使碳化硅有较好的抗 化合性。当气温达到1900K(1627C)以上时,二氧化硅保护膜已经被破坏,碳化硅化合效应 加重,从而1900K是碳化硅在氧化剂氛围下的最高工作气温。耐酸碱性:在耐酸、碱及化合物的效用方面,因为二氧化硅保护膜的效

3、用,碳化硅的抗 酸能力非常非常强,抗碱性稍差。物理性能密度:各样碳化硅晶形的颗粒密度十分相近,通常情况下,应该是3.20 g/mm3,其碳 化硅磨料的堆砌密度在1.2-1.6 g/mm3之间,其高矮取决于其粒度号、粒度合成和颗粒形 状的大小。硬度:碳化硅的硬度为:莫氏9.5级。单晶硅的硬度为:莫氏7级。多晶硅的硬度为: 莫氏7级。都是硬度相对较高的物料。努普硬度为26702815公斤/毫米,在磨料中高于 刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。导热率:碳化硅制品的导热率非常高,热膨胀参数小,抗热震性非常高,是优质的耐火 材料。电学属性恒温下工业碳化硅是一种半导体,属杂质导电性。高纯度碳化硅随着

4、气温的升高内阻率 降低,含杂质碳化硅按照其含杂质不一样,导电性能也不一样。其它属性亲水性好。众所周知,SiC是共价键很强的化合物。按照Pauli ng对电负性的计算,SiC中Si 一 C 键的离子性仅12%左右。因此,SiC的硬度高、弹性模量大,具有优良的耐磨损性能。值得指 出的是,SiC氧化时,表面形成的二氧化硅层会抑制氧的进一步扩散,因而,其氧化速率并不 高。在电性能方面,SiC具有半导体特性,少量杂质的引入会使其表现出良好的导电性:此外, SiC还具有优良的导热性。2、碳化硅粉末的合成方法SiC是在陨石中发现的,在地球上几乎不存在,因此,工业上应用的SiC粉末都是人工 合成的。目前,合成

5、SiC粉末的方法主要有:Aches on法、直接化合法、热分解法和气相反 应法等。其中在实际工业生产中,最为普及的还是Aches on法。Acheson法简介Acheson法是工业采用最多的合成方法。a-SiC粉末的方法,即用电加热的方法将石英砂和焦炭的混合物加热到2500C左右的高温使其发生反应:SiO2 (s) + 3C(s) -a-SiC (s) + 2CO(g)在工业生产中,用于合成的石英砂和焦炭通常含有Al和Fe等金属杂质,因此,所得到的 SiC 一般都固溶有少量的杂质。其中,杂质含量少的呈绿色,被称为绿色碳化硅;杂质含量多的 呈黑色,被称为黑色碳化硅。3、碳化硅陶瓷的烧结工艺目前,

6、制备高密度SiC陶瓷的方法主要有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧 结等。通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件,因此,被认为是SiC陶 瓷的最有的前途的烧结方法。采用热压烧结工艺只能制备简单形状的SiC部件,而且一次热 烧结过程所制备的产品数量很小,因而,不利于商业化生产。尽管热等静压工艺可以获得复杂 形状的SiC制品,但必须对素坯进行包封,所以,也很难实现工业化生产。通过反应烧结工 艺可以制备出复杂形状的SiC部件,而且其烧结温度较低,但是,反应烧结SiC陶瓷的高温 性能较差。表1给出了无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结中SiC陶瓷的某些性 能。显然,SiC陶

7、瓷的性能因烧结法的不同而不同。一般来说,无压烧结SiC陶瓷的综合性能 优于反应烧结的SiC,但逊色于热压烧结和热等静压烧结的SiC。暁结丁艺无压般热热第静压 烧结反应協结扒彎翌度(npa)如640580140C1Z!幻口B10切口导抄率.W/ra - K)110S20以0匸4F1550旳7-ia3-1011-110-12弹性按簟4504S03509.壮i. il5.1*5不同烧结方法性能对照表近年来,随着SiC陶瓷制造技术的不断改进,其性能不断提高,应用范围也越来越广。目 前,SiC陶瓷已在石油、化工、机械、微电子、汽车、航空航天、钢铁、造纸、激光、核能及 加工等工业领域获得大量应用,并日益展

8、示出其它结构陶瓷所无法比拟的优点。今后,随着Si C陶瓷制造技术的不断进步,其用途无疑会越来越广。可以预计,在不久的将来,一个以高温机 械部件为最终目标的SiC陶瓷市场需求量一定会越来越大。粉体技术在陶瓷行业的应用2014月12月30日发布 分类:粉体应用技术 点击量:1081在高端陶瓷和特种陶瓷的生产过程中,粉体技术的应用是非常重要的,关系着产品品质 的高低和产品功能的实现。本文就粉体技术在陶瓷行业的应用做一下总结:精细陶瓷目前,日本、美国和西欧等发达国家的精细陶瓷生产量和应用量是全世界最大的。日本 和美国精细陶瓷产量约占全世界市场份额的70%以上。我国精细陶瓷的起步较晚,但随着一些 民企和

9、中外合资精细陶瓷生产企业的逐渐发展壮大,我国的精细陶瓷产业已初具规模。目前, 我国精细陶瓷的生产规模总体仍较小,但从其结构和功能来区分,我国精细陶瓷的发展趋势仍 与国外精细陶瓷的发展趋势基本一致,主要是以电子陶瓷为主。精细陶瓷主要应用于电子、通 信、化工、冶金、机械、汽车制造、能源、航空航天等空间技术装备各领域。精细陶瓷制品陶瓷工业的原料制备过程中需要对物料进行粉磨和混合。为了后续的挤压成型,多采用 湿法的批次粉磨工艺。原料取决于浆料的粉磨效果好坏,直接影响着泥坯的流变性和成型烧结 质量。研磨过程中要避免金属物的污染。所使用的衬板多为非金属材料。研磨介质采用球石或 陶瓷磨球。在精细陶瓷生产过程

10、中、原料超细研磨更为需要。无论是功能陶瓷还是结构陶瓷。 都是多种原料固相反应的产物。若原料粉碎得越细,多种原料的混合度就越高,固相反应也就 越均匀彻底,产品性能也就越好。达到纳米级的陶瓷微纳米陶瓷,通过其小尺寸效应,希望克 服陶瓷材料的脆性,使陶瓷具有像金属一样的柔韧性和可加工性。若能解决单相纳米陶瓷的烧 结过程中抑制晶粒长大的技术难题,则它将具有高硬度、高韧性、低温超塑性、易加工等优点。 在制备纳米粉体的工艺上,除了保证纳米粉体的质量,做到尺寸和分布可控,无团聚,能控制 颗粒的形状,还要生产量大。结构陶瓷高温、高强、超硬、耐磨、抗腐等机械力学性能为其主要特征。例如,纳米级ZrO2陶 瓷,烧结

11、温度为1250C,施加一不大的力有400%的形变,类似金属的延展性。室温下进行 拉伸疲劳试验,断裂后表层晶粒间同样表现为塑性形变。不仅离子型物质如此,共价型的SiCI4也有微小超塑性行为。美国一科学家用CaF2纳米材料在室温下可大幅度弯曲不断裂。纳 米TiO2陶瓷度达95%,高硬度,耐高温,若用于改善发动机系统,将大大改善其性能。通 过降低烧结温度制成小晶粒,可用于电子陶瓷制备,例如:采用纳米钛酸钡颗粒烧结来提高片 式电容器和片式电感器的各项指标性能。结构陶瓷制品功能陶瓷以电、磁、光、声、热、力等性能及相互转换为主要特征。例绝缘陶瓷、介电陶瓷、铁 电陶瓷、压电陶瓷、半导、导电、超导陶瓷。有的学

12、者基于过渡液相烧结机制的高性能压电陶 瓷材料具有低烧结温度、高压电常数和低介质损耗等诸多优点。低烧多层压电变压器(MPT) 以其低驱动电压、小体积、高升压比、薄型片式化等优点在液晶显示背光电源等方面获得应用。 多层压电变压器及其背光电源具有高功率密度、高转换效率、薄型化和低成本等特点。基于缺 陷化学原理和无晶粒长大的致密化烧结动力学,制备了亚微米/纳米晶钛酸钡基陶瓷及其薄层 化贱金属内电极MLCC。研制了低烧铁氧体材料及其片式电感器。功能陶瓷制品生物陶瓷生物陶瓷是指用作特定的生物或生理功能的一类陶瓷材料,即直接用于人体或与人体相 关的生物、医用、生物化学等的陶瓷材料。广义讲,凡属生物工程的陶瓷

13、材料统称为生物陶瓷。 生物陶瓷材料因其与人的生活密切相关,故一直倍受材料科学工作者的重视。应用化学沉淀法 制备了粒径约100nm的B-磷酸三钙(B-TCP)超细粉体,并采用放电等离子烧结技术烧结P- TCP,制备得到透明的P-TCP生物陶瓷。密度和透光性能分析结果表明,制备得到的P-TCP 生物陶瓷纯度高、结构致密、晶粒平均尺寸约250nm、具有良好的透光性能。细胞相容性实 验的结果表明,透明伕TCP生物陶瓷对骨髓间质干细胞的增殖作用明显高于常规的通用聚乙 烯培养板。采用化学共沉淀法制备了羟基磷灰石和二氧化锆超细粉,并以此为原料,通过不同 材料的优化组合,用烧结法制备了 HA-ZrO2二元体系复合生物陶瓷材料,其抗折强度达到1 20MPa,断裂韧性值为l.74MPam-1/2,几乎为纯HA的两倍,接近骨组织(致密骨的抗 折强度为160MPa,断裂韧性值为2.2 MPam-1/2)。生理陶瓷制品(烤瓷牙)

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