第一章-1.5-半导体三极管讲解

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1、第一章第一章1.5 半导体三极管半导体三极管 半导体三极管半导体三极管 一、三极管一、三极管 基本结构基本结构BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：集电区：面积较大面积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂浓度较高BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 1.实验线路实验线路二、二、电流分配和放大原理电流分配和放大原理00.020.040.060.080.100

2、.001 0.71.52.33.103.950.001 0.721.542.363.184.05ICIBIE2.实验数据实验数据(1)IE=IB+IC(2)IC (或或IE)IB 3.3806.03.2BCII4004.006.05.13.2BCII5.3704.05.1BCII这就是晶体管的这就是晶体管的电流放大作用电流放大作用3.四个结论四个结论：(3)当当IB当当=0时时,IC=ICEOIC，UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电死区电

3、压，称为截压，称为截止区。止区。四、四、主要参数主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。还有共基、共集接法。共射共射直流电流放大倍数直流电流放大倍数：_1.电流放大倍数电流放大倍数 和和 BCII_工作于动态的三极管，真正的信号工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为的变化量为 IB，相应的集电极电流变，相应的集电极电流变化为化为 IC，则，则交流电流放大倍数交流电流放大倍数为：为：BIIC 例：例：UC

4、E=6V时：时：IB=40 A,IC=1.5mA；IB=60 A,IC=2.3mA。5.3704.05.1IIBC_ 4004.006.05.13.2IIBC 在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：=2.集集-基极反向截止电流基极反向截止电流ICBO AICBOICBO是集是集电结反偏电结反偏由少子的由少子的漂移形成漂移形成的反向电的反向电流，受温流，受温度的变化度的变化影响。影响。3.集集-射极反向截止电流射极反向截止电流ICEO AICEOEc集电结反偏集电结反偏有有ICBO根据放大关根据放大关系，由于系，由于ICBO的存在，必的存在，必有电流有电流 ICBO。I

5、CBOBECNNPICBOICEOCBOBECEIIICBOBEIICBOCEOII1CBOBEIICBOBECBOCECIIIIICBOBECEIIICBOCEOII1CBOCBOBIII1CBOBIICEOBII 4.集电极最大电流集电极最大电流ICM集电极电流集电极电流IC上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，当值的下降，当 值下降到正常值的三分值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为之二时的集电极电流即为ICM。所以集电极电流应为：所以集电极电流应为：IC=IB+ICEO而而ICEO受温度影响很大，当温度上升受温度影响很大，当温度上升时，时，ICEO增加很快，所以增加很快，

6、所以IC也相应增加。也相应增加。三极管的温度特性较差三极管的温度特性较差。5.集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压当集当集-射极之间的电压射极之间的电压UCE超过一超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是册上给出的数值是25 C C、基极开路时基极开路时的击穿电压的击穿电压U(BR)CEO。6.集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM集电极电流集电极电流IC流过三极管，所发出的流过三极管，所发出的焦耳热为：焦耳热为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以必定导致结温上升，所以PC有限制。有限制。PC PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区本部分内容结 束