CMOS芯片N阱剖面图

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1、剖面图：1、初始氧化为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。阱区掩蔽氧化介质层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。SiCh(昉氧化形成二氧化硅层:作为形成N阱的掩蔽膜2. 阱区光刻。是该款n阱硅栅CMOS集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻。若采用典型的常规湿法光刻工艺，应该包括：涂胶，前烘，压板，曝光，显影，定影，坚膜,腐蚀。P型衬底(W第一次光刻形成N阱窗口3. n阱注入。是该n阱硅栅COMS集成电路制造工艺流程序列中的第一次注入参杂。P阱注入工艺环节的工艺要求是形成n阱区。N阱卩型衬底fStCh(c)磷离子注入形成浅结后,退火扩散形成N阱4. 剥离阱区氧化层。N阱P型衬底(d)除

2、去二氧化硅层5. 热生长二氧化硅缓冲层：消除Si-Si3N4界面间的应力，第二次氧化。垫氧化层(e)氧化形成垫氧化层，作为缓冲层6. LPCVD制备Si3N4介质。氮化硅层N阱P型衬底f)LPCVD形成氮化硅层7有源区光刻：即第二次光刻N阱卩型衬底(g)第二次光刻，I光刻有源区8. 局部氧化：第三次氧化，生长场区氧化层。场氧化层卩型衬底(h)用溟氧法生成二氧化硅层用于器件隔离9. 剥离Si3N4层及SiO2缓冲层。门刻蚀氮化硅和垫氧化层10. 热氧化生长栅氧化层:第四次氧化。栅氧化层i)第四次氧化形成栅氧化层11.生长多晶硅多晶硅(k)淀积多晶硅12.刻蚀多晶硅栅：形成N沟MOS管和P沟MOS管的多晶硅栅欧姆接触层及电路中所需要的多晶硅电阻区。刻蚀务晶硅形成源馮区掺杂窗口13涂覆光刻胶，刻蚀n沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS管的源区和漏区光刻胶(m)光刻胶掩膜保护解敦源漏区，礎离子注入形成企坦艮源漏区14. 涂覆光刻胶，刻蚀p沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS管的源区和漏区P型衬底N阱光刻胶(n)光刻胶掩膜保护卿煦源漏区，硼宫子注入形成pMOS;漏区15. 去光刻胶卩型衬底(o)去光刻胶16. 生长磷硅玻璃PSG。PSG(p)表面钝化淀积FEG17刻蚀引线口凶阱凶阱(q)刻蚀引线口18真空蒸铝，铝电极反刻A1N阱卩型衬底(r)淀积A1,刻蚀Al