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1、(1-1),第二章 放大电路基础(5),(1-2),场效应管是电压控制元件,多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。,2.11 场效应管及其放大电路,三极管是电流控制元件，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。,(1-3),2.11.1 绝缘栅场效应管,一、结构和电路符号,P型基底,两个N区,SiO2绝缘层,导电沟道,金属铝,N沟道增强型,(1-4),N 沟道耗尽型,预埋了导电沟道,在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出了沟道.,(1-5),P 沟道增强型,(1-6),P 沟道耗尽型,预埋了导电沟道,(1-7),二、MOS管的工作
2、原理,以N 沟道增强型为例,UGS=0时,对应截止区,(1-8),UGS0时,UGS足够大时（UGSVT）将P区少子电子聚集到P区表面，形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。,感应出电子,VT称为阈值电压,(1-9),UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。,(1-10),UT,iD=f(uGS)uDS=常数,三、增强型N沟道MOS管的特性曲线,输出特性曲线,转移特性曲线,(1-11),一个重要参数跨导gm,gm=iD/uGS uDS=const gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输
3、出特性曲线上也可求出gm。,(1-12),N沟道增强型MOS管的基本特性 uGS UT，管子截止 uGS UT，管子导通 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大,(1-13),四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线,耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。,转移特性曲线,(1-14),输出特性曲线,UGS=0,UGS0,UGS0,(1-15),N沟道耗尽型MOS管的特点 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS0时，沟道变窄，iD减小。,(1-16),16.11.3 场效应管放大电路,
4、(1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。,(2) 动态：能为交流信号提供通路。,分析方法：,(1-17),一. 场效应管的微变等效电路,(1-18),二. 场效应管的共源极放大电路,一、静态分析,求：UDS和 ID。,设：VGUGS,则：VGVS,而：IG=0,所以：,(1-19),二、动态分析,(1-20),ro=RD=10k,(1-21),三. 源极输出器,一、静态分析,VSVG,UDS=UDD- VS =20-5=15V,(1-22),二、动态分析,(1-23),输入电阻 ri,(1-24),输出电阻 ro,加压求流法,(1-25),小结,(1) 场效应管放大器输入电阻很大。 (2) 场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。 (3) 场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。,(1-26),第二章 结束,
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