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1、半导体的根本知识PN结的构成及特性半导体二极管特殊二极管二极管根本电路分析半导体的根本知识本征半导体、空穴及其导电作用杂质半导体 根据物体导电才干(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。半导体的电阻率为10-3109 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的特点：1导电才干不同于导体、绝缘体；2受外界光和热刺激时电导率发生很大变化光敏元件、热敏元件；3掺进微量杂质，导电才干显著添加半导体。半导体的根本知识半导体的共价键构造 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子构成共价键。原子按一定规律整齐陈列，构成晶体点阵后，
2、构造图为：+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4前往本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体完全纯真的、构造完好的半导体晶体。载流子可以自在挪动的带电粒子。电导率与资料单位体积中所含载流子数有关，载流子浓度越高，电导率越高。前往电子空穴对电子空穴对 当T=0K和无外界激发时，导体中没有栽流子，不导电。当温度升高或遭到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自在电子本证激发。自在电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，这个空位为空穴。+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4自在电子自在电子 因热激发而出现的自在电子和空穴是同时成对出
3、现的，称为电子空穴对。本征激发动画1-1空穴空穴前往杂质半导体杂质半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4N型半导体电子型半导体型半导体电子型半导体在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑)多余电子，多余电子，成为自在电子成为自在电子+5自在电子自在电子 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。前往+5+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+3P型半导体空穴型半导体型半导体空穴型半导体在本征半导体中掺入三价的元素硼+3空穴空穴空穴空穴前往N型半导体的多数载流子为电子，少数
4、载流子是空穴；P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。例：纯真硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级，在室稳下，载流子浓度为ni=pi=1010数量级，掺入百万分之一的杂质1/10-6，即杂质浓度为1022*1/106=1016数量级，那么掺杂后载流子浓度为1016+1010，约为1016数量级，比掺杂前载流子添加106，即一百万倍。前往10PN结的构成及特性PN结的构成及特性 PN结的单导游电性 PN结的构成PN结的构成 在一块本征半导体两侧经过分散不同的杂质,分别构成N型半导体和P型半导体。内电场促使少子漂移内电场阻止多子分散 因浓度差多子的分散运动由杂质离子构成空间电荷区由杂质
5、离子构成空间电荷区 空间电荷区构成内电场 动画+五价的元五价的元素素+三价的元三价的元素素产生多余电子产生多余电子产生多余空穴产生多余空穴PN结的单导游电性(1)PN结加正向电压 外加的正向电压，方向与PN结内电场方向相反，减弱了内电场。于是,内电场对多子分散运动的妨碍减弱，分散电流加大。分散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。动画 外加反向电压,方向与PN结内电场方向一样，加强了内电场。内电场对多子分散运动的妨碍加强，分散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下构成的漂移电流大于分散电流，可忽略分散电流，PN
6、结呈现高阻性。P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。在一定的温度条件下，由本征激发决议的少子浓度是一定的，故少子构成的漂移电流是恒定的，根本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。动画2PN结加反向电压结加反向电压总之：PN结正向电阻小，反向电阻大单导游电性。前往半导体二极管半导体二极管 二极管：一个PN结就是一个二极管。单导游电：二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以经过。反之电流不能经过。符号：二极管按构造分有点接触型、面接触型二大类。(1)点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(2)面接触型二极管 PN结面积大，用于大电流
7、整流电路。半导体二极管的构造半导体二极管的伏安特性曲线 式中IS 为反向饱和电流，VD 为二极管两端的电压降，VT=kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温相当T=300 K，那么有VT=26 mV。)1(eTSVVDII 第一象限的是正向伏安特性曲线，第三象限的是反向伏安特性曲线。(1)正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.50.8V左右，锗二极管的死区电压Vth=0.20.3 V左右。当0VVth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。正向区分为两段：当V Vth时，开场出现正向电流，并按指数规律增长。反向区也分两个区域：当VBR
8、V0时，反向电流很小，且根本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当VVBR时，反向电流急剧添加，VBR称为反向击穿电压。(2)反向特性 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。假设|VBR|7V时,主要是雪崩击穿；假设|VBR|4V时,那么主要是齐纳击穿。(3)反向击穿特性半导体二极管的参数(1)最大整流电流IF(2)反向击穿电压VBR(3)反向电流IR(4)正向压降VF在室温，规定的反向电压下，最大反向任务电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流普通在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级
9、。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约0.60.8V；锗二极管约0.20.3V。二极管延续任务时，允许流过的最大整流电流的平均值。二极管反向电流急剧添加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为平安计，在实践任务时，最大反向任务电压VRM普通只按反向击穿电压VBR的一半计算。二极管根本电路分析二极管根本电路分析正向偏置时：管压降为0，电阻也为0。反向偏置时：电流为0，电阻为。当iD1mA时，vD=0.7V。20015.07.0mAVViVVrDthDD)()(26mAImVivrDQDDDDDthDriVV1.静态分析静态分析例例1：求：求VDD=10V时，二极时，二极管的管的
10、 电流电流ID、电压、电压VD 值。值。解：解：正向偏置时：管压降为0，电阻也为0。反向偏置时：电流为0，电阻为。mAKVVRVVIDDDD93.0107.01020015.07.0mAVViVVrDthDDmAKKVVrRVVIDthDDD931.02.0105.010VKmAVrIVVDDD69.02.0931.05.05.0VVD0mAKVRVIDDD11010当iD1mA时，vD=0.7V。VVD7.02.限幅电路VRVmvit0Vi VR时，二极管导通，vo=vi。ViV1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。ViV2时，D2导通、D1截止，Vo=V2。V2ViV1时，D1、D2均截止
11、，Vo=Vi。例7：画出理想二极管电路的传输特性VoVI。解：VI25V，D1导通，D2截止。32532IOVVVI.5V，D1、D2均导通。VO=25V25300200)25(IOVVVO=100VVI25V75V100V25V50V100V125VVO50V75V150V0.5例8：画出理想二极管电路的传输特性VoVI。当VI0时D1截止D2导通IOVV210VIVO-5V-5V+5V+5V-5V-5V+2.5V-2.5V-2.5V 知二极管D的正导游通管压降VD=0.6V，C为隔直电容，vi(t)为小信号交流信号源。试求二极管的静态任务电流IDQ，以及二极管的直流导通电阻R直。求在室温3
12、00K时，D的小信号交流等效电阻r交。CR1KE1.5V+VD+vi(t)mAKVIDDQ9.015.1)(89.289.026QTIVr交)(67.09.06.0kR直解：解：例10：例例3：二极管限幅电路:知电路的输入波形为 v i,二极管的VD 为0.6伏，试画出其输出波形。解：解：Vi 3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。Vi 3.6V时，二极管截止，vo=Vi。特殊二极管特殊二极管稳压二极管 稳压二极管是运用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。稳压二极管在任务时应反接，并串入一只电阻。电阻起限流作用，维护稳压管；其次是当输入电压或
13、负载电流变化时，经过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调理稳压管的任务电流，从而起到稳压作用。(2)动态电阻rZ 在规定的稳压管反向任务电流IZ下，所对应的反向任务电压。rZ=VZ/IZ，rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。(3)最大耗散功率 PZM 最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向任务时PN结的功率损耗为 PZ=VZ IZ，由 PZM和VZ可以决议IZmax。(4)最大稳定任务电流 IZmax 和最小稳定任务电流IZmin 最大稳定任务电流取决于最大耗散功率，即PZmax=VZIZmax。而Izmin对应VZmin。假设IZIZmin那么不能稳压。(1)稳定电压VZ例12：IR IZ Io稳压管的稳压过程。RLIoIRVoIZIRVo
半导体二极管及基本电路ppt课件
