各种光电耦合器参数

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1、常用参数正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：:被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。 结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间 的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持 IC/IF5.0mA),才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增

2、 大光耦的功耗。若CTR200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电 源误触发，影响正常输出。口推荐采用线性，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。口由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4Nxx系列(如4N25、4N26、 4N35),目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字 信号(高、低电平)，因此不推荐用在开关电源中。3线性应用举例多路输出式电源变换器电路如图3所示。其输入电压为36V到90V的准方波电压，三路输 出分别为：UO1 = +5V(2A), UO2= + 15V(0.17A), UO3= 15V(0.1

3、7A)。现将 UO1 定为 主输出，其电压调整率SV=0.4%； UO2和UO3为辅输出，总电源效率可达75%80%。 电路中采用一片TOP104Y型三端单片开关电源集成电路。主输出绕组电压经过VD2、C2、 L1和C3整流滤波后，得到+5V电压。VD2采用MBR735型35V / 7.5A肖特基二极管。 两个辅输出绕组及输出电路完全呈对称结构。因为15V输出电流较小，故整流管VD4和 VD5均采用UF4002型100V / 1A的超快恢复二极管。由线性光耦CNY17-2和可调式精密 并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源，可以对+5V电压进行精密调整。反馈 绕组电压通过VD3、C4

4、整流滤波后，得到12V反馈电压。由P6KE120型瞬态电压抑制器 和UF4002型超快恢复二极管构成的漏极钳位保护电路，能吸收由高频变压器漏感形成的尖 峰电压，保护芯片内部的功率场效应管MOSFET不受损坏。口外部误差放大器由TL431C组成。当5V输出电压升高时，经R3、R4分压后得到的取 样电压，就与TL431C中的2.5V带隙基准电压进行比较，使其阴极电位降低，LED的工作 电流IF增大，再通过线性光耦IC2 (CNY17-2)使控制端电流IC增大，TOP104Y的输出占 空比减小，使UO1维持不变，达到稳压目的。5V稳压值UO1则由TL431C、光耦中的LED 正向压降来设定。R1是L

5、ED的限流电阻。误差放大器的频率响应由C5、R2和C6来决定。 C5的作用有三个：滤除控制端上的尖峰电压；决定自动重启动频率；与R2 一起对控制回 路进行补偿。光电耦合器的检测方法光电耦合器 2008-09-09 22:08 阅读640 评论0字号：大中小光电耦合器又称光耦合器或光耦，它属于较新型的电子产品，现在它广泛应用于计算机、音视频 各种控制电路中。由于光耦内部的发光二极管和光敏三极管只是把电路前后级的电压或电流变化，转化为 光的变化，二者之间没有电气连接，因此能有效隔断电路间的电位联系，实现电路之间的可靠隔离。一、光电耦合器的检测判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电

6、阻来确定。更可靠的检测方法是以下三种。1. 比较法拆下怀疑有问题的光耦，用万用表测量其内部二极管、三极管的正反向电阻值，用其与好的光耦对2. 数字万用表检测法下面以PC1 11光耦检测为例来说明数字万用表检测的方法，检测电路如图1所示。检测时将光 耦内接二极管的+端脚和一端2脚分别插入数字万用表的Hfe的c、e插孔内，此时数字万用表应置于 NPN挡；然后将光耦内接光电三极管c极5脚接指针式万用表的黑表笔，e极4脚接红表笔，并将指针 式万用表拨在Rxlk挡。这样就能通过指针式万用表指针的偏转角一一实际上是光电流的变化，来判断 光耦的情况。指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比

7、越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。3. 光电效应判断法仍以PC1 11光耦合器的检测为例，检测电路如图2所示。将万用表置于Rx 1k电阻挡，两表 笔分别接在光耦的输出端、脚；然后用一节1 .5V的电池与一只5 0100Q的电阻串接后，电 池的正极端接PC1 11的1脚，负极端碰接2脚，或者正极端碰接1脚，负极端接2脚，这时观察接 在输出端万用表的指针偏转情况。如果指针摆动，说明光耦是好的，如果不摆动，则说明光耦已损坏。万用表指针摆动偏转角度越大，表明光电转换灵敏度越高。光耦参数光电耦合器 2008-09-09 22:17 阅读1075评论2字号：大中小什么是转换效率CTR?下图显示

8、一个使用晶体管耦合器的普通线路。如果LED电流IF运行至输入端，集电器电流IC将运行至输 出端。该电流传输比称为转换效率（CTR：电流传输比）通过（IC/IF） x 100 （%）表示。与晶体管的h FE 一样，转换效率是晶体管耦合器一个重要的参数。改进光耦电路减少电流消耗延缓LED老化改进光耦电路，可以提升零电压测量的精度。有不同潜路工作的电路中，用光耦建立电流隔离看上去似乎很简单。光耦从隔离电路中获取能量，由于LED老化，开关相对慢且不稳定。若不用光耦，可使用如Analog Devices公司的ADUM12xx或Texas Instruments公司的ISO72x替代。本设计方案阐述了一个

9、简单改进光耦电路的方法。图1显示了两个通用的0V同步交流设计。通过光耦负载电阻的减少，开关变得更慢更不确定，但减少了光耦的LED电流，尝试减少隔离电路中的能量消耗。为实现更快更迅速的开关，将不得不牺牲能量效率；然而，由于能量效率和交流电压大小的反向关系，这个牺牲的好处是有限的。Figure 1 Establishing galvanic isolation with the help ofc 卩 toco 叩 Imrs between circLiits that operate at different ground potentials looks dscsptively simple.

10、Optocouplers draw power from the isolated circuit, and switching can be relatively elow and uncertain bscauss of LEO aging.光耦的LED在近似全交流循环过程中超乎寻常的几乎连续发光，导致功耗效率低，且使光耦老化 得相对较快：一个显著的缺点是过原点误差过大且几乎不可控；电路的灵敏度范围依靠光耦的参数。图1 的设计不是一个理想方案。就效率而言，依靠光耦的电流转换率和交流幅值，它们能输出5到100 mA。图2的设计克服了能耗过大、不确定开关和LED老化的问题。它非常适用于宽交流范

11、围的应用。 与图1的电路相比，图2的LED只在过原点附近发光，且由前置充电电容接收能量，所以通过10到100 的因数减少平均电流消耗。设计也提供更快、更确定和更敏锐的开关。更甚者，希望延缓LED老化。图1 中电阻R1和R2消耗的热功率不小于1.5W，所以在同一电路板区域用0.1W设备替换外部器件（图2）。Figure 2 Th is circuit ovsncomes problems of escessivs power consumption, uncertain switchingr and LED Aging.电路的主要部分由幅值检波器D1、电容C1和Schmitt触发器Q1/Q2组成

12、，控制流过光耦的LE D电流。D2和D3稳定Q2的基电压，从而其集电极电流驱动光耦。电容C1通过R1、R2和D1充电。几乎所有交流周期中，除了过原点附近，Q1为开，Q2为关。然后，接近过原点时，Schmitt触发器Q1和Q2的状态改变，Q2以恒定的电流卸放电容C1，因为由Q2、D2、D3、R5 和R6组成的电路按l=(2xVD VBE2)/R6稳定电流，在这里VD为D2或D3上的电压降，VBE2为Q2的 基射极电压。一些应用不需要Schmitt触发器固有的磁滞性；图3显示了这样的一个设计。它也显示了怎样处 理不需要的D1最小反转电流。然而，电路更适用于纯同步和非晶闸管控制。由于LED电流的稳定

13、性，这 些设计使输入交流电压的范围扩大，其有利于多标准交流供电设计；有机会在LED没有过载危险的情况下 设置LED电流；减少光耦不稳定的影响。这样设计的另一个优势为其固有更安全的特性。在其终端短路的 情况下，光耦在隔离与非隔离侧之间传递的电流比图1电路中少10至到 100倍。光耦也有优势。由于低占 空比，可以不损失功率而任意减少光耦负载电阻R8的值。这个减少将使过原点误差降低。溺k-10rFQF920艮 -Figure 3 Another variant of this design shows how to mansgm without a requirement for minimal reverse cuirent in Dr111ri NdOC424i：-kTLP62J