内存参数终极优化

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1、内存参数终极优化之 DDR 篇在一些超频的文章中经常介绍到内存的时序设置，如“2-3-3-5”、“2-3-3-6这一类的数字序列，这些是什么意思呢？如何对内存参数进行优化设置呢？还有，有的会员问：“我买了杂牌内存，兼容性差，常常蓝屏或出现莫名其妙的问题，如何解决呢？”，一梦浮生撰写本文的目的，就是想通过本文来帮助大家解决这些问题的。优化内存的延迟参数对 PC 性能的提高有很大帮助。优化内存是通过调节 BIOS 中几个内存时序参数来实现的在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思

2、了吧？！八_八下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS 设置中找到 “DRAM Timing Selectable” ， BIOS 设置中可能出 现的其他描述有： Automatic Configuration 、 DRAM Auto 、 Timing Selectable、Timing Configuring By SPD 等，将其值设为Menual”（视 BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）,如果要调整内 存时序，应该

3、先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： 1、 CL（CAS Latency）： “内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”（可 能的选项： 1.5/2/2.5/3） BIOS 中可能的其他描述为： tCL、 CAS Latency Time、CAS Timing Delay。这个参数很重要，内存条上一般都有这个参 数标记。在 BIOS 设置中 DDR 内存的 CAS 参数选项通常有“1.5”、 “2”、 “2.5”、 “3”几种选择， SDRAM 则只有 “2”、 “3”两个选项。较低的 CAS 周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能 够稳定运行操作系统，我们应当尽

4、量把 CAS 参数调低。反过来，如果 内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。 2、tRCD (RAS-to-CAS Delay)“行寻址至列寻址延迟时间”(可能的选项：2/3/4/5) BIOS 中的可能其他描述:tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD 等。 数值越小，性能越好。 3、 tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制 器预充电时间”(可能的选项： 2/3/4)BIOS 中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预 充电参数越小则内存读写速度就越快。 4.tRAS

5、(RAS Active Time): “内存 行有效至预充电的最短周期”(可能的选项：1.5/6/7.15) BIOS 中的可能其他描述： tRAS、 Active to Precharge Delay 、 Row ActiveTime 、 Precharge Wait State 、 Row Active Delay 、 Row Precharge Delay、 RAS Active Time 等。一般我们可选的参数选项有 5，6 或者 7 这 3 个 但是在一些 nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达 到 1。调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在 5

6、11 之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。具 体的调整要遵循以下两个原则：a、当内存页面数为4时，tRAS设置 短一些可能会更好，但最好不要小于5。另外，短tRAS的内存性能相 对于长tRAS可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感； 当内存页面数大于或等于8时，tRAS设置长一些会更好。目前的芯片 组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双 P-Bank 的 内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单 P-Bank 还是双P-Bank呢？就目前市场上的产品而言，256MB的模组基本都是单P-Bank 的，双面但每面只有 4 颗芯片的也基本上是

7、单 P-Bank 的， 512MB 的双面模组则基本都是双 P-Bank 的。页面数量的计算公式为： P-Bank数量 X4,如果是Pentium4或 AMD 64的双通道平台，则还 要除以 2。比如两条单面 256MB 内存，就是 2X4=8 个页面，用在 875 上组成双通道就成了 4个页面。b、对于875和865平台，双通道 时页面数达到 8 或者以上时， tRAS 设置长一些内存性能更好；对于非 双通道Pentium4与AMD 64平台，tRAS长短之间的性能差异要缩小二、Bank Interleaving“内存交错技术”（可能的选项：Off/Auto/2/4）这 里的Bank是指L-

8、Bank,目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个 L-Bank 所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为 4（Auto 也可以,它是根据 SPD 中的 L-Bank 信息来自动设置的）。有 人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存 CAS 延迟时 间从 3 改成 2 还要大。 Intel 和 VIA 都支持内存交错技术,主要模 式有2路交错（2-Bank ）和4路交错（4-Bank）两种；不过出于对系统的 稳定性考虑,很多支持该技术的主板在默认情况下都关闭了内存交错技 术,或最多开启 2 路内存交错模式虽然 4 路交错可以带来更大的 性能提升。通过升级 BIOS, VIA

9、 694X 以上芯片组都有机会开启内存 交错设置项；即便BIOS不支持，也可以通过WPCREdit等专用软件 来修改北桥芯片的寄存器,从而打开内存交错模式。三、Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）一般而言，如果是AMD Athlon XP 或 Pentium4 单通道平台,建议设为 8,如果是 Pentium4 或AMD 64 的双通道平台，建议设为 4。四、Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）这个选项目前已 经非常少见，一般还被描述为 DRAM Command Rate 、 CMD Rate 等。 由于目前的 DDR 内存的寻址，先要进行 P-B

10、ank 的选择（通过 DIMM 上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这 个参数的含义就是指在 P-Bank 选择完之后多少时间可以发出具体的 寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。 但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短 的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳 定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个 参数。五、 DRAM Clock“ 内存时钟频率 ” （可能的选项： Host Clock/Hclk-33MHz/Hclk+33MHz,说明：Host Clock 即

11、总线频率和内存 工作频率同步、 Hclk-33MHz 即总线频率减 33MHz、 Hclk+33MHz 即 总线频率+33MHz”等三种模式可选。）在内存同步工作模式下，内存的 运行速度与 CPU 外频相同。内存异步则是指两者的工作频率可存在一 定差异。该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度 33MHz 的情 况下（也有采用 3:4、 4:5 的倍频模式的）。通过调整该参数，我们不仅可 以让“老”内存发挥余热，更重要的是可以充分挖掘内存的潜力及获得更 宽泛的超频空间。Intel的810875系列芯片组和威盛的693以后的 产品，都支持内存异步。注意：在 BIOS 中对内存进行优化设置可能会

12、对电脑运行的稳定性造 成不良影响，所以建议内存优化后一定要使用测试软件进行电脑稳定性 和速度的测试。如果您对自己内存的性能没有信心，那么最好采取保守 设置，毕竟稳定性是最重要的。如果因内存优化而出现电脑经常死机、 重启动或程序发生异常错误等情况，只要清除 CMOS 参数，再次设置 成系统默认的数值就可以了。同时，如果内存运行不稳定或兼容性差， 可以根据文章中的相关介绍，反优化之道行之，可起到提高内存稳定性 的效果。说明：本文系参阅网上有关内存优化的不少文章整理而成，从实用和全 面的角度出发，去掉了不少专业性太强的陈述及评测，旨在帮助菜鸟朋 友们了解内存设置，化化内存，提高系统性能，解决内存不稳定和兼容 性差而引发的故障